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本文由半導體產業縱橫(ID:ICVIEWS)綜合
即使是1.4nm , 臺積電短期內也不會用高 NA EUV光刻機 。
臺積電聯席副首席運營官張凱文最近重申 , 公司對采用高數值孔徑EUV光刻設備持謹慎態度 , 并強調臺積電“并不急于”將這項先進技術投入量產 。 他的言論再次引發了業界對ASML耗資數十億美元的下一代光刻平臺的猜測 。
據ASML稱 , 組裝一套高數值孔徑EUV光刻系統是一項全球性的物流壯舉 。 該系統的四個主要模塊在美國、德國和荷蘭的多個地點生產 。 然后 , 這些組件被運往ASML位于費爾德霍芬的總部 , 在那里進行組裝、測試和認證——之后再進行拆卸 , 運送到亞洲或美國的晶圓廠 。 僅運輸過程就需要七架部分裝載的波音747貨機或至少25輛大型卡車 。
ASML 揭開其巨無霸的面紗:“比雙層巴士還大”
在荷蘭一家規模龐大、門庭若市的工廠里 , ASML 正在展示一臺它認為將改寫半導體制造未來的機器 。 這臺高數值孔徑 EUV 系統耗時近十年打造 , 造價超過 4 億美元 , 是迄今為止最先進 , 也最昂貴的芯片制造工具 。
ASML 最近罕見地公開透明地授予 CNBC 獨家實驗室訪問權 , 這標志著高數值孔徑 EUV 系統首次被拍攝 。 即使是 ASML 的內部團隊也很少有機會如此近距離地接觸這臺組裝完成的設備 。
高NA EUV認證團隊負責人Assia Haddou稱該系統“比一輛雙層巴士還要大” , 由四個分別在康涅狄格州、加利福尼亞州、德國和荷蘭制造的模塊化組件組成 。 最終組裝、測試和認證在費爾德霍芬進行 。 該系統的規模和復雜性使得物流本身成為一項壯舉 。
臺積電:高NA可以等待——標準EUV仍有發展空間
雖然英特爾已在其 18A 工藝節點的研發管線中部署了高 NA EUV 系統 , 但臺積電卻選擇了更為謹慎的方式 。 張凱文確認 , 即使是該公司最先進的節點——A14(1.4 納米級)和 A16(1.6 納米級)——短期內也不會使用高 NA EUV 。
張凱文在5月底的臺積電歐洲技術研討會上表示:“大家都很好奇臺積電何時會部署高NA EUV技術 。 答案很簡單:當它能帶來有意義的、可衡量的效益時 , 我們就會采用它 。 ”
在此之前 , 臺積電的工程師們正在努力擴展當前標準NA EUV系統的功能 , 延長其使用壽命并挖掘更多價值 。 SemiWiki社區將這種自信的做法描述為臺積電技術“傲慢”的體現——這是最好的詮釋 。
ASML 信心十足【4億美元ASML光刻機,臺積電不買賬】
盡管臺積電態度謹慎 , ASML 仍對高數值孔徑 EUV 光刻系統的廣泛應用持樂觀態度 。 其首席執行官 Christophe Fouquet 已獲得全球三大邏輯芯片制造商——英特爾、臺積電和三星——的訂單 , 承諾為其提供高數值孔徑 EUV 光刻系統 。 值得一提的是 , 英特爾加倍投入 , 最近在其位于俄勒岡州的研發工廠安裝了第二臺高數值孔徑 EUV 光刻系統 。 該公司報告稱 , 該設備已達到預期 , 并正在穩步推進生產準備工作 。
富凱繼續強調英特爾的重要性 , 稱盡管英特爾最近陷入困境 , 但英特爾仍是其基石客戶和維護美國半導體獨立性的關鍵參與者 。
然而 , 進入該領域的門檻仍然很高 。 迄今為止 , 全球僅交付了五臺高數值孔徑 EUV 光刻機 。 但 ASML 并未氣餒 , 預計所有現有的 EUV 客戶——包括內存巨頭美光和 SK 海力士 , 以及日本的 Rapidus——最終都將轉向高數值孔徑 EUV 。
ASML 計劃在 2025 年出貨至少 5 臺額外的高 NA 工具 , 并計劃在未來幾年將年產量擴大到 20 臺 。
亞利桑那州晶圓廠可能會加速臺積電的時間表
雖然臺積電尚未將高NA納入其主流路線圖 , 但ASML押注需求將很快實現 , 尤其是臺積電新的亞利桑那工廠 , 該工廠已正式投入量產 , 目前是美國最先進的半導體工廠 。
為了應對這一挑戰 , ASML 正在亞利桑那州建設其在美國的首個培訓中心 。 該中心計劃于 2025 年下半年投入使用 , 每年將培訓多達 1200 名 EUV 和 DUV 工程師 。 據 Fouquet 介紹 , 該中心不僅旨在支持美國的芯片制造雄心 , 也旨在培養全球人才 。
展望未來 , ASML 已在為下一個前沿領域——超數值孔徑 EUV——繪制藍圖 。 Fouquet 透露 , 初步光學設計已經完成 , 該系統的制造復雜性可能并不像人們擔心的那么高 。 他預測 , 對超數值孔徑 EUV 的需求將在 2032 年至 2035 年之間出現 。
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