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英特爾首席財務官：由于使用High NA EUV量產，14A將比18A更昂貴

首席財務官英特爾阿斯麥爾

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9月9日消息 ， 據外媒Tom's hardware報道 ， 英特爾首席財務官David Zinsner在花旗 2025 年全球 TMT 大會上表示下一代的Intel 14A（1.4nm級）制程技術將是英特爾為代工客戶從頭開始設計第一個尖端制造工藝 ， 因為其將使用ASML最新的0.55NA（數值孔徑）的High NA EUV光刻機Twinscan EXE：5200B 。
“14A 將比 18A 更貴 ， ”David Zinsner坦言：“雖然就晶圓廠投資而言 ， 14A并沒有明顯更貴 。 但這肯定會帶來更高的晶圓制造成本 ， 部分原因是我們期望在 14A 中使用High NA EUV 工具 ， 而 18A 中并非如此 。 ”
英特爾預計 ， 與 20A 相比 ， 其 14A 制造工藝的每瓦性能將提高 15% – 20% ， 功耗可降低 25% – 18% 。 14A還將采用第二代 RibbonFET 晶體管架構（一種升級的柵極全方位晶體管結構）和全新的背面供電技術 PowerDirect（一種將電源線直接連接到晶體管源極和漏極的背面供電網絡） 。

Intel 14A 還有一項關鍵創新是 Turbo Cells ， 它通過在密集的標準單元庫中使用高驅動、雙高單元優化關鍵時序路徑來增強 CPU 和 GPU 頻率 ， 從而在不影響面積或功耗的情況下提高性能 。 然而 ， 為了實現 14A 生產 ， 英特爾需要使用High NA EUV 光刻系統 ， 這些系統可提供更好的分辨率 ， 因此不需要依賴多圖案化 。
ASML稱其High NA EUV 系統在單次曝光中實現了 8nm 分辨率 ， 與當前 Low-NA EUV 工具的 13.5nm 分辨率相比有著很大的提升 。 盡管 Low-NA EUV 系統也可以使用雙圖案化（雙重曝光）達到 8nm分辨率 ， 但這種方法會增加工藝復雜度并影響良率 。 然而 ， High NA EUV將曝光場減少了50% ， 需要芯片制造商調整其設計策略 。 此外 ， High NA EUV比現有的EUV光刻機更昂貴 。
ASML 當前一代 Low-NA EUV Twinscan NXE：3800E 每臺成本約為 2.35 億美元 ， 而High NA EUV Twinscan EXE：5200B（或更高級）工具預計每臺成本為 3.8 億美元 。 由于該技術帶來的高成本和獨特挑戰 ， 各家晶圓廠對于何時采用High NA EUV的規劃各不相同：英特爾正在推動幾年后利用High NA EUV量產14A ， 而臺積電則采取更謹慎的態度 ， 其A16制程仍將采用Low-NA EUV 。
旨在生產采尖端制程工藝芯片的晶圓廠目前的建設成本從 200 億美元到 300 億美元不等 ， 具體取決于產能配置 ， 因此以 15.2 億美元的價格增加四個 High-NA EUV工具幾乎不會顯著增加晶圓廠成本 。 同時 ， 14A 研發成本高達數十億美元 。 因此 ， 一旦所有額外成本都加上 ， 它們確實會使 14A 工藝技術比 18A 更昂貴 ， 這就是為什么英特爾代工需要外部客戶來證明額外成本的合理性 。
“我認為英特爾首席執行官陳立武（ Lip-Bu Tan）所說的是 ， 如果我們沒有在外部獲得 14A 客戶 ， 將很難證明該節點的合理性 ， ”David Zinsner說 。 “所以 ， 是的 ， 英特爾產品將成為 14A 的大客戶 ， 事實確實如此 ， 我們需要確保它達到我們可以為股東帶來合理投資回報率的水平 。 ”
編輯：芯智訊-浪客劍

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