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韓媒：中國長鑫存儲加速向高端產品轉型！

半導體dram存儲器

韓媒：中國長鑫存儲加速向高端產品轉型！

6月6日 ， 韓國媒體《Etoday》發表文章稱 ， 近期 ， 中國半導體企業正快速從低成本通用存儲器市場轉向高規格、高附加值產品 。 特別是隨著技術力的急速增長 ， 以長鑫存儲為中心 ， 正在批量生產雙數據率（DDR5）和高帶寬存儲器（HBM）等尖端產品 。 韓國業界認為 ， 韓國半導體企業在工藝完善度、良品率、市場響應速度等方面仍然擁有明顯的技術優勢 。

據市場研究公司TrendForce稱 ， 中國長鑫存儲計劃在今年年底前逐步減少DDR4的出貨量 。 盡管具體減產規模尚不清楚 ， 但有人猜測 ， 最早可能在今年年底停止發貨 。
DDR4是代表性的低成本通用存儲器 ， 廣泛應用于PC、筆記本電腦、服務器等 。 長鑫存儲預計將加速構建以韓國企業重點關注的DDR5、HBM等高規格、高附加值尖端產品為中心的產品組合 。
自去年以來 ， 長鑫存儲通過發起低價攻勢 ， 在DDR4市場取得了顯著增長 。 長鑫存儲的市場份額在2020年還不足1% ，， 但去年卻迅速增長至5% 。 據市場研究公司Omdia預測 ， 長鑫存儲今年的DRAM產能預計將從去年的162萬片增至273萬片 ， 增幅達68% 。 已經追到了市場第3位的美光公司的眼皮底下 。
然而 ， 韓國企業一直在加速推進“去通用化”戰略 ， 全面對低收益產品進行結構調整 。 今年 ， 三星電子和SK海力士都大膽降低通用DRAM的比重 ， 集中進行以尖端存儲器為中心的收益結構重組 。 三星電子計劃將去年占DRAM總銷售額30%以上的DDR4比重降低至個位數 。 SK海力士還大幅擴大了HBM的產能 ， 并建立了全球首款HBM3E（第5代）的量產體系 。
問題是 ， 長鑫存儲近期在高端半導體市場也表現出了令人矚目的動向 。 雖然在尖端市場中 ， 性能、可靠性、良品率穩定性、量產性等方面還存在較大差距 ， 但如果在確保技術實力的同時 ， 發起數量攻勢 ， 必然會對韓國企業的盈利能力產生負面影響 。
事實上 ， 長鑫存儲去年年底就開始量產DDR5 ， 最近又從現有的17納米工藝轉換至最新的16納米工藝 。 該工藝與韓國企業2021年開始全面采用的10納米級第三代工藝類似 ， 技術差距已縮小至三年左右 。 HBM目前已開始量產第三代產品HBM2E ， 目前正在開發HBM3（第四代） ， 目標是今年實現量產 。
專家表示 ， 中國在尖端產品市場占據優勢需要一段時間 ， 但追趕速度非常快 。
【韓媒：中國長鑫存儲加速向高端產品轉型！】韓國電子技術研究院研究員李圭福表示 ， “長鑫存儲等中國企業確實通過提高DRAM產量對韓國國內企業構成威脅 ， 但在先進技術方面仍然存在差距 ， 因此似乎很難立即趕上 。 ”他補充道：“當務之急是穩定設計和工藝 。 這樣 ， 我們才能確保良品率 ， 保持市場優勢 。 ”

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