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真不是為了錢！三星頂尖人才集體跑路 SK 海力士

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真不是為了錢！三星頂尖人才集體跑路 SK 海力士

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在三星電子負責 DRAM（動態隨機存取存儲器 ）工藝長達十年后 ， 一位 43 歲、化名 A 的工程師于 2023 年入職 SK 海力士 。 最令他驚訝的并非技術工作本身 ， 而是擺脫了他口中 “虛假匯報文化” 后的解脫 。 在三星 ， 跨部門項目常常會暴露出工藝或設計上的缺陷 ， 但為了避免內部追責 ， 這些問題通常會被輕描淡寫地帶過 。 “所有人都清楚這種‘游戲規則’ ， ” 他表示 ， “把問題最小化 ， 否則你的團隊就會‘遭殃’ 。 ”
工程師 B 畢業于頂尖工程院校后加入三星 ， 在該公司工作了八年 ， 也表達了類似的看法 。 他原本以為韓國領先的芯片制造商之間不會有太大差異 ， 卻發現 SK 海力士的運作模式截然不同：自下而上的決策機制以及公開的內部競爭 。 “在三星 ， 對于任何新提議 ， 第一反應往往是‘如果失敗了 ， 你能承擔責任嗎？’” 他說道 ， “僅這一點就扼殺了創新 。 ”
隨著三星在存儲芯片領域的主導地位逐漸削弱—— 尤其是在高帶寬內存（HBM ）和 DRAM 方面 —— 行業分析師指出 ， 頂尖工程人才的流失正在加速一場更深層次的危機 。 C 今年 51 歲 ， 在三星設計 DRAM 工藝近 20 年 ， 如今在 SK 海力士領導第六代（1c ）10 納米級 DRAM 的開發工作 。 他表示 ， 近年來從三星跳槽到 SK 海力士的情況大幅增加 。 “這不僅僅是薪資的問題 ， ” 他說 ， “而是僵化的層級制度、表面功夫式的職場政治 ， 以及抑制冒險精神的人力資源體系 。 ”

在爭奪人工智能時代存儲芯片主導權的競賽中 ， 這種內部創新的退縮愈發明顯 。 據 B 介紹 ， SK 海力士鼓勵不同團隊之間就競爭性封裝技術（如 MR - MUF 和混合鍵合技術 ）展開競爭 ， 然后根據性能和成本進行篩選 。 而在三星 ， 他表示 ， 首要考慮的是如果出現問題 ， 誰會被追責 。
這背后的利害關系重大 。 SK 海力士的內部競爭已經帶來了突破：工程師們曾認為 MR - MUF 技術無法擴展到 16 層以上 。 但通過內部反復迭代 ， 該公司將其擴展到了 20 層 ， 大幅提升了效率 。 B 將這種做法與臺積電的做法相提并論：“把現有工具用到極致 ， 以降低成本并在性能上領先 。 ”
【真不是為了錢！三星頂尖人才集體跑路 SK 海力士】相比之下 ， 三星仍存在規避風險的心態 。 “當第一個問題是‘你能保證這會成功嗎？’時 ， 新想法就會戛然而止 。 ”B 說道 。
如今 ， 人才外流已不僅僅局限于存儲芯片領域 。 隨著下一代 HBM4 整合邏輯芯片（這需要先進的晶圓代工工藝 ） ， SK 海力士已開始招募三星的 FinFET（鰭式場效應晶體管 ）工程師 。 自 2024 年以來 ， 已有小團隊陸續跳槽 ， 每次有兩到三人 。

43 歲的前晶圓代工工程師 D 提到 ， 長期虧損、產能利用率低以及對業務分拆的猜測是他離職的原因 。 他還指出 ， 三星備受推崇的存儲部門與其晶圓代工業務之間存在士氣差距 。
現就職于 SK 海力士的高級研究員 E 則把矛頭指向三星的 “血統心態” 。 “除非你是通過公司內部體系一步步升上來的 ， 否則幾乎不可能進入存儲部門的領導層 。 ” 他表示 。
相反 ， SK 海力士不論資歷 ， 只看業績 ， 不僅任用從三星跳槽過來的資深人士 ， 還讓不太知名的軟件專業人士擔任關鍵崗位 。 這種開放態度已見成效 。 曾經在 NAND 閃存技術方面落后的 SK 海力士 ， 如今已縮小了差距 。 其近期推出的高利潤率產品 ， 性能已達到或超過三星和美光的同類產品 。
關鍵招聘起到了重要作用 。 崔正達爾（音譯）曾在 SK 海力士領導開發出全球首款 321 層 NAND 閃存 ， 他此前是三星的高管 ， 還曾獲得三星的 “三星驕傲獎” 。 他的前任鄭泰成（音譯）在加入 SK 海力士之前 ， 也在三星工作了二十年 。
專家表示 ， 三星的問題并非出在技術上 ， 而是結構上 。 “這是一個‘管理優先’的組織 ， ” 西江大學商學院教授金永珍（音譯）表示 ， “工程決策要經過財務指標的篩選 。 如果領導層不重置這套體系 ， 三星的半導體優勢可能會繼續被削弱 。 ”

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