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北方華創發布12英寸先進低壓化學氣相硅沉積立式爐設備

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北方華創發布12英寸先進低壓化學氣相硅沉積立式爐設備

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SICRIUS PY302系列設備已通過多家晶圓廠嚴格驗證 ， 在先進邏輯與存儲芯片制造中實現規模量產 。
近日 ， 北方華創正式發布SICRIUS PY302系列12英寸低壓化學氣相硅沉積立式爐設備 。 該設備面向高端邏輯芯片與存儲芯片領域非晶硅、多晶硅薄膜沉積技術 ， 成功攻克高深寬比結構填充、高平坦度薄膜生長和兼容低溫工藝三大技術瓶頸 ， 標志著北方華創在高端半導體裝備領域持續取得關鍵技術突破 。

在三維集成芯片制造成為主流的今天 ， 堆疊層數的增加帶來了更高的深寬比要求 ， 這使得垂直結構填充面臨挑戰 。 傳統填充工藝容易產生孔洞 ， 從而導致器件失效 。 SICRIUS PY302系列設備通過其低壓反應腔技術和多區獨立高精度溫控系統 ， 實現了自下而上的無缺陷填充 ， 確保了高臺階覆蓋率 。 這一技術突破為邏輯芯片和存儲芯片等頭部企業的量產需求提供了堅實保障 。
在高端芯片柵極制造中 ， 實現薄膜的高平坦度是一項關鍵挑戰 。 SICRIUS PY302系列設備采用全自主設計的全石英腔室與高精度溫度控制加熱器 ， 結合氣體流場與熱場協同控制算法 ， 將膜厚均勻性和表面粗糙度控制在原子級 ， 顯著提升晶體管電性穩定性 。 同時 ， 該設備集成了多種硅源前驅體 ， 并實現了原位清洗、原位刻蝕和多元素摻雜等先進工藝功能 ， 從而大幅降低了器件的缺陷率 。
目前 ， SICRIUS PY302系列設備已通過多家領先晶圓廠的嚴格驗證 ， 在先進邏輯與存儲芯片制造中實現了規模量產 ， 并持續獲得重復訂單 ， 為半導體制造企業提供了高效、可靠的設備解決方案 。
北方華創2024年薄膜沉積設備收入超100億元薄膜沉積設備作為半導體制造的核心裝備 ， 通過物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）、外延生長 （EPI）、電化學沉積（ECP）及原子層沉積（ALD）等技術 ， 在基底表面精準構筑納米級功能膜層 ， 這些膜層在芯片中 扮演重要的角色 。 根據權威機構數據 ， 2023年薄膜沉積設備在集成電路設備資本支出中的占比為22.1% 。
2024年北方華創薄膜沉積設備收入超100億元 ， 并且已經形成了物理氣相沉積、化學氣相沉積、原子層沉積、 外延和電鍍設備的全系列布局 。
根據年度報告披露的信息 ， 目前北方華創批量銷售的化學氣相沉積主要包括：

  • 12英寸等離子體增強化學氣相沉積設備（PECVD）：主要用于12英寸邏輯、存儲芯片氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅等多種高品質介質薄膜沉積 ， 可滿足對鈍化層、隔離層、抗反射層、刻蝕停止層等多樣化的應用需求 。 該設備可實現高均勻性、高產能的薄膜沉積 ， 工藝一致性更好、可靠性更高 。
  • 12英寸高密度等離子體化學氣相沉積設備（HDPCVD）：主要用于12英寸邏輯、存儲芯片介質填充工藝 。 該設備通過同時進行沉積和刻蝕的工藝方式 ， 有效完成高深寬比溝槽的介質填充 ， 具備高沉積速率、優異的填孔能力和高致密的薄膜質量等優勢 。
  • 12英寸低壓化學氣相沉積設備（LPCVD）：主要用于12英寸邏輯、存儲芯片接觸孔和通孔填充 。 該設備通過精確的溫度、氣體脈沖時間和壓力控制 ， 實現高深寬比結構填充需求 。
  • 8英寸金屬有機化學氣相沉積設備 （MOCVD）：主要用于功率、射頻、光電子、Micro-LED、高效光伏等器件中的外延生長 。
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