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3D X-DRAM的目標是將內存容量提升至當今內存的10倍

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3D X-DRAM的目標是將內存容量提升至當今內存的10倍

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NEO半導體公司再次宣布了一項有望徹底改變DRAM內存現狀的新技術 ， 展示了兩種新的3D X-DRAM單元設計：1T1C和3T0C 。 這兩種一晶體管一電容和三晶體管零電容的設計預計將在2026年生產出概念驗證測試芯片 ， 并將提供比普通DRAM模塊高出10倍的容量 。

基于NEO現有的3D X-DRAM技術 ， 新的單元被宣傳為能夠在單個模塊上容納512 Gb（64 GB） ， 至少比目前市場上任何商業模塊高出10倍 。 NEO的測試模擬測量出10納秒的讀寫速度和超過9分鐘的保持時間 ， 這兩者也處于當前DRAM能力的前沿 。
得益于基于銦鎵鋅氧化物（IGZO）的設計 ， 1T1C和3T0C單元可以像3D NAND一樣構建：以堆疊設計提高容量和吞吐量 ， 同時保持能效 。 這些單元是作為修改后的3D NAND工藝設計的 ， NEO希望現有的3D NAND制造設施能夠快速且輕松地升級以制造新的設計 。

“隨著1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出 ， 我們正在重新定義內存技術的可能性 ， ”NEO的首席執行官Andy Hsu說 。 “這一創新突破了當今DRAM的縮放限制 ， 使NEO成為下一代內存的領跑者 。 ”1T1C設計比NEO之前的創新 ， 如更偏向于小眾技術的3D X-AI技術 ， 更有可能成為真正的DRAM殺手 。
【3D X-DRAM的目標是將內存容量提升至當今內存的10倍】預計NEO半導體將在本月的IEEE IMW上分享更多關于1T1C、3T0C以及其3D X-DRAM和3D NAND系列的信息 。 隨著像基于FeRAM的DRAM+這樣的公司和技術也在爭奪成為DRAM技術的下一步 ， 以及像SK海力士這樣的老牌供應商滿足于開發越來越大的標準DRAM ， 3D X-DRAM面臨著一場艱難的戰斗 。

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