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目前ASML的EUV光刻機 ， 已經發展到了第二代 ， 也就是NA=0.55的光刻機 ， 也稱之為High NA EUV 。
第一代是NA=0.33的EUV光刻機 ， 而第三代 ， 則是NA=0.77的光刻機 ， 稱之為Hyper NA EUV 。 不過這個第三代 ， 還有沒有 ， 能不能推出 ， 誰也沒有底 。
NA指的是數值孔徑 ， NA越大 ， 那么通過光聚焦的角度越大 ， 光斑越小 ， 分辨率越高 ， 自然光刻機性能就越強 ， 制造的芯片越先進 。
但提升NA是非常困難的 ， 因為需要更為復雜的光學元件 ， 研究成本可能是以數十億美元來計算的 ， 還不一定成功 。
所以科學家們 ， 一直在研究另外一種途徑 ， 那就是采用更短的波長光線 ， 比如目前的EUV光刻系統 ， 采用的是13.5nm波長的光線 。
如果采用比13.5nm波長的光線更短的波長 ， 那么不需要修改數值孔徑 ， 也能制造更先進的芯片 ， 這就不成了么？
所以“Beyond-EUV”就成為了不少廠商研究的方向 ， 目前科學家們看好的是采用 6.5nm ~ 6.7nm 波長的激光（也稱為Soft X ray） 。
因為這種激光 ， 與13.5nm波長的光線一樣 ， 也是具備高反射率 ， 所以這種光線也是能夠被收集 ， 然后用來制造更先進的EUV光刻機的 。
并且目前 ， 有許多研究人員已經嘗試了多種產生 6.7 nm 波長輻射的方法（例如 ， 釓激光產生的等離子體） ， 雖然還不是太穩定 ， 但已經證明了其可行性 。
另外還有一個難點就是 ，6.5nm 至 6.7nm 波長的光 ， 幾乎會被所有物質吸收而不是反射 ， 所以光刻膠之類的這種感光材料 ， 也要重新研究 ， 現有的EUV光刻膠沒用 。
但科學家們認為 ， 采用這種6.5nm 至 6.7nm 波長的光來制造更先進的光刻機 ， 可能遠比在現有的基礎上提升數值孔徑更靠譜 。
再加上用這種光線來制造光刻機 ， 其可以在低數值孔徑的情況下 ， 也能實現較高的分辨率 ， 接下來就可以從現有的EUV一樣 ， 再提升數值孔徑 ， 就能夠推動其再進步 。
【超越EUV光刻機技術，新的進展來了，這回中國能不能稱王？】而EUV光刻機的誕生 ， 讓ASML稱王 ， 那接下來的“Beyond-EUV”一旦誕生 ， 會讓誰稱王呢？會不會是中國的企業 ， 以前我們沒有很強的實力 ， 在EUV研發上落后了 ， 但這次可能不會了 ， 所以就讓我們拭目以待吧
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