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首先，5G手機(jī)比4G手機(jī)耗電，不是因?yàn)?G技術(shù)本身比4G耗電，而是因?yàn)槭謾C(jī)網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量提高了(如速度、延遲率、可靠性等。)，導(dǎo)致手機(jī)性能更強(qiáng) 。自然就能支持更多更強(qiáng)的功能，從而增加手機(jī)的整體功耗。工作狀態(tài)下，理論上4G相對省電，3G次之，2G耗電最多。
【為什么4g比3g耗電,聯(lián)通3G和4G那個更耗電】看似只是一個轉(zhuǎn)化過程，但也有很高的風(fēng)險。如果操作過程中稍有差錯，就很容易發(fā)生核輻射。就連宋自己也說不清他為什么要這么做，但這個頭目比爆炸可怕得多。這東西有核輻射。他恨，為什么這么可怕的事情，受傷的人一點(diǎn)都不在乎？遭受核輻射后的第83天，大內(nèi)痛苦地閉上眼睛，終于解脫了。
芯片屏幕每一代發(fā)布都說比上代功耗更低，為什么手機(jī)卻越來耗電？

隨著近幾年手機(jī)芯片的迭代更新，手機(jī)芯片的性能提升越來越大，與此對應(yīng)的就是功耗也變得越來越高。手機(jī)芯片是由大制程向著小制程發(fā)展的，工藝越精細(xì)，一塊芯片上能容納的晶體管就越多，7nm,5nm,再到甚至還沒有發(fā)布的3nm，即使是相鄰兩代工藝制程的手機(jī)芯片，下一代芯片所容納的晶體管數(shù)目也幾乎是上一代的兩倍。以臺積電的為例，臺積電初代7nm芯片每平方毫米能容納9120萬個晶體管，而到了5nm芯片，每平方毫米容納晶體管數(shù)量達(dá)到了1.713億個，同比增長了88%，
盡管隨著晶體管尺寸縮減，確實(shí)帶來了一定程度上的功耗降低，但是近乎翻倍的數(shù)目增長，所帶來的功耗增加是顯而易見的。手機(jī)耗電越來越快的另一個重要原因，則是手機(jī)屏幕越做越大了，隨著芯片功耗越來越高，手機(jī)發(fā)熱也越來越嚴(yán)重 ?，F(xiàn)在人們使用手機(jī)的時間和頻率不可謂不高，手機(jī)的散熱就成為了一個大問題，日本方面已經(jīng)研究出了超導(dǎo)材料的絕熱芯片，能在提高芯片性能的同時大幅降低能耗。
但超導(dǎo)材料需要在極低溫下才能工作，手機(jī)無法滿足這樣的溫控條件，目前大多數(shù)廠商都是通過做大屏幕，提高散熱面積來解決問題，而屏幕越大，分辨率越高，耗電量越驚人。盡管做大屏幕能給手機(jī)配置上更大容量的電池，但是隨著人們使用需求的增加和手機(jī)能耗的日漸增長，依舊是入不敷出，且不說電池自身的損耗問題，現(xiàn)在隨著5G建設(shè)的逐步推進(jìn)，5G手機(jī)也已經(jīng)開始廣泛普及。
4G待機(jī)比3G待機(jī)更耗電嗎？

其實(shí)在待機(jī)狀態(tài)下，2G，3G，4G都以固定頻率監(jiān)視固定的廣播信道BCH和尋呼信道PCH，電池的消耗水平基本一致，其中比較微弱的不同也只是和監(jiān)視的頻次有關(guān)，而在工作狀態(tài)下，理論上4G是比較省電的，3G次之，2G最耗電。但是由于網(wǎng)絡(luò)耗電量受網(wǎng)絡(luò)覆蓋，信號強(qiáng)度，移動時的小區(qū)切換，衰落等多種因素影響，在目前網(wǎng)絡(luò)狀態(tài)下，結(jié)果恰好相反。
如何看待5G手機(jī)將比4G手機(jī)更加耗電一事？
首先5G手機(jī)比4G手機(jī)耗電，并不是因?yàn)?G技術(shù)本身比4G耗電多，而是因?yàn)槭謾C(jī)網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量提高了(比如速度，延遲率，可靠性等)導(dǎo)致手機(jī)性能變強(qiáng)了，自然會有能力支持更多更強(qiáng)的功能，從而提高手機(jī)整體的耗電量，所以個人認(rèn)為，將來手機(jī)的發(fā)展將極度依賴電池技術(shù)的發(fā)展，因?yàn)殡姵匾瑫r考慮體積、重量、發(fā)熱、容量、安全性等。
聯(lián)通3G和4G那個更耗電？
由于細(xì)胞受損，大內(nèi)長期潰爛的皮膚開始脫落，包括指甲、腸黏膜等部位，大量體液流出體外。為了挽救他的生命，醫(yī)生用紗布將他的身體包裹起來，同時送入無菌病房，依靠輸血和呼吸機(jī)維持生命。接下來的一周，Ohuchi的心臟停止了跳動，醫(yī)生及時搶救，心跳終于恢復(fù)正常，但病情依然很糟糕。把紗布綁在他全身潰爛的傷口上也沒用，輸入體內(nèi)的血又流了出來。