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美、日要慌了？清華大學研發出全新EUV光刻膠，效果更好

清華大學光刻膠

美、日要慌了？清華大學研發出全新EUV光刻膠，效果更好

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美、日要慌了？清華大學研發出全新EUV光刻膠，效果更好

在芯片制造中 ， 有一種非常重要的 ， 且與光刻機配合的半導體材料 ， 那就是光刻膠 。
光刻膠要涂布在硅片表面的 ， 光刻機進行刻錄時 ， 光刻膠就會發生光敏反應 ， 將要加工的芯片圖形轉移至硅片表面 。
光刻膠與光刻機一樣 ， 也是分工藝的 ， 可以分為g線、i線、KrF、ArF、EUV ， 對應的就是各種光刻機 ， 制造出來的芯片 ， 也是不同的工藝精度 。
如果大家對這些光刻膠對應什么工藝感興趣 ， 可以看下圖 。
【美、日要慌了？清華大學研發出全新EUV光刻膠，效果更好】
目前全球的光刻膠 ， 主要被日本企業壟斷 ， 日本企業拿下了70%以上的份額 ， 而在高端的ArF、EUV光刻膠領域 ， 日本企業市場占有率超過90% ， 特別是EUV光刻膠 ， 幾乎只有日本企業能夠生產 。
而中國的光刻膠自給率 ， 大約在5-10%左右 ， 90%要靠進口 。
更重要的是 ， 中國制造出來的光刻膠 ， 還只達到KrF階段 ， 連ArF都還在測試中 ， 從工藝來看 ， 國產的ArF ， 應該還在對應著65-40nm的芯片工藝 ， 至于EUV光刻膠就不要想了 ， 還有很長的路要走 。

但是近日 ， 有一則好消息傳出來 ， 那就是國產EUV光刻膠有突破了 。
清華大學的研究團隊 ， 開發出一種基于聚碲氧烷（Polytelluoxane PTeO）的新型EUV光刻膠 ， 該團隊由化學系許華平教授團隊帶領 。
這種聚碲氧烷的EUV光刻膠 ， 比現有的EUV光刻機性能更好 ， 在吸收效率、反應機制和缺陷控制等方面 ， 更為出色 。
目前 ， 相關成果已經發表在《科學進展》（Science Advances）期刊上了 ， 同時該研究得到國家自然科學基金重點項目的資助支持 。

當然 ， 任何一項技術 ， 從實驗室走向規模量產 ， 需要有一段不小的距離 ， 目前這項技術 ， 還沒有到量產商用階段 。
但在實驗室已經證明 ， 這種新型的EUV光刻膠 ， 比現有的更出色 ， 那么接下來 ， 這種技術 ， 就有可能推動下一代EUV光刻材料的發展 ， 從而助力光刻膠技術革新 ， 而中國作為研究者 ， 在這一領域 ， 就會有自己的話語權了 。
前面已經說到過 ， 之前EUV光刻膠被日本企業壟斷 ， 而美國則提供一些原料 ， 如今中國有突破了 ， 估計他們要慌了吧 。

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