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光刻機 ， 是當前芯片制造流程中 ， 最核心最重要的一環 。 因為幾乎所有大規模量產芯片的技術 ， 都離不開光刻 ， 所以就離不開光刻機 。
而為了卡住中國芯片產業的脖子 ， 美國限制ASML將先進的光刻機賣給中國 ， 特別是EUV光刻機 ， 連先進的浸潤式DUV ， 也不準賣 。
而光刻機 ， 與芯片工藝是對應的 ， EUV光刻機對應的是7nm以下的芯片制造 ， 而浸潤式光刻機 ， 先進的型號 ， 可以制造7nm芯片 。
所以美國的目的很直接 ， 那就是鎖住我們 ， 不能往7nm以下工藝進發 ， 因為這樣那么先進的芯片我們制造不出來 ， 就得找美國買 ， 美國就卡住我們了 ， 可以獲得經濟上的 ， 政治上的利益 。
但是經過這么多年的努力 ， 很明顯 ， 美國限制ASML的光刻機銷售 ， 即將沒有意義了 ， 因為我們已經有2個方向 ， 有突破了 ， 未來不需要EUV ， 我們也一樣能夠制造出5nm芯片出來 。
第一個方向 ， 是NIL納米壓印 ， 佳能之前就制造出來了能制造5nm芯片的納米壓印機 ， 可以替代EUV光刻機的 。
而國內璞璘科技 ， 也制造出了首臺PL-SR系列噴墨步進式納米壓印設備 ， 線寬<10nm ， 可以用于芯片、封測等領域 ， 同樣可以制造5nm及以來的芯片 。
第二個方向是EBL電子束技術 ， 浙江大學成果轉化基地 ， 推出了首臺國產商業化電子束光刻機 “羲之” ， 其精度達 0.6nm、線寬 8nm ， 無需掩膜版 ， 也能夠直接制造5nm及以下的芯片 。
這兩個方向 ， 都是可以替代EUV光刻機的方向 ， 有了這樣的設備 ， 不需要EUV一樣能制造先進芯片 。
目前這兩種設備 ， 都不是PPT ， 是已經研發出來了 ， 交付給客戶在進行測試 ， 以及與相關其它設備的聯調 ， 最終建設整個生產線 。
當然 ， 缺點也不是沒有 ， 因為芯片制造是一整套的 ， 光刻機只是其中一環 ， 還需要其它設備配合 ， 國內的這兩種設備 ， 目前還缺這一整套芯片制造生態 ， 需要一點時間 。
另外就是這兩種設備 ， 功率效率上還比不過EUV光刻機 ， 但相信迭代幾次后 ， 就能夠一定程度上替代EUV了 ， 就像EUV第一代 ， 也不行一樣 。
【美國禁售EUV光刻機？即將沒有意義了，我們有2個方向突破了】所以說 ， 真的要不了多久 ， 美國不允許ASML將EUV賣給我們 ， 也沒有意義 ， 我們可以繞道超定 ， 用另外的方向 ， 制造出自己的先進芯片 ， 到時候所謂的芯片禁令就成廢紙 ， 芯片戰爭徹底結束 。
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