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芯片究竟性能有多強 ， 其實與晶體管數量有關的 。 一個晶體管代表著一個邏輯開關 ， 而在芯片里面 ， 開關越多 ， 則性能越強 。
舉個例子說一下 ， 不管你是采用幾納米 ， 如果這顆芯片里面有300億顆晶體管 ， 就算他是28nm工藝的 ， 也會比你采用3nm工藝 ， 150億顆晶體管的芯片強 。
于是很多人就會問了 ， 既然晶體管數量決定一切 ， 那就瘋狂堆晶體管啊 ， 還搞什么工藝 ， 不要去研究3nm、2nm這些了 ， 用28nm工藝 ， 瘋狂塞晶體管就行 。
那你就理解錯了 ， 工藝越先進 ， 則單位面積內的晶體管越多 ， 同樣的晶體管數量下 ， 芯片的面積越小 。
比如200億個晶體管 ， 如果用28nm工藝來制造 ， 可能需要500平方毫米的面積（只是舉例 ， 不一定正確） ， 但用3nm ， 可能只要100平方毫米 。
500平方毫米 ， 是100平方毫米的5倍 ， 相當于硅片要大5倍 ， 這樣成本會高多少？
所以說 ， 提高芯片工藝 ， 其實就是為了提高晶體管的密度 ， 然后單位面積內 ， 塞進更多的晶體管 ， 這樣在提高性能的同時 ， 縮小面積 ， 降低成本 ， 這個才是核心 。
所以這里就能引入一個指標 ， 那就是單位面積內的晶體管密度 ， 可以說誰能夠在同樣的面積內 ， 塞進更多的晶體管密度 ， 那誰的工藝就最強 。
那么目前全球最強的三大芯片制造廠 ， 臺積電、三星、intel這三家 ， 誰的工藝最厲害？我們只要比一比晶體管密度 ， 就明白個大概了 。
如果是同樣的工藝 ， 晶體管密度最高的 ， 肯定是技術最厲害 ， 一點都不摻水的 ， 如果同樣工藝 ， 晶體管密度最少的 ， 那肯定就是“水貨” ， 摻水嚴重 。
上圖就是這三大廠 ， 從10nm到3nm時 ， 相同工藝下的晶體管密度 ， 單位是億/每平方毫米 。
【誰才是“水貨”？臺積電、三星、intel芯片工藝，晶體管密度對比】
很明顯能夠看到 ， 英特爾是“真男人” ， 晶體管密度在哪個工藝上都是最強的 ， 甚至比臺積電、三星的更高一級的工藝下 ， 晶體管密度還要高 。
而三星就明顯是水貨了 ， 其3nm工藝下的晶體管密度 ， 約等于臺積電5nm工藝時的晶體管密度 ， 約等于intel在7nm工藝時的晶體管密度 。
也從這張表能夠看出來 ， 也許大家都叫5nm或3nm ， 實質水平是完全不一樣的 ， 就看廠商們如何去營銷自己了 ， 這也是當前芯片領域的現狀 ， 其實工藝有真有假的 ， 就看你怎么看了 。
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