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韓媒：中國HBM技術正在加速追趕韓國！

經濟學人華為ai半導體

韓媒：中國HBM技術正在加速追趕韓國！

5月31日 ， 韓國媒體《商業郵報》發表文章稱 ， 中國華為和長鑫存儲加快了人工智能（AI）半導體相關技術的發展 ， 特別是 ， 中國在SK海力士和三星電子主導的高帶寬存儲器（HBM）市場的加速追趕 ， 被認為是韓國半導體行業的中長期風險 。

近日 ， 英國《經濟學人》報道稱 ， “樂觀情緒正在華為等中國半導體公司蔓延 ， 因為中國的AI技術能力正在克服美國的限制 。 ”
在前總統喬·拜登和唐納德·特朗普任期內 ， 美國政府逐步加強了半導體出口管制等措施 ， 以阻止中國AI產業的發展 。
這體現了這樣的判斷：包括英偉達在內的頂級公司的高性能半導體正在促進中國大型科技公司能力的快速增強 。
不過 ， 《經濟學人》表示 ， 騰訊、阿里巴巴等本土企業已經運營了多個大型AI數據中心 ， 自DeepSeek出現以來 ， 情況有所改善 。
【韓媒：中國HBM技術正在加速追趕韓國！】這是因為DeepSeek在中國開發的AI模型為本土企業提供了一個技術發展方向 ， 可以在不嚴重依賴英偉達高性能半導體的情況下實現足夠的性能 。
《經濟學人》分析稱 ， 華為等中國公司AI半導體技術的發展也促成了這一趨勢 。
華為AI半導體的性能不如英偉達產品 ， 但可以通過組合多種半導體克服性能差距 。
《經濟學人》報道稱 ， 除了華為之外 ， 包括寒武紀、海光等多家本土企業也在加快推進可能取代英偉達AI半導體的技術商業化 。
中國存儲半導體公司長鑫存儲將自己的HBM商業化的努力也值得關注 。
HBM是英偉達AI半導體中必不可少的高規格部件 。 目前 ， SK海力士和三星電子實際上壟斷了全球市場 。
SK海力士和三星電子正在積極應對快速增長的HBM需求 ， 增加產量并專注于下一代標準技術的開發 ， 并將其作為核心增長動力 。
然而 ， 《經濟學人》表示 ， “長鑫存儲被認為正在迅速追趕SK海力士、三星電子和美國美光的HBM技術 。 ”
這可能對韓國半導體公司構成中長期風險 。 這是因為 ， 如果HBM市場的壟斷體系崩潰 ， 它可能會容易受到供應過剩和價格競爭的影響 。
據分析 ， 中國正在通過開發關鍵半導體生產設備來加強自給自足體系 ， 這些設備由于美國政府主導的監管而難以從其他國家進口 。
《經濟學人》認為 ， 盡管做出這些努力 ， 但中國想要通過在AI半導體市場建立完全獨立的供應鏈來徹底彌補技術差距并非易事 。
特別是 ， 無法從荷蘭ASML購買微工藝半導體生產所必需的極紫外（EUV）設備被認為是中國企業最大的弱點 。
英偉達和AMD等公司以4納米以下工藝生產關鍵的AI半導體產品 ， 以實現卓越的性能和能效 ， 而華為等公司則依賴中芯國際的7納米微工藝代工 。
不過 ， 這可以解釋為 ， 如果中國企業克服了在微加工技術領域的弱點 ， 就可以立即獲得威脅全球競爭對手的能力 。
《經濟學人》表示 ， “華為曾多次實現過去看似不可能的成就 ， 隨著中國企業將本國半導體產業的發展視為生存的關鍵因素 ， 其技術進步的努力將會更加有力 。 ”

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