5月9日 ， 韓國媒體《Edaily》發表文章稱 ， 美國越是向中國施壓 ， 中國的技術獨立速度就越快 。 尤其是在韓國占據主導地位的高帶寬存儲器（HBM）方面 ， 中國設定了明年實現70%自給率的目標 。
美國政府限制英偉達向中國出口低規格AI加速器H20 。 H20是一款中國專用AI加速器 ， 在滿足美國政府監管標準的前提下 ， 英偉達可以合法供應給中國 。 據悉 ， 美國政府還通知AMD和英特爾 ， 如果要向中國客戶銷售部分AI加速器 ， 必須獲得許可 。
為了應對美國的這種壓力 ， 中國正在全力實現半導體自給自足 。 中國正致力于開發用于AI加速器的HBM技術 ， 并設定了明年實現HBM自給率70%的目標 。
據了解 ， 目前包括長鑫存儲、武漢新芯在內的中國存儲器企業正在研發并量產第二代HBM——HBM2 。 尤其是長鑫存儲的追擊速度非常驚人 。 長鑫存儲與封裝公司通富微合作開發HBM樣品并將其交付給華為等公司 。 長鑫存儲原計劃明年量產HBM2 ， 但去年下半年就成功量產 ， 比原計劃提前了兩年 。 目標是明年研發并量產第四代HBM3 ， 2027年量產第五代HBM3E 。 中國HBM也可能在2-3年內搭載在華為的AI加速器昇騰系列上 。
中國去年5月啟動國家集成電路產業投資基金第三期 ， 決定投資3440億元人民幣 ， 為歷來最大投資額 。 預計相當一部分投資資金將用于HBM開發 。 投資規模旨在從簡單的制造擴展到整個半導體行業 ， 包括先進技術、設備、材料和設計 ， 并提高自給自足的能力 。
中國正在迅速縮小HBM技術差距 ， 通過國內優秀高校、企業、科研院所合作 ， 推動核心技術和關鍵零部件國產化 。 HBM全球前50名研究人員中 ， 中國研究人員達到19人 。 看起來 ， 來自美國的壓力實際上正在提高中國在半導體方面的自給自足能力 。
韓國半導體的擔憂預計將進一步加深 ， 從今年開始 ， H20所采用的HBM將是第五代HBM3E 8層 ， 由SK海力士供應 。 目前 ， 由于美國制裁 ， 三星電子和SK海力士無法直接向中國供應HBM ， 而是間接向英偉達H20等供應 。 韓國漢陽大學白瑞仁教授解釋說 ， “長鑫存儲的技術發展速度非常快 ， 隨著時間的推移 ， 中國和韓國企業之間可能會圍繞HBM展開競爭 。 ”
【韓媒：明年中國HBM自給率將達到70%！】隨著美國的壓力加大 ， 韓國企業減少對華銷售似乎是不可避免的 。 除了傳統的DRAM和NAND 閃存之外 ， 中國在HBM方面的自給自足可能會改變全球半導體行業格局 。
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