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三星、美光尷尬了，存儲芯片的盡頭，長江存儲在等著它們

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三星、美光尷尬了，存儲芯片的盡頭，長江存儲在等著它們

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三星、美光尷尬了，存儲芯片的盡頭，長江存儲在等著它們

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在存儲芯片領域 ， 那絕對是三星、美光、SK海力士這三大巨頭的天下 。
這三大巨頭 ， 拿走了全球80%+的份額 ， 其它眾多的廠商 ， 合計份額也不過20%左右 ， 完全不是三星、SK海力士、美光等的對手 。
而中國存儲芯片廠商 ， 起步晚 ， 和三星、美光等相比 ， 那真的是差距太大了 。

在很多人的認知中 ， 在這樣的局勢之下 ， 中國存儲芯片 ， 只能跟在三星、美光等后面 ， 慢慢追 ， 至于要超過三星、美光 ， 很多人覺得這似乎不太可能 。
但是最近發現 ， 事情的發展 ， 并不完全是這樣的 ， 在3D NAND閃存上 ， 發生了一件有意思的事情 。
當三星、美光、SK海力士們不斷的突破 ， 積極推進技術最 ， 居然發現盡頭竟然是長江存儲 ， 他構建了強大的專利群 ， 在等著它們呢 。

存儲芯片其實是分為兩個部分的 ， 一個是存儲芯片部分 ， 一個是外圍電路部分 。
存儲芯片這一塊 ， 不能無限的微縮工藝 ， 基本上在18nm之后就很慎重了 ， 再微縮 ， 可能會導致存儲數據不穩定 ， 所以一般是堆疊 ， 即200層 ， 300層這種 ， 蓋更高的樓 ， 可以住的人更多 ， 這樣就可以住進更多的“小姐姐” 。
而外圍電路部分 ， 可以縮小工藝 ， 比如3nm、5nm等 ， 采用更先進的工藝 ， 能夠有更快的讀、寫速度 。

這兩塊采用不同的工藝 ， 然后封裝在一起 ， 這個技術就叫做混合鍵合技術(Hybrid Bonding) 。
并且目前 ， 混合鍵合已成為半導體和異質集成行業實現超細間距互連的首選技術 ， 而長江存儲 ， 早在幾年前 ， 就搞出了一種叫作“晶棧”（Xtacking） ， 它其實就是這種混合鍵合技術 。
前段時間 ， 有機構分析了關于存儲芯片方面混合鍵合技術專利 ， 發現長江存儲最多 ， 三星、美光、SK海力士三家加起來 ， 都沒長江存儲一家多 。

所以三星找長江存儲合作 ， 獲得了相關的專利 ， 據稱Sk海力士也在尋求合作 ， 畢竟對于它們而言 ， 獲得授權 ， 遠比最后打官司好 。
【三星、美光尷尬了，存儲芯片的盡頭，長江存儲在等著它們】可見 ， 這次確實是當三星、美光、SK海力士不斷的努力突破后 ， 發現長江存儲在3D NAND的盡頭等著他們了……

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