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EUV發展到今天 ， 雖然推出了很多代 ， 但嚴格的來講 ， 其實就兩代 。
第一代稱之為普通EUV ， 其數值孔徑為0.33 ， 也有人稱之為LOW NA EUV系統 。 第二借稱之為High NA EUV ， 其數值孔徑為0.55 。
第一代普通EUV光刻機 ， 價格大約在1-1.5億美元左右 ， 而第二代High NA EUV ， 價格超過4億美元 。
ASML計算的非常好 ， 普通EUV用于7-3nm芯片的制造 ， 然后當大家要生產2nm及以下的芯片時 ， 就采購High NA EUV光刻機 。
這樣ASML賺大錢 ， 畢竟一臺光刻機4億多美元 ， 如果三星、臺積電們多采購幾臺 ， 替代掉原來的普通EUV ， 那就賺大發了 。
而intel、三星也給面子 ， 先后向ASML下單 ， 采購High NA EUV ， 特別是intel ， 更是全球第一家擁有High NA EUV的廠商 ， 英特爾想要全球第一家量產2nm（18A）芯片 。
不過ASML最大的客戶臺積電 ， 卻遲遲沒有動靜 ， 根本就沒有向ASML下單采購最新的High NA EUV光刻機 。
之前臺積電表示稱 ， 自己的2nm ， 不會采用High NA EUV ， 用現有的光刻機就行了 ， 并且認為1.4nm芯片 ， 應該也可以使用原有的EUV即可 ， 臺積電能解決這個問題 。
【臺積電說不！ASML的天價EUV光刻機，我不買】
而近日 ， 臺積電又表態了 ， 稱不僅1.4nm的芯片 ， 不會采購高達4億美元的ASML高數值孔徑（High-NA）EUV光刻機 ， 連1nm都可能不會采購 。
臺積電會采用一種新的“光掩模護膜”技術 ， 來推進其1.4nm、1nm芯片的研發與生產 。
當然 ， 臺積電也沒有說死 ， 只是說在必要的時候 ， 會采購High NA EUV光刻機 ， 來滿足自己的芯片制造 。
臺積電為何不買 ， 原因就是因為太貴了啊 ， 4億多美元一臺 ， 如果臺積電買30臺 ， 那就是120多億美元 ， 這個成本 ， 臺積電不是出不起 ， 而是覺得不采購它 ， 利用現有設備 ， 再研發其它新技術來制造 ， 肯定成本會比120億美元低的多 ， 那為何要當這個冤大頭呢 ， 讓三星、intel去當吧 。
對于ASML而言 ， 這事就有點麻煩了 ， 臺積電不買 ， 那么ASML就不能生產太多了 ， 否則三星、inte消化不了 ， 那么自己賺錢就沒那么容易了 。
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