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我們能設計、封測3nm芯片，但制造拖后腿，壓力給到中芯國際了

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我們能設計、封測3nm芯片，但制造拖后腿，壓力給到中芯國際了

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我們能設計、封測3nm芯片，但制造拖后腿，壓力給到中芯國際了

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眾所周知 ， 目前在芯片的生產環節 ， 主要由三個部分組成 ， 分別是設計、制造、封測 。
這三個環節是相互獨立 ， 又相互依存的 ， 同時遵循木桶理論 ， 那就是其整體水平 ， 其實是取決于最弱的那一環節的 。
舉個例子 ， 能設計7nm芯片 ， 但制造在10nm ， 封測在5nm ， 那么最終水平就是10nm ， 取決于最差的那個環節 。

事實上 ， 也正是如此 ， 目前對于中國大陸而言 ， 真正卡脖子的 ， 其實是制造這一塊 ， 因為制造遠遠的落后于設計、封測了 。
先說設計這一塊 ， 小米已經設計出了3nm的芯片 ， 但由于國內制造水平跟不上 ， 所以小米的3nm芯片是委托給臺積電代工的 ， 采用的是臺積電的第二代3nm工藝 。
從性能來看 ， 小米的這顆芯片 ， 已經可以比肩蘋果的A18芯片 ， 高通的驍龍8Gen3芯片 ， 可見在設計這一塊 ， 我們確實達到了3nm的水平 。

封測就不用說了 ， 早在2022年的時候 ， 國內的封測企業就已經能夠封測3nm的芯片了 ， 并且已經有國外的客戶 ， 將3nm的芯片交給國內的企業封測 。
畢竟中國芯片封測水平可是第一梯隊的 ， 全球前10大封測企業中 ， 中國大陸有4家上榜 ， 在全球市場拿下了30%左右的份額 ， 是相當厲害的 。

而制造這一塊 ， 相比于設計、封測確實是落后很多 。
中芯國際已經是中國大陸最厲害的芯片代工制造企業了 ， 之前對外公開的是14nmFinFET工藝 ， 后來雖然不再公布 ， 而媒體據稱有N+1、N+2 ， 但據報道 ， 目前的水平大約也是等效于7nm的水平 ， 突破等效5nm都有困難 。
【我們能設計、封測3nm芯片，但制造拖后腿，壓力給到中芯國際了】可見 ， 制造是目前我們最大的短板 ， 因為制造跟不上來 ， 所以很多企業能夠設計3nm芯片 ， 但卻制造不了 ， 比如海思 。

為什么制造會更難一些 ， 因為制造需要大量的設備、材料等 ， 這些設備材料都是被限制的 ， 最典型的就是EUV光刻機 ， 它是制造7nm以下芯片必須用到的設備 ， 美國不準ASML賣給我們 。
所以說 ， 我們的芯片制造需要加油了 ， 現在的壓力給到了中芯國際了 ， 只要制造能夠和設計同頻 ， 達到3nm水平 ， 那么中國芯就啥也不怕了 。
當然 ， 中芯國際的壓力又會傳導至國產設備廠商那里 ， 只有設備突破 ， 然后中芯國際才能突破 ， 所以接下來 ， 需要整個供應鏈一起突破 。

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