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佳能、軟銀注資，Rapidus推進2nm計劃

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佳能、軟銀注資，Rapidus推進2nm計劃

據報道 ， 佳能已進入投資Rapidus的最終談判階段 ， 而軟銀正準備增加其資金支持 。 報道稱 ， 這筆資金旨在支持北海道千歲工廠在2027財年下半年實現2nm芯片的量產 ， 并為未來的1.4nm制造奠定基礎 。
佳能計劃投資數十億日元 ， 以鞏固其作為Rapidus供應鏈中的資本合作伙伴和設備供應商的角色 。 該公司已向北海道原型線交付了一套光刻系統 ， 并正在將其工作與阿斯麥的極紫外(EUV)光刻工具相結合 。
軟銀也正在采取行動擴大投資 ， 以加強籌款力度 。 Rapidus已告知經濟產業省 ， 到2031財年其總投資需求超過7萬億日元 。 日本政府計劃提供2.9萬億日元的補貼和資本注入 ， 以幫助彌補資金缺口 。
穩定的能源供應仍然是該項目的關鍵變量 。 北海道電力公司的目標是在防波堤建設完成后 ， 于2027年重啟泊核電站 ， 這一時間表與Rapidus的生產計劃相一致 。 報道稱 ， 可靠、低成本的核電被視為下一代晶圓廠所需的能源密集型制造過程所必不可少的 。 接入電網將緩解產能擔憂 ， 并允許該公司專注于工藝開發 。
Rapidus正在執行一項激進的計劃 ， 以追趕全球領導者 ， 此前日本在2000年代初在邏輯生產方面落后 。 國內制造商目前僅能大規模生產40nm級芯片 。 Rapidus的目標是在2027財年動工建設第二座晶圓廠 ， 目標是在2029年實現1.4nm生產 ， 該項目預計耗資超過2萬億日元 。 這一擴張預計將通過政府擔保的銀行貸款和額外的私人資本來提供資金 。 2
該公司于2025年4月開始運營一條2nm原型線 ， 并繼續就該技術與IBM合作 。 Rapidus發表了一份聲明 ， 回應了媒體關于1.4nm工廠具體建設和運營時間表的猜測 ， 澄清最近的報道并非源自該公司 。 該公司指出 ， 一旦決定最終確定 ， 將立即宣布路線圖的官方更新 。
全球競爭成功將使日本二十年來首次重新進入先進節點市場 。 然而 ， Rapidus在良率提高和工藝成熟度方面面臨重大障礙 ， 難以與臺積電和三星電子競爭 。 臺積電計劃今年量產2nm芯片 ， 2028年量產1.4nm芯片 ， 而三星的目標是在2027年生產1.4nm芯片 。
市場研究公司Omdia估計 ， Rapidus目前的產能約為每月7000片12英寸晶圓 ， 遠遠落后于臺積電的旗艦晶圓廠（月產約10萬片晶圓） ， 這突顯了Rapidus在尋求下一代節點客戶時必須克服的規模差距 。
政府官員將Rapidus項目視為恢復國家技術主權必不可少的國家安全優先事項 。
Rapidu與富士通和IBM合作據報道 ， 富士通正考慮與日本芯片制造商Rapidus合作 ， 將其超級計算機處理器過渡到 1.4 nm制造工藝 。
10月初 ， 富士通宣布與英偉達合作 ， 為日本數據中心開發人工智能芯片 ， 目標上市時間為2030年 。 該公司還在探索與Rapidus簽訂合同 ， 生產其一款1.4nm超級計算機處理器的可能性 ， 該處理器計劃于2029年上市 。
這臺由富士通和英偉達聯合開發的新型超級計算機代號為“Tomitake NEXT” ， 將取代日本已投入運行的“Tomitake”系統 。 其性能預計將比前代系統提升100倍 。 其核心部件——“FUJITSU-MONAKA-X”處理器預計將于2027年投入實際使用 。
目前的 MONAKA 由臺積電采用2nm工藝制造 。 未來的MONAKA-X預計將升級至1.4nm節點 ， 主要規格將于2026年3月確定 。 富士通希望這些芯片同時在臺積電和Rapidus進行生產 ， 并計劃投資Rapidus ， 使其成為MONAKA-X及未來芯片的潛在代工廠 。
Rapidus此次試產采用全環繞柵極(GAA)晶體管技術 ， 這是當前半導體行業最前沿的制程工藝之一 。 GAA架構通過三維堆疊設計提升晶體管密度與能效 ， 較傳統的FinFET技術更具優勢 。 目前 ， 早期測試晶圓已達到預期 ， 電氣特性 ， 臨界電壓、驅動電流、漏電流等核心參數均符合設計標準 。
今年7月 ，市場消息稱IBM正在尋求與日本的Rapidus建立長期合作伙伴關系 ， 以開發1nm以下的芯片 。 IBM與Rapidus的合作始于2022年12月 ， 雙方簽署了戰略合作伙伴關系 ， 旨在共同開發2nm節點技術 。
IBM與日本芯片制造商Rapidus的合作始于2022年12月 ， 雙方宣布建立戰略合作伙伴關系 ， 共同推進先進半導體技術的研發和生產 。 IBM將授權其2nm芯片技術給Rapidus ， 并計劃在2025年實現2nm芯片的量產 ， 2027年進一步量產改良版的2nm+超精細半導體 。
在技術層面 ， IBM和Rapidus的合作不僅限于2nm芯片的制造 ， 還包括先進封裝技術的開發 。 雙方在2024年6月宣布將共同開發芯粒先進封裝量產技術 ， 以支持高性能計算系統的開發 。
2024年12月 ， 雙方的合作取得了重要進展 ， 成功研發出一種名為“選擇性層縮減”的新型芯片構建方法 ， 這一工藝能夠一致地生產具有多閾值電壓的納米片環繞柵極晶體管 ， 促進了更節能、更復雜的計算 ， 對于將2nm晶體管擴展到量產水平至關重要 。
IBM還計劃與Rapidus在1nm以下工藝領域展開合作 。 IBM半導體研發部門總經理Mukesh Khare表示 ， IBM有意與Rapidus建立長期合作伙伴關系 ， 以推進下一代半導體技術的發展 。 除了目前在2nm芯片量產方面的合作外 ， IBM希望繼續與Rapidus合作開發更先進的工藝節點 。
據悉 ， IBM將向Rapidus的北海道工廠派遣了約10名工程師 ， 以推進下一代半導體生產 。
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