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芯片制造是非常復雜的 , 整個芯片制造過程中 , 需要幾百種設備 , 幾百道工序 。
其中比較核心的有光刻、刻蝕、薄膜沉積 , 這三個步驟 , 都對應著不同的設備 , 比如光刻機、刻蝕機 , 薄膜沉積設備等 。
光刻在最前面 , 用光在硅晶圓上形成電路圖案模版 , 刻蝕環節則根據這一模版對下層材料進行選擇性去除 , 以構建出復雜的電路結構 。
而薄膜沉積則是在硅片上逐層生長材料 , 從而搭建芯片的電路架構 , 這三個關鍵環節完成了 , 基本上芯片制造也就成型了 。
目前在光刻機上 , 我們的國產設置確實落后不少 , 如果和ASML相比 , 落后個10年是有的 , 甚至更多 。
但在刻蝕、薄膜沉積上 , 卻都達到了頂尖水平 , 特別是國內有一家半導體設備公司 , 在這兩塊上 , 都具備全球競爭力 , 在刻蝕機上 , 甚至達到了3nm的水平 。
這家企業就是中微公司 , 由尹志堯博士于2004年創辦 , 至今不過20來年時間 。
剛開始的時候 , 公司主要聚焦于等離子體刻蝕設備的研發 , 并于2007年就推出了中國首臺電容性等離子體刻蝕設備 , 打破國外壟斷 。
以前 , 美國對刻蝕機這樣的設備也是有限制的 , 不準先進的賣給中國的 , 但中微突破了后 , 限制就取消了 , 因為再禁毫無意義 , 反而會讓美企失去市場 。
后來 , 中微不斷的努力 , 推出了眾多的刻蝕機 , 真正達到全球頂尖水平 , 并且也打入了臺積電供應鏈 , 其精度也達到了3nm 。
不僅如此 , 中微公司還表示 , 其元件全部實現了100%的國產 , 完全的自主可控 , 不用擔心卡脖子 , 全是國產供應鏈 。
而除了刻蝕機之外 , 中微在薄膜沉積設備、MOCVD設備上 , 也達到了全球頂尖水平 , 特別是氮化鎵基LED MOCVD設備 , 全球領先 。
【100%自主可控,中國最強刻蝕機廠商,已搞定了3nm工藝】可見 , 中國企業一樣能夠制造出先進的芯片設備 , 也希望有越來越多的企業 , 能夠像中微一樣 , 如果大家的水平都全球頂尖 , 都達到3nm , 我們可以全部自己搞定 , 那還怕什么禁令 , 還有什么禁令啊 。
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