為什么原來說7nm是半導體工藝的極限，但現在又被突破了？
【反向短溝道效應的減少,短溝道效應如何改善】在半導體行業，所謂工藝極限是特定而相對的，特定指的是7nm極限是在半導體FinFET工藝下的物理極限；而相對的意思是每次遇到瓶頸的時候，工業界都會引入新的材料或結構來克服傳統工藝的局限性 。10年前我們遇到了65nm的工藝極限，工業界引入了HKMG，用High-K介質取代了二氧化硅 。5年前我們遇到了22nm的工藝極限，工業界發明了FinFET和FD-SOI，前者用立體結構取代平面器件來加強柵極的控制能力，后者用氧化埋層來減小漏電 。
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