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韓國雖稱霸HBM市場,但核心專利在Adeia/臺積電/長江存儲手中!

韓國雖稱霸HBM市場,但核心專利在Adeia/臺積電/長江存儲手中!

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【韓國雖稱霸HBM市場,但核心專利在Adeia/臺積電/長江存儲手中!】
近日 , 據(jù)韓國媒體Thelec報道 , 韓國智慧財產(chǎn)振興院(KIPRO)研究員Kim In-soo 接受其采訪時表示 , 雖然韓國存儲芯片廠商在制造與堆疊HBM方面表現(xiàn)優(yōu)異 , 并占據(jù)大半HBM市場 , 但原物料與設備卻過度依賴海外公司 , 加上韓國企業(yè)缺乏與HBM相關的混合鍵合核心專利 , 可能讓他們在未來面臨專利訴訟風險 。
根據(jù)市場研究機構Counterpoint Research公布的數(shù)據(jù)顯示 , 在今年二季度全球HBM市場 , 韓國SK海力士以高達62%的份額穩(wěn)居第一 , 韓國三星電子份額為17% , 美光的份額為21% 。 也就是說 , 韓國SK海力士和三星電子共同占據(jù)了全球79%的市場份額 。
但是 , 根據(jù)KIPRO分析 , 美國的Adeia和臺積電是HBM制造所需的混合鍵合技術的領導者 。 此外 , 中國大陸長江存儲也是其中之一 。

Kim In-soo 表示 , 其研究團隊利用AI 技術審查2003年到2022年之間 , 在韓國、美國、日本、歐洲與中國公開的超過10000件相關專利 , 發(fā)現(xiàn)從專利質(zhì)量與市場價值來看 , Adeia 擁有最具價值的專利 。

Adeia 擁有從Ziptronix 取得的直接鍵合互連與低溫直接鍵合等核心技術專利 , 并通過旗下Invensas 與Tessera 等公司 , 也已取得大量混合鍵合專利組合 。
另根據(jù)K-PEG 評級 , 臺積電擁有A3 等級以上的高品質(zhì)專利數(shù)量中排名第一 , 三星則排名第二 , 美光和IBM 緊追在后 。 報導還稱 , 臺積電的SoIC 技術具高價值 。
目前中國也在存儲領域的專利也在快速增長 , 例如長江存儲也掌握包括Xtacking 在內(nèi)的核心技術 。 這些專利橫跨韓國、美國、日本、歐洲與中國注冊 , 意味著韓國企業(yè)可能隨時卷入專利訴訟 。
值得一提的是 , 今年2月 , 三星電子已與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了開發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”(Hybrid Bonding)技術的專利許可協(xié)議 , 以便從其第10代(V10)NAND Flash產(chǎn)品(430層)開始使用該專利技術來進行制造 。
而三星之所以選擇向長江存儲獲取“混合鍵合”專利授權 , 主要由于目前長江存儲在“混合鍵合”技術方面處于全球領先地位 。 并且三星經(jīng)過評估認為 , 從下一代V10 NAND開始 , 其已經(jīng)無法再避免長江存儲專利的影響 。
目前混合鍵合技術主要有兩類 , 晶圓到晶圓(Wafer-to-Wafer W2W)和裸片到晶圓(Die-to-Wafer D2W) 。 CBA架構的NAND正是基于W2W的混合鍵合技術 , 省去了傳統(tǒng)芯片連接中所需的“凸點”(Bump) , 形成間距為10μm 及以下的互連 , 使得電路路徑變得更短、I/O密度大幅提升 , 從而顯著提高了傳輸速率 , 并降低了功耗 , 同時還減少芯片內(nèi)部的機械應力 , 提高產(chǎn)品的整體可靠性 。
同時 , 由于堆疊層數(shù)越來越高 , 未來NAND Flash前端的集成也由原來的NAND陣列(Array)+CMOS電路層堆疊 , 轉(zhuǎn)向NAND陣列+NAND陣列+CMOS電路層堆疊 , 因此也帶來更多的“混合鍵合”需求 。
可以說 , 對于3D NAND廠商來說 , 要想發(fā)展400層以上的NAND堆疊 , 混合鍵合技術已經(jīng)成為了一項核心技術 。
Kim In-soo 指出 , 雖然韓國持有第二大規(guī)模HBM 相關專利 , 但其質(zhì)量與影響力“低于平均水平” , 因為韓國在核心設備與材料上仰賴進口 , 對國內(nèi)企業(yè)構成風險 。 相關公司目前可能仍傾向通過不公開的協(xié)商方式簽訂授權協(xié)議 , 但從2026年混合鍵合開始商業(yè)化后 , 這些問題可能最終演變成訴訟 。
編輯:芯智訊-浪客劍
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