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近日 ， 在美國加利福尼亞州蒙特雷舉辦的 “2025 SPIE 光掩模技術 + EUV 光刻會議上” ， 比利時微電子研究中心（imec） 展示了單次打印High NA EUV 光刻的兩項突破性成就：
（1）間距為 20nm 的線結構 ， 尖端到尖端臨界尺寸 (CD) 為 13nm ， 適用于鑲嵌金屬化；
（2）使用直接金屬蝕刻 (DME) 工藝獲得的 20nm 間距 Ru 線的電氣測試結果 。
imec稱 ， 這些結果部分得益于歐盟的NanoIC 試驗線 ， 不僅標志著推進高 NA EUV 圖案化單次打印能力的重要里程碑 。 它們還強調了 imec-ASML 合作伙伴關系在推動更廣泛生態系統方面的關鍵作用 ， 該生態系統推動高 NA EUV 向大批量制造過渡 ， 解鎖 2nm 以下邏輯技術路線圖 。
繼2025年2月在SPIE先進光刻與圖案技術大會上展示20nm間距金屬化線結構后 ， imec如今通過單次曝光高數值孔徑EUV光刻工藝 ， 實現了20nm間距線結構 ， 其點對點（T2T）臨界尺寸（CD）達到13nm 。 對于13nmT2T結構 ， 測量結果顯示其局部CD均勻性（LCDU）低至3nm ， 標志著業界的一個里程碑 。 該結果采用金屬氧化物光刻膠（MOR）獲得 ， 并與底層、照明光瞳形狀和掩模版選擇共同優化 。
imec 計算系統擴展高級副總裁Steven Scheer表示：“與多重曝光相比 ， 采用單次High NA EUV 光刻技術實現這些邏輯設計可減少處理步驟 ， 降低制造成本和環境影響 ， 并提高產量 。 這些結果支持鑲嵌金屬化技術 ， 這是互連制造的行業標準 。 T2T 結構是互連層的重要組成部分 ， 因為它們允許中斷一維金屬軌道 。 為了滿足 20nm 金屬間距的邏輯路線圖 ， T2T 距離預計將縮小到 13nm 及以下 ， 同時保持功能性互連 。 進一步縮小 T2T 尺寸的開發工作正在進行中 ， 11nm T2T 已取得可喜的成果 ， 并將結構轉移到底層硬掩模中 ， 從而實現真正的（雙）鑲嵌互連 。 ”
為了實現20nm以下的金屬化 ， 業界可能會轉向其他金屬化方案 。 作為第二項成果 ， imec展示了釕（Ru）直接金屬蝕刻（DME）與單次曝光高數值孔徑EUV光刻技術的兼容性 。 我們實現了20nm和18nm間距的釕線 ， 包括15nm T2T結構和低電阻功能互連 。 對于20nm間距的金屬化線結構 ， 獲得了100%的電測試良率 。
Steven Scheer 表示：“在荷蘭費爾德霍芬 (Veldhoven) 設立 ASML-imec 高數值孔徑 EUV 聯合實驗室后 ， imec 及其合作伙伴生態系統在推進高數值孔徑 EUV 光刻技術方面取得了長足進步 ， 并推動行業邁入埃級時代——這得益于三年的生態系統建設 。 此次成果標志著一個新的里程碑 ， 彰顯了 imec 在光刻研發領域的領導地位 。 這些成果在實現《歐洲芯片法案》中關于支持 2nm以下邏輯技術節點的目標方面也發揮著關鍵作用 。 我們將與 imec-ASML High NA EUV 生態系統（包括領先的芯片制造商、設備、材料和光刻膠供應商、掩模公司以及計量專家）密切合作 ， 持續共同優化High NA EUV 光刻和圖形化技術 ， 以支持邏輯和存儲器的發展路線圖 。 ”
【imec宣布取得兩項High NA EUV光刻突破性成就】編輯：芯智訊-浪客劍
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