DRAM擴產,兩家龍頭各有側重

DRAM擴產,兩家龍頭各有側重
【DRAM擴產,兩家龍頭各有側重】
近日 , 三星電子與SK海力士正上調明年DRAM生產增長率目標 。 三星電子將重心放在DDR5、LPDDR5X、GDDR7等通用DRAM領域 , 而SK海力士則在聚焦HBM的同時 , 力求兼顧通用DRAM的盈利能力提升 。
兩家公司的戰略在強化盈利能力層面雖有相似之處 , 但在具體路徑方面 , 兩者有所差異 , 在大規模量產體系具備優勢的三星電子將更聚焦通用DRAM;SK海力士則預計將延續在全球領先的HBM領域維持市場地位并創造收益的戰略 。
基于此 , 有分析認為三星電子將把產量最大化至足以維持DRAM價格上漲的水平 , 而SK海力士雖也會擴大DRAM產量 , 但新增產能將主要投向 HBM 。
兩家公司已陸續上調明年DRAM生產增長率目標 。 隨著市場景氣復蘇速度加快 , 內部計劃也在持續調整 。 業內人士表示:“據悉三星電子的目標較初始計劃提高了兩倍以上 , 最終方案將在年內確定 。 ”
據iM證券的估算 , 明年全球DRAM行業生產增長率約為 19% , 其中三星電子預計達 21% , SK海力士預計為 17% 。 業界認為 , 即便如此擴大生產 , 需求增長幅度仍有可能超過供給增長 。 三星電子擬將相當一部分產能向通用DRAM傾斜 。 除了對 1z 等現有成熟工藝生產線進行轉型投資外 , 還計劃將用于生產 HBM3E 的 1a 工藝產能縮減 40% , 以提高通用DRAM的占比 。 下一代 HBM4 所采用的 1cDRAM新增投資規模 , 預計按晶圓計算每月僅為 8 萬片左右 。
由于公司內部已將明年恢復盈利能力列為首要任務 , 因此明確傾向于將產能集中在營業利潤率較高的產品領域 。 為此 , 三星電子正調整戰略重心 , 減少明年預計價格下跌的 HBM3E 產品占比 , 轉而聚焦預計營業利潤率可達 60% 以上的通用 DRAM 。
三星電子在第三季度業績說明會上曾表示:“內部正在探討HBM增產的可能性 , 但近期隨著通用DRAM價格上漲 , 盈利能力大幅改善 , 將綜合考量HBM與通用DRAM的相對收益性 , 在持續監測市場行情后確定適當的額外增產規模 。 ”
SK海力士同樣計劃將DRAM產能投資目標上調約兩倍 , 以應對市場景氣回升 。 此前業界曾預計SK海力士的新增產能將大部分投向 HBM , 該公司在第三季度業績說明會上的官方表態也印證了這一預期, “雖然通用DRAM的收益率有可能接近 HBM , 但公司不會僅因短期收益變化就立即調整產能結構” 。
不過隨著近期通用DRAM價格持續暴漲 , SK海力士也開始有所改變 , 部分計劃已出現調整跡象 。 據業界消息 , SK海力士計劃將今年每月 2 萬片規模的 1c DRAM產能 , 到明年年底擴大至 16 萬片 。
業內人士表示:“據悉SK海力士HBM的營業利潤率約為 70% , 而明年通用DRAM預計也將實現相近水平的利潤率 , 因此公司正出現積極順應這一趨勢的動向 。 ”
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