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光刻機|俄羅斯投資6.7億盧布，開發新型的光刻機，性能或將超越EUV光刻機

創投圈x光光刻機

光刻機|俄羅斯投資6.7億盧布，開發新型的光刻機，性能或將超越EUV光刻機

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光刻機|俄羅斯投資6.7億盧布，開發新型的光刻機，性能或將超越EUV光刻機

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上一篇文章 ， 我們說了 ， 佳能在開發3D光刻機 ， 可以說在疊加芯片方向上 ， 又走出了堅實的一步 。 那么為什么佳能要朝這個方向努力？只能說ASML在EUV光刻機方面 ， 壟斷能力太強了 ， 其他人很難追趕得上 ， 所以只能另辟蹊徑 ， 例如通過3D光刻機制造橫向縱向疊加的芯片 ， 以此來達到更好的性能 。
俄烏沖突之后 ， 歐美西方國家全方面制裁俄羅斯 ， 在半導體領域自然也是如此 ， 俄羅斯最大的半導體廠商米克朗也被美國制裁 。
據悉 ， 米克朗出口了俄羅斯微電子產品的 50%以上 ， 它的前身為成立于1964年3月前蘇聯時期的分子電子研究所 。 在上世紀七十年代 ， 米克朗是蘇聯第一個開發和制造大規模集成電路的公司 。

2006年 ， 米克朗獲得了歐洲半導體巨頭意法半導體的技術轉讓 ， 從此具備生產0.18μm芯片的能力 ， 后來又在此基礎上 ， 于2008年和2009年分別實現130nm和90nm工藝 ， 到了2016年 ， 實現了65nm 。 目前 ， 米克朗也是唯一一家能量產65nm制程的俄羅斯本土企業 。
其實 ， 俄羅斯的芯片采購量很低 ， 還不到全球總量的1% ， 但也沒能擺脫美國的霸權打擊 。所以 ， 俄羅斯決心開始開發光刻機 。
近日 ， 俄羅斯宣布將投資6.7億盧布 ， 折合成人民幣約5100萬元 ， 開發新一代的光刻機 ， 并且俄羅斯莫斯科電子技術學院已經承接了該項任務 。
俄羅斯媒體報道稱：俄羅斯將研發當前全球最先進的X射線光刻機 ， 或比ASML的EUV光刻機性能更先進 。

看到這個消息 ， 很多人會有2個疑問 。 一是這個錢夠嗎？才5100萬 。 二是真的能超過EUV光刻機嗎？甚至覺得這個消息有點扯 。
大家也別著急 。
【光刻機|俄羅斯投資6.7億盧布，開發新型的光刻機，性能或將超越EUV光刻機】首先在錢的問題上 ， 這次的6.7億盧布是首批資金 ， 后面應該還會有投入 。 至于花多少錢辦多少事兒 ， 或許一家一個樣吧 ， 暫時也不好評論 。 另外 ， 如果錢實在不夠 ， 俄羅斯也可以多賣點石油天然氣 ， 還可以漲點價再賣 ， 反制這2個東西有的是 。
其次 ， 俄羅斯研發的光刻機 ， 只是計劃達到EUV級別 ， 并非EUV光刻機 ， 二者的技術原理完全不同 ， 所有美國和ASML沒法限制 。
另外俄羅斯的X射線光刻機是基于同步加速器或等離子體源的無掩模X射線光刻機 ， 甚至在某些地方 ， 要比EUV光刻機好 。
目前 ， 俄羅斯莫斯科電子技術學院與其他科研機構以及科學家團隊 ， 在無掩模光刻領域方面取得了進展 。 同時 ， 還有澤列諾格勒的同步加速器 ， 以及先進的離子源 ， 所以俄羅斯媒體也很有信心地公開表示 ， 這種光刻機將實現28nm、16nm及以下的工藝制程 。
那么X射線能用來光刻嗎？
其實這種技術很早就有了 ， 不論是美國、歐洲還是我國 ， 都研制過X射線光刻機 ， 但因為效率差 ， 一般只適合特定場景的芯片制造 ， 不適合量產場景 ， 所以X射線光刻機一直沒能取得大范圍的推廣和應用 。
X射線大家肯定不陌生 ， 在醫院里很常見 ， 很難想象它能應用到光刻機領域 。 但很多人可能沒想到 ， X射線的波長比EUV極紫外光還要短 。

X射線光刻機使用的是X射線 ， 其波長介于0.01nm到10nm之間 ， 而EUV光刻機使用的是極紫外光波長為13.5nm ， 可以用于制造7nm及以下的芯片 ， 所以單純看數據 ， X射線光刻機是可以達到EUV光刻機的工藝水平的 。

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