10月8日 ， 韓國媒體《朝鮮日報》發表文章稱 ， 中國存儲半導體公司長江存儲利用本國企業的半導體設備 ， 正在快速追趕三星電子、SK海力士等頂尖企業的NAND閃存技術 。
如果隨著長江存儲增加高端半導體供應 ， 中國成功建立自己的供應鏈 ， 可能會對韓國存儲半導體行業構成更大的威脅 。
據了解 ， 長江存儲已將許多從海外進口但因美國法規而難以獲得的半導體設備替換為中國產品 。
分析公司Tech Insights的報告稱 ， “長江存儲仍需使用ASML、Lam Research等海外公司的部分產品 ， 但國產設備占很大一部分 。 ”
美國政府正在對華為、長江存儲等中國半導體企業實施監管措施 ， 阻止高端設備出口 。
拜登政府上臺后 ， 這些監管力度逐漸加大 ， 隨著荷蘭、日本等盟友加入出口制裁 ， 中國企業進口高端設備越來越困難 。
對此 ， 中國不僅開始積極培育國內半導體制造商 ， 還積極培育設備、材料和零部件企業 ， 并投入巨額預算來支持研發和設施投資 。
有評價認為 ， 中國一直在追求建立半導體自給自足體系 ， 長江存儲的半導體技術發展表明這一政策已經得到回報 。
這意味著長江存儲的主打產品NAND閃存技術近期發展迅猛 。
Tech Insights表示 ， 三星電子和SK海力士是全球頂級的NAND閃存公司 ， 并受益于人工智能（AI）市場的增長 ， 長江存儲的產品性能與它們不相上下 。
長江存儲自有的“X-Stacking 4.0”技術 ， 通過堆疊NAND閃存來提高容量和性能 ， 已經達到了可以與業界最好的公司競爭的水平 。
然而 ， Tech Insights稱 ， 長江存儲半導體在良品率和3D NAND層數方面仍存在弱點 。 這是因為必須降低規格以適應當地設備制造商的技術水平 。
這也可以解讀為 ， 隨著中國半導體設備企業技術能力的發展 ， 長江存儲等半導體廠商的產品競爭力可以快速提升 。
不過一些領域 ， 例如ASML的先進光刻設備 ， 中國企業在研發和商業化方面存在明顯的局限性 。
【韓媒：中國半導體繼續崛起，長江存儲利用本國設備縮小技術差距！】彭博社表示 ， “中國尚未找到不使用海外設備制造高性能半導體的方法 ， 但長江存儲的半導體技術發展是中國建立自給自足體系的成就 。 ”
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