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全球2nm芯片發布，我們與全球頂尖水平，還落后3代？

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全球2nm芯片發布，我們與全球頂尖水平，還落后3代？

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全球2nm芯片發布，我們與全球頂尖水平，還落后3代？

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2025年底 ， 三星終于亮出了全球首顆2nm芯片 。
這顆芯片就是三星自己的獵戶座手機Soc Exynos2600 ， 它采用三星自己的GAAFET 2nm技術制造 ， 并且已經是第二代GAA技術了 。
按照三星的說法 ， 這顆芯片采用10核設計 ， 雖然這些CPU的主頻并不高 ， 但性能漲了39% ， 同時在采用了HPB技術（Heat Pass Block）后 ， 溫效降低了16% 。

【全球2nm芯片發布，我們與全球頂尖水平，還落后3代？】當然 ， 目前其它參數還差不清楚 ， 比如晶體管密度等等 。
但不管怎么樣 ， 三星的這顆芯片 ， 意味著全球芯片工藝 ， 正式進入了2nm時代 。
而這也意味著 ， 我們與國際頂尖的芯片制造工藝 ， 又多落后了一代了 ， 差距又稍微的拉大了一點點 。

不是我要長他人志氣 ， 滅自己人威風 ， 這確實是實情 。
目前國內達到了芯片制造工藝 ， 還是等效7nm水平 ， 以前三星、臺積電們的工藝是3nm ， 那么中間只相差一個5nm工藝 ， 也就是兩代 。
如今三星到達2nm ， 臺積電也很快就要到達2nm ， 那么中間就相差了5nm、3nm ， 算是落后三代了 。

很多人可能會說 ， 我們很快就會追上的 ， 浸潤式光刻機也能夠制造5nm芯片 。
但是 ， 大家要清楚的是 ， 沒有EUV光刻機 ， 其實是非常難制造7nm以下芯片的 ， 理論上浸潤式DUV是能夠制造5nm ， 甚至3nm的芯片 。
但要經過更多重的曝光之后 ， 先不說技術上究竟能不能真正實現 ， 因為還從來沒有廠商 ， 用浸潤式DUV光刻機去制造5nm芯片 ， 臺積電當年也只拿浸潤式制造7nm ， 后來就換成了EUV 。
就算我們技術上實現了 ， 其良率是大打折扣的 ， 良率就直接影響到芯片的成本、制造效率等 。

所以啊 ， 最終的落腳點 ， 還是要有EUV光刻機 ， 不管是買 ， 還是自己造 。
而買是不可能的 ， ASML之前就表示稱 ， 賣給中國的光刻機 ， 實際上只相當于2013、2014年賣給西方的光刻機 ， 是落后10年以上的 ， 連最先進的浸潤式DUV都不給 ， 別說EUV了 。
所以我們只有自己造 ， 但要制造EUV光刻機 ， 又要邁過很多的坎 ， 比如EUV光源 ， 比如物鏡系統等等 ， 這些供應鏈全部被ASML綁定在戰車上了 。
但是不管再難 ， 我們也要先制造出自己的EUV光刻機來 ， 否則與三星、臺積電等的芯片制造技術差距 ， 可能就會越來越大了 ， 這是我們無法接受的 。

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