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芯片工藝照妖鏡：晶體管密度，三星3nm=臺積電5nm=英特爾7nm

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芯片工藝照妖鏡：晶體管密度，三星3nm=臺積電5nm=英特爾7nm

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芯片工藝照妖鏡：晶體管密度，三星3nm=臺積電5nm=英特爾7nm

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芯片工藝照妖鏡：晶體管密度，三星3nm=臺積電5nm=英特爾7nm

眾所周知 ，自從芯片工藝進入14nm之后 ， 所謂的XX納米 ， 就是數字游戲了 。
不像以前 ， XX納米 ， 是與芯片本身的柵級寬度對應的 ， 但自從進入14nm之后 ， 這些早就不對應了 ， 且各大廠商的工藝也不一致了 。
高通的高管 ， 甚至直白的講 ， 所謂的XX納米 ， 只是營銷需要而已 ， 晶圓廠喜歡把數字搞的小一點 ， 顯得技術更厲害 。
【芯片工藝照妖鏡：晶體管密度，三星3nm=臺積電5nm=英特爾7nm】
這背后的意思就是 ， 所謂的5nm ， 不一定是5nm ， 3nm也不一定是3nm ， 特別是各大廠商的同一種工藝 ， 比如都是5nm ， 技術指標可能完全不一樣 。
就像英特爾 ， 將自己的工藝改成intel4、intel3、intel18A之類的一樣 ， 并不代表工藝就真的是4nm、3nm、1.8nm了 ， 只是廠商自己這么叫的 。
那么問題來了 ， 在這樣的情況之下 ， 那么三星的5nm、臺積電的5nm、英特爾的5nm ， 是一樣的么？怎么來判斷究竟誰更強？

其實有一個非常重要的指標 ， 基本上只要看這個指標 ， 大家就會明白究竟誰是在忽悠 ， 誰是真材實料了 ， 這個指標就是晶體管密度 ， 也被人稱之為芯片工藝的照妖鏡 。
如下圖所示 ， 這是目前幾家最頂尖的大廠 ， 10nm及以下工藝的晶體管密度 ， 單位是每平方毫米 ， 多少億個晶體管 。

可以看到 ， 在10nm時 ， 明顯英特爾更厲害 ， 每平方毫米高達1.06億個 ， 而三星、臺積電差不多 ， 大約在0.5億個左右 ， 約是英特爾的一半左右 。
而到了7nm時 ， intel也是最厲害 ， 有1.8億個左右 ， 而三星、臺積電大約是0.95億個 ， 也約是英特爾的一半 ， 這時候三大廠商其實還是相對靠譜的 。

但是到了5nm時 ， 差距就來了 ， 英特爾依然保持著穩定 ， 高達3億個晶體管每平方毫米 ， 而臺積電也提升了很大 ， 達到了1.73億個 ， 但是三得明顯忽悠了 ， 只有1.27億個了 ， 提升有限 。
而到3nm時 ， 就更加明顯了 ， intel高達5.2億個 ， 臺積電提升到2.9億個 ， 而三星是1.7億個左右 ， 落后更多了 。

從這個可以看出來 ， 三星的3nm ， 相當于臺積電的5nm ， intel的7nm ， 足以證明三星的3nm工藝有多水了 。
偏偏三星的3nm工藝良率還不行 ， 難怪高通等廠商 ， 紛紛轉單 ， 不和三星玩了 ， 良率低 ， 工藝摻水 ， 和臺積電5nm一個水平 ， 誰和你玩啊 。
后續其實大家看誰的工藝更強 ， 不要只看表面的XX納米 ， 真正最有效的還是看晶體管密度 ， 一看一個準 。

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