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ASML 分享 High-NA EUV 光刻機最新進展:目標 2024-2025 年進廠( 二 )


有趣的是,早在 2020 ~ 2021 年,ASML 就表示已經收到了三家客戶的 High-NA 意向訂單,共提供多達 12 套系統 。目前可以肯定的是,英特爾、三星和臺積電必然會拿下2020 ~ 2021 年預生產的 High-NA 機器 。
此外,ASML 已經開始生產其首個 High-NA 光刻系統,預計將于 2023 年完成(原型機),并將被 Imec 和 ASML 客戶用于研發用途 。

ASML 分享 High-NA EUV 光刻機最新進展:目標 2024-2025 年進廠

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ASML 首席執行官 Peter Wennink 表示:“在 High-NA EUV 方面,我們取得了良好的進展,目前已經開始在我們位于維爾德霍芬的新無塵空間中打造第一個 High-NA 光刻”,“在第一季度,我們收到了多份 EXE:5200 系統的訂單 。我們這個月也還收到額外的 EXE:5200 訂單 。我們目前已有來自三個邏輯芯片和兩個存儲芯片客戶的 High-NA 訂單 。EXE:5200 是 ASML 的下一代高 NA 系統 , 將為光刻技術的性能和生產力提供下一步的發展 ?!?br />
ASML 分享 High-NA EUV 光刻機最新進展:目標 2024-2025 年進廠

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ASML 的 Twinscan EXE:5200 比普通的 Twinscan NXE:3400C 機器要復雜得多,因此打造這些機器也需要更長的時間 。該公司希望在未來中期能夠交付 20 套 High-NA 系統,這可能意味著其客戶將不得不進行競爭 。
“我們也在與我們的供應鏈伙伴討論 , 以確保中期大約 20 個 EUV 0.55NA 系統的交付能力 , ”Wennink 說 。
到目前為止,唯一確認使用 ASML High-NA 光刻機的是英特爾 18A 節點 , 英特爾計劃在 2025 年進入大批量生產,而 ASML 也是大約在那時開始交付其 High-NA EUV 系統 。但最近英特爾已經將其 18A 的生產規劃推遲到 2024 年下半年,并表示可以使用 ASML 的 Twinscan NXE:3600D 或 NXE:3800E 來生產,可能是通過多重曝光模式 。
從這一點來看,英特爾的 18A 技術毫無疑問會大大受益于 High-NA EUV 工具,但也并非完全離不開Twinscan EXE:5200 機器 。在商言商 , 雖然 18A 不一定需要新機器,但多重曝光模式意味著更長的產品周期、更低的生產率、更高的風險、更低的收益率,和更難的競爭 。所以,英特爾肯定也希望它的 18A 節點盡快到來,從而重鑄往日榮光,好從臺積電手中奪回曾經的地位 。
【ASML 分享 High-NA EUV 光刻機最新進展:目標 2024-2025 年進廠】《每臺價值 4 億美元:ASML 正研發的下一代 High-NA 光刻機有望于 2023 年上半年亮相》

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