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16層DRAM和NAND堆疊，SK海力士正研發HBS

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16層DRAM和NAND堆疊，SK海力士正研發HBS

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據報道 ， SK海力士正在研發一款將移動 DRAM 與閃存整合為一體的高帶寬存儲（HBS） 。 這是一款旨在提升智能手機、平板電腦等移動設備人工智能性能的下一代內存產品 。 該技術可最多堆疊16層 DRAM 與閃存 ， 再通過 “垂直扇出（VFO）” 技術連接各內存單元 ， 從而提升數據處理速度 。
此前SK海力士已實現LPWIO DRAM的商業化 ， 此次計劃在此基礎上加入閃存 ， 打造出多內存堆疊形態的HBS產品 。
【16層DRAM和NAND堆疊，SK海力士正研發HBS】
HBS 實現的核心在于VFO封裝技術 。 SK海力士于2023年全球首次研發的VFO技術 ， 核心是將各內存單元進行垂直連接 。 與傳統的引線鍵合不同 ， VFO采用直線連接方式 ， 縮短了布線距離 ， 能夠減少信號傳輸損耗與延遲 。 此外 ， 借助垂直連接結構 ， 相比傳統平面連接方式 ， 可布置更多輸入輸出接口 ， 進而提升數據處理性能 。
據悉 ， 由DRAM與閃存堆疊而成的HBS ， 將與應用處理器（AP）一同封裝后 ， 最終搭載于移動設備中 。
SK海力士研發HBS的背景 ， 是市場對智能手機等移動設備的AI性能提升需求日益迫切 。
當前 ， AI正朝著云端AI與設備端AI協同工作的結構演進 。 數據中心的AI與設備自身的AI形成互補 ， 而HBS概念的提出 ， 正是為了提升移動設備內部的AI性能 。
業內分析認為 ， SK海力士一方面通過堆疊DRAM的高帶寬內存（HBM）和堆疊閃存的高帶寬閃存（HBF）進軍服務器內存市場 ， 另一方面正計劃以VFO技術為基礎的HBS產品 ， 搶占設備端AI內存市場 。
值得一提的是 ， HBS無需像HBM那樣采用穿透芯片的硅通孔（TSV）工藝 ， 因此良率相對更高 ， 具備制造成本較低的優勢 。
10月底 ， SK海力士發布2025財年第三季度財務業績：營業收入為24.4489萬億韓元（約合170.9億美元） ， 同比增長39% ， 環比增長10%；營業利潤為11.3834萬億韓元（約合79.5億美元） ， 同比增長62% ， 環比增長24%；凈利潤為12.5975萬億韓元（約合88億美元） ， 同比增長119% ， 環比增長80% 。
其中 ， NAND業務收入占比20% ， 約4.89萬億韓元 ， NAND bit出貨量環比減少4%-6% ， ASP環比增長10%-15% 。 DRAM業務收入占比78% ， 約19.07萬億韓元 ， DRAM bit出貨量環比增長7%-9%百分比 ， ASP環比增長4%-6% 。
在NAND閃存業務領域 ， 面向AI服務器的eSSD出現溢價 ， 其出貨比重增加 。 SK海力士計劃擴大供應基于全球最高堆疊層數的321層TLC、QLC產品 ， 迅速響應客戶的要求 。
而在DRAM業務領域 ， SK海力士計劃加速轉換至已實現穩定量產的最先進第六代10納米級（1c）工藝 ， 由此具備服務器、移動端、圖形處理等‘全系（Full-line up）’DRAM產品陣容 ， 并通過擴大產品供應 ， 應對客戶需求 。 同時 ， SK海力士與主要客戶已經就明年的HBM供應達成協議 ， 并計劃從第四季度開始供應HBM4 ， 且將于明年正式擴大銷售 。 預計2027年HBM供應將持續緊張 ， 未來五年HBM市場年均增長率將達到30% 。
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