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全球首顆！中國科研團隊研發全新架構閃存芯片

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太平洋科技快訊】10 月 10 日消息 ， 繼今年4月在《自然》(Nature)上提出“破曉”二維閃存原型器件后 ， 復旦大學科院團隊再次迎來新突破 。
10 月 8 日晚 ， 復旦大學集成電路與微納電子創新學院周鵬-劉春森團隊在國際頂級期刊《自然》發表研究成果 ， 題目為《全功能二維-硅基混合架構閃存芯片》(“A full-featured 2D flash chip enabled by system integration”) ， 這一突破為應對摩爾定律物理極限挑戰提供了全新解決方案 。
面對傳統硅基芯片性能逼近極限的困境 ， 原子級厚度的二維半導體被國際學界視為破局關鍵 。 團隊通過創新性提出“長纓（CY-01）架構” ， 將超快閃存器件“破曉”與成熟硅基 CMOS 工藝深度融合 ， 以“先分后合”策略率先實現二維材料與硅基電路的高效集成 ， 芯片良率高達 94.3% 。
【全球首顆！中國科研團隊研發全新架構閃存芯片】該芯片支持 8-bit 指令操作與 32-bit 高速并行處理 ， 性能遠超現有閃存技術 。 研究團隊表示 ， 這一“源技術”有望顛覆傳統存儲架構 ， 為人工智能、大數據等領域提供更高速、低能耗的存儲方案 。 下一步 ， 團隊計劃通過產學研協同合作 ， 為市場帶來變革 。

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