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關注芯片行業的人都清楚 ， 這幾年 ， 美國對中國芯片產業那是不斷的出手 ， 甚至聯合日本、荷蘭等半導體設備強國 ， 進行圍堵 。
美國的目標很明顯 ， 那就是從三個芯片工藝方面 ， 來鎖住中國芯片產業的發展 。
第一個方面 ， 同是邏輯芯片 ， 美國想鎖死我們在14nm ， 無法往更小的工藝突破 。
第二個方面 ， 則是DRAM內存 ， 美國想要鎖死我們在18nm ， 無法往再小的工藝上突破 。
第三個方面 ， 則是NAND閃存 ， 美國想要鎖死我們在128層 ， 無法往更高層數上突破
為了達到這三個目標 ， 美國限制住了先進工藝的設備 ， 比如光刻機、清洗設備、離子注入機等 ， 不允許美國、日本、荷蘭等的這些廠商 ， 賣給中國 。
不過 ， 從現在的情況來看 ， 美國想要鎖死我們的三大芯片工藝 ， 已經全部被我們突破了 。
先看邏輯芯片方面 ， 中芯國際早在2019年就實現了14nmFinFET技術 ， 后來雖然沒有再公開 ， 但華為麒麟9000S、麒麟9010、麒麟9020等是什么工藝？很明顯 ， 這是等效于7nm的 ， 這不是突破是什么？
再說DRAM內存方面 ， 長鑫早在2023年底已低調啟動DDR5顆粒量產及出貨 ， 且其主流的DDR4與LPDDR4X顆粒采用的是17-18nm工藝 ， 而預計今年會推出下一代15nm制程 ， 另外長鑫也在加速從DDR4向DDR5/HBM遷移 。
數據顯示 ， 截至2024年底時 ， 長鑫全球DRAM市場中的產能占比達到13% ， 出貨量和銷售額分別占全球市場的6%和3.7% 。
再說NAND閃存方面 ， 美國想要鎖死我們在128層 ， 但早在2022年 ， 長存就成為了全球第一家量產232層3D NAND閃存的廠商 。
后來被美國限制 ， 無法買到先進設備 ， 但基于國產設備 ， 長存也實現了176層、232層3D NAND閃存的研發 ， 且也推出了新的產品 ， 這也是進行了突破 。
除了這些之外 ， 像華為的AI芯片追上了英偉達的H200 ， 小米有了3nm的芯片 ， 蔚來、小鵬等也有了5nm/4nm的汽車芯片 。
【美國想要鎖死的三大芯片工藝，全被中國突破了】可以說 ， 美國的封鎖計劃 ， 是徹底失敗了 ， 中國芯片在封鎖下越來越強 ， 并且是全方面突破 ， 雖然與全球頂尖水平有差距 ， 但差距也是越來越小了 。
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