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3nm時 ， 三星就不講武德 ， 全球首發3nm芯片 ， 比臺積電領先了半年時間 。
不僅如此 ， 三星還率先全球首家采用GAAFET晶體管技術 ，放棄了老邁的FinFET晶體管技術 ， 一時之間 ， 讓大家都覺得三星可能在3nm芯片上要翻身了 。
但是 ， 三星雖然起了個大早 ， 卻趕了一個晚集 ， 3nm芯片是領先半年量產 ， 還采用了新的技術 ， 卻在率良上栽了跟頭 。
因為良率太低 ， 據稱只有20%左右 ， 也就是說制造出10顆芯片 ， 有8顆是廢的 ， 只有2顆能用 ， 這實在是太嚇人了 。
所以最后連三星的最大客戶高通、英偉達等都跑路了 ， 轉單至臺積電去了 。
數據顯示 ， 在3nm工藝上 ， 臺積電一家拿下了95%以上的份額 ， 三星可能只有5%左右 ， 可見真是起了個大早也沒什么用 。
所以三星 ， 又將目光瞄向了2nm ， 并且還是采用同樣的戰術 ， 那就是領先臺積電先量產 ， 同時也要搞點黑科技出來 ， 用來吸引客戶的訂單 。
這不 ， 三星正式公布了2nm芯片Exynos 2600的完整細節 ， 也就相當于是全球首發了 。
【臺積電要慌？三星又搶先！首發2nm芯片，“黑科技”能降溫16%】Exynos 2600采用的就是三星的2nm工藝 ， 同樣采用GAAFET晶體管技術 ， 對于三星來講 ， 已經是第二代了 ， 所以這一點沒什么可講的 。
為了讓Exynos 2600表現更強一點 ， 這次三星采用了10核超強CPU設計 ， 一顆3.8GHz Cortex-C1 Ultra超級核 ， 3顆3.25GHz Cortex-C1 Pro性能核 ， 還有6顆2.75GHz Cortex-C1 Pro能效 ， 據稱比上一代性能提升39% 。
性能這么強 ， 大家是不是擔心發熱大？畢竟之前在5nm上 ， 三星就栽倒在了發熱上 ， 所以這次三星的黑科技就是HPB技術（Heat Pass Block）
這個技術三星用在了HBM芯片中 ， 其它就是一種新的3D封裝方式 ， 讓一個銅基 HPB 散熱器 ， 直接與處理器核心直接接觸 ， 這樣能夠快速將產生的熱量排出來 ， 達到降溫的目的 。
三星稱 ， 采用了這種HPB技術后 ， 熱阻最多能降低16% ， 破解高端芯片散熱痛點 。
事實上 ， 目前不管是高通 ， 還是聯發科、蘋果等廠商 ， 都存在芯片越來越強 ， 熱量越來越大 ， 然后散熱越來越難的問題 。
三星此前就已經表態了 ， 如果讓三星來代工 ， HPB技術就會共享給高通、蘋果等廠商 ， 可見三星就是希望用這種技術 ， 以及拿出2nm芯片 ， 來吸引高通、蘋果等的訂單 。
接下來就看三星的這顆Exynos 2600芯片表現如何了 ， 如果真的性能強 ， 散熱還好 ， 良率也高 ， 那么未必不能挽回高通等的訂單 。
所以現在壓力給到了臺積電了 ， 如果不能從技術上碾壓三星 ， 那么臺積電當前這種壟斷高端芯片的局勢 ， 可能就會被打破了 。
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