GaAs中起施主作用的是Si，Si取代GaAs中的As原子則起受主作用 。導(dǎo)帶中電子濃度隨硅雜質(zhì)濃度的增加而增加，當(dāng)硅雜質(zhì)濃度增加到一定程度時(shí)趨于飽和 。硅先取代Ga原子起施主作用，隨著硅濃度的增加 ， 硅取代As原子起受主作用 。
【GaAs中起施主作用的是】《半導(dǎo)體物理學(xué)（第7版）》較全面地論述了半導(dǎo)體物理的基礎(chǔ)知識(shí) 。全書共13章，主要內(nèi)容為：半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)和電子狀態(tài)；雜質(zhì)和缺陷能級(jí)；載流子的統(tǒng)計(jì)分布；載流子的散射及電導(dǎo)問題；非平衡載流子的產(chǎn)生、復(fù)合及其運(yùn)動(dòng)規(guī)律；pn結(jié)；金屬和半導(dǎo)體的接觸；半導(dǎo)體表面及MIS結(jié)構(gòu)；半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)；半導(dǎo)體的光、熱、磁、壓阻等物理現(xiàn)象和非晶態(tài)半導(dǎo)體 。
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