胡正明,中國科學院外籍院士( 六 )


在這種前提下,你制程工藝越小,微觀尺度的影響越大,量子隧穿效應越明顯,制程帶來的性能提升越小,由于芯片面積減小發熱更集中,在這個時候,制程進步已經是一個死局了 。所以只好在16/14nm節點引入了FinFET工藝,強行中和了制程縮小帶來的副作用 。但是這治標不治本,量子力學是現代物理學三大基石之一,只要你制程越來越小,你就永遠逃不出他的魔爪,而且制程越小受到的影響越大,這是宇宙決定的 。
在5nm制程附近,就會遇到嚴重的經濟性問題,即制程縮小已經無法帶來優異的半導體物理屬性,更別說什么1nm以下了,除非你強行扭轉物理定律,否則在這個尺度,無論你是用硅還是什么牛逼材質,電子一視同仁,根本不會鳥你的電路 。未來相當長一段時間的芯片不會依靠縮小制程來提升性能,需要依靠的是降低成本,改進工藝,擴大規模,優化架構 。

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