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HBM4產品將溢價超過30%

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HBM4產品將溢價超過30%
HBM價格談判的關鍵在于成本波動 。
預計HBM4（第六代HBM）的成本將比上一代產品大幅上漲 ， 因此溢價幅度將在30%至40%左右 。
HBM最底層的邏輯芯片和堆疊在其上的DRAM核心芯片價格都將上漲 。
考慮到HBM4更注重提升速度、帶寬等性能和特性 ， 而非增加容量本身 ， 因此與上一代產品相比 ， 硅通孔（TSV Via）的大幅增加是不可避免的 ， 預計硅通孔將比HBM3E（第五代HBM）擴大300%以上 。
TSV數量的快速增加 ， 意味著對重新布線、微凸塊、電源和接地的要求也隨之增加 ， 這需要顯著增加金屬層數 。
除三星電子外 ， 前端技術節點仍將維持在1b（第五代） ， 因此核心芯片面積增加帶來的損失是不可避免的 。

在12層HBM4中 ， 邏輯芯片的應用和外部代工廠的利用率各不相同 ， 為了提高能效 ， 邏輯芯片比采用存儲器工藝的基座芯片更有可能被利用 。
在這種情況下 ， HBM公司的成本將不可避免地迅速上升 ， 因為它將從存儲器工藝成本轉變為外部代工廠的工藝銷售價格 。
由于通過采用代工廠的邏輯芯片 ， 基座芯片的產能用于核心芯片的生產 ， 因此產能可以擴大約1/13 ， 部分抵消成本增加的因素 。
就附加值而言 ， 綜合判斷 ， 由于核心芯片比現有的基座芯片更高 ， 成本增加的抵消因素將超過1/13 。
核心芯片預計成本將增加22% 。 由于每個芯片面積增加而導致晶圓上生產的芯片數量減少 。
【HBM4產品將溢價超過30%】由于HBM工藝難度的快速上升導致良率下降 ， 以及HBM4預期溢價較高 ， 預計將繼續成為HBM和先進工藝的供應制約因素 ， 緊張的供應狀況將持續下去 。

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