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Capacitor,capacitor

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陶瓷電容器你了解多少？

Capacitor,capacitor


【賣(mài)廢品就上廢品之家 我來(lái)回答您的問(wèn)題】陶瓷電容器又稱為瓷介電容器或獨(dú)石電容器 。顧名思義 ， 瓷介電容器就是介質(zhì)材料為陶瓷的電容器 。根據(jù)陶瓷材料的不同 ， 可以分為低頻陶瓷電容器和高頻陶瓷電容器兩類(lèi) 。下面去了解下陶瓷電容器的相關(guān)信息 。一、陶瓷電容器命名方法矩形片狀陶瓷電容器矩形電容命名方法有多種 ， 常見(jiàn)的有：（1）同內(nèi)矩形片狀陶瓷電容器矩形電容命名系列代號(hào)溫度特性容量誤差耐壓包裝CC3216CH151K101WT（2）美國(guó)Predsidio公司系列代號(hào)溫度特性容量誤差包裝CCl206NPO151JZT與片狀電阻相同 ， 以上代號(hào)中的字母表示矩形片狀陶瓷電容器 ， 4位數(shù)字表示其長(zhǎng)、寬度 ， 厚度略厚一點(diǎn) ， 一般為1～2mm 。
與片狀電阻相似 ， 容量的前兩位表示有效數(shù) ， 第3位表示有效數(shù)后零的個(gè)數(shù) ， 單位為pF 。如151表示150pF、1p5表示1.5pF 。誤差部分字母含義：C為±0.25pF ， D為±0.5pF ， F為±1pF ， J為±5pF ， K為±10pF ， M為±20pF ， I為-20%～81% 。二、陶瓷電容器種類(lèi)半導(dǎo)體陶瓷電容器（1）表面層陶瓷電容器電容器的微小型化 ， 即電容器在盡可能小的體積內(nèi)獲得盡可能大的容量 ， 這是電容器發(fā)展的趨向之一 。
對(duì)于分離電容器組件來(lái)說(shuō) ， 微小型化的基本途徑有兩個(gè)：①使介質(zhì)材料的介電常數(shù)盡可能提高；②使介質(zhì)層的厚度盡可能減薄 。在陶瓷材料中 ， 鐵電陶瓷的介電常數(shù)很高 ， 但是用鐵電陶瓷制造普通鐵電陶瓷電容器時(shí) ， 陶瓷介質(zhì)很難做得很薄 。首先是由于鐵電陶瓷的強(qiáng)度低 ， 較薄時(shí)容易碎裂 ， 難于進(jìn)行實(shí)際生產(chǎn)操作 ， 其次 ， 陶瓷介質(zhì)很薄時(shí)易于造成各種各樣的組織缺陷 ， 生產(chǎn)工藝難度很大 。
表面層陶瓷電容器是用BaTiO3等半導(dǎo)體陶瓷的表面上形成的很薄的絕緣層作為介質(zhì)層 ， 而半導(dǎo)體陶瓷本身可視為電介質(zhì)的串聯(lián)回路 。表面層陶瓷電容器的絕緣性表面層厚度 ， 視形成方式和條件不同 ， 波動(dòng)于0.01～100μm之間 。這樣既利用了鐵電陶瓷的很高的介電常數(shù) ， 又有效地減薄了介質(zhì)層厚度 ， 是制備微小型陶瓷電容器一個(gè)行之有效的方案 。
右圖（a）為表面層陶瓷電容器的一般結(jié)構(gòu) ， （b）為其等效電路 。在半導(dǎo)體陶瓷表面形成表面介質(zhì)層的方法很多 ， 這里僅作簡(jiǎn)單介紹 。在BaTiO3導(dǎo)體陶瓷的兩個(gè)平行平面上燒滲銀電極 ， 銀電極和半導(dǎo)體陶瓷的接觸介面就會(huì)形成極薄的阻擋層 。由于Ag是一種電子逸出功較大的金屬 ， 所以在電場(chǎng)作用下 ， BaTiO3導(dǎo)體陶瓷與Ag電極的接觸介面上就會(huì)出現(xiàn)缺乏電子的阻擋層 ， 而阻擋層本身存在著空間電荷極化 ， 即介面極化 。
這樣半導(dǎo)體陶瓷與Ag電極之間的這種阻擋層就構(gòu)成了實(shí)際上的介質(zhì)層 。這種電容器瓷件 ， 先在大氣氣氛中燒成 ， 然后在還原氣氛中強(qiáng)制還原半導(dǎo)化 ， 再在氧化氣氛中把表面層重新氧化成絕緣性的介質(zhì)層 。再氧化層的厚度應(yīng)控制適當(dāng) 。若氧化膜太薄 ， 電極和陶瓷間仍可呈現(xiàn)pn結(jié)的整流特性 ， 絕緣電阻和耐電強(qiáng)度都得不到改善 。隨著厚度的逐漸增加 ， pn結(jié)的整流特性消失 ， 絕緣電阻提高 ， 對(duì)直流偏壓的依存性降低 。

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