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三星2納米GAA制程加速推進，目標2025年底實現70%良率

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【TechWeb】據報道 ， 三星電子近期在先進半導體技術領域展現出強勁的信心 ， 特別是對其2納米GAA制程的進展高度樂觀 。 在由總統辦公室政策首席Kim Yong-beom主持的一次半導體產業會議上 ， 三星設備解決方案部門總裁兼技術長Song Jae-hyuk對2納米GAA制程給出了極高的評價 ， 暗示公司正順利實現其預期的2納米制程良率和芯片性能目標 。
三星晶圓代工業務近年來一直被臺積電大幅領先市場份額 ， 但目前情況似乎有所轉變 。 三星已將2納米GAA的良率目標從原定的50%大幅提高至70% ， 并計劃在2025年底實現這一目標 。 知情人士透露 ， 這一調整反映了三星對其2納米制程技術的高度自信 。
Song Jae-hyuk在會議上表達了三星的雄心壯志 ， 希望借助2納米GAA節點的成功 ， 最終在全球晶圓代工市場中奪取第一的位置 。 不過他也坦言 ， 在追趕臺積電以及應對技術和人力挑戰方面 ， 公司需要政府提供強有力的支持 。
三星首款采用2納米GAA技術的芯片將是其自研Exynos 2600 ， 據初步的內部測試結果顯示 ， Exynos 2600性能超越了競爭對手蘋果的A19 Pro和高通的第五代驍龍8至尊版 。 該芯片預計將搭載于2026年發布的Galaxy S26系列手機中 ， 采用10核CPU架構 ， 包括一個超大核、三個大核和六個小核 ， 并在圖形處理方面集成了全新的Eclipse 960 GPU ， 據稱其性能比高通當前旗艦驍龍8 Elite所搭載的Adreno 830 GPU高出約15% 。
【三星2納米GAA制程加速推進，目標2025年底實現70%良率】值得注意的是 ， 三星的第二代2納米制程SF2P工藝已完成工藝設計套件開發 ， 與第一代相比實現了性能提升12%、功耗降低25%和芯片面積減少8%的三重優化 。 然而 ， 分析師指出SF2P目前的良率約為40%至50% ， 仍低于臺積電N2工藝的70%以上 。
此外 ， 三星位于美國德克薩斯州的泰勒工廠原計劃生產4納米制程芯片 ， 后升級到2納米以與臺積電和英特爾競爭 。 盡管該工廠面臨客戶需求不足等挑戰 ， 三星仍堅持推進這一戰略布局 ， 顯示其對2納米制程技術的堅定信心 。 （Suky）

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