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HBM4設備，開始生產

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HBM4設備，開始生產

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本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合
韓美半導體計劃于2025年下半年開始批量供應該設備 ， 以配合全球HBM制造商的生產計劃 。

韓美半導體公司今日宣布 ， 開始生產其最新的芯片封裝設備 TC Bonder 4 ， 該設備專為制造第六代高帶寬存儲器（HBM4）而設計 。
該公司計劃于2025年下半年開始批量供應該設備 ， 以配合全球HBM制造商的生產計劃 。 與目前的HBM3E相比 ， HBM4的性能提升了60% ， 而功耗僅為HBM3E的70% 。 該內存芯片最多可堆疊16層 ， 容量也得到了提升 ， 每個DRAM芯片的容量從24千兆位（GB）擴展到32千兆位（GB） 。
TC Bonder 在 HBM 制造過程中發揮著關鍵作用 ， 它通過施加熱量和壓力來固定堆疊的 DRAM 芯片 。 全新 TC Bonder 4 的精度顯著提升 ， 以滿足 HBM4 的嚴苛規格要求 ， 并升級了軟件 ， 提升了易用性 。
該公司表示 ， 已經建立了 TC Bonder 4 的量產系統 ， 以確保及時支持全球存儲器制造商推出 HBM4 ， 并補充說最新產品將有助于保持其在全球 AI 半導體市場的領先地位 。
韓美半導體最近還成立了專門團隊“Silver Phoenix” ， 由 50 多名經驗豐富的工程師組成 ， 負責支持 TC Bonder 4 系統的定制、維護和優化 。
在AI計算時代 ， HBM有著舉足輕重的地位 。 HBM是通過垂直堆疊多個DRAM芯片 ， 大幅提升數據處理速度 ， 超越傳統DRAM的能力 ， 是一種高價值、高性能的產品 。 HBM的爆火伴隨著2023年ChatGPT的出現 ， 它引發了人工智能市場的爆發式增長 。 自第一代HBM誕生以來 ， 這項技術已發展至第六代 ， 包括HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E和HBM4 。
據韓國媒體《DealSite》最新報道 ， SK海力士已率先向NVIDIA少量供貨HBM4產品 ， 標志著該工藝進入正式商用階段 ， 并有望助力NVIDIA在2025年第四季度按時推出基于Rubin架構的下一代AI加速器 。
SK海力士憑借其在HBM制造良率和工藝成熟度方面的領先優勢 ， 再次鞏固了其在HBM市場的主導地位 。 此次率先向NVIDIA供貨 ， 不僅彰顯其技術實力 ， 也可能在未來的HBM4訂單中占據絕對優勢地位 。 據業內推測 ， SK海力士未來或將獲得Rubin架構GPU中相當比例的HBM4芯片訂單 。
在此前的HBM3E競賽中 ， SK海力士就曾因高良率與量產能力成為NVIDIA的主要合作伙伴 。 此次在HBM4上的“首發”合作 ， 無疑會進一步加強雙方在AI生態系統中的綁定關系 。
而在SK海力士之后 ， 美光科技（Micron）被認為是緊隨其后的競爭者 ， 但其HBM4產品面臨良率不及預期、產線調配不足等挑戰 ， 因此整體供貨能力受到限制 。 這可能影響其短期內成為NVIDIA主要供應商的進展速度 。
三星電子方面雖尚未公布HBM4產品的良率數據 ， 但此前已獲得AMD對其HBM3E模塊的采用 ， 證明其在高帶寬內存領域仍具備一定技術競爭力 。 業內普遍認為 ， 三星憑借其全球影響力和品牌信譽 ， 可能被納入NVIDIA的HBM4“供應商池” ， 但能否實現實際出貨尚待觀察 。
HBM4將成為2026年推出的下一代數據中心和AI GPU的核心內存標準 。 根據KAIST和Terabyte的研究 ， NVIDIA的Rubin GPU將采用8個HBM4 ， 而高端的Rubin Ultra則會配備16個HBM4 。 Rubin的GPU裸片面積預計為728平方毫米 ， 單顆裸片功耗800W ， 其搭載的HBM4內存總容量可達288-384GB ， 總帶寬16-32TB/s ， 整個芯片功耗2200W 。
HBM4標準的主要技術指標令人矚目：數據傳輸速率約8Gbps ， 擁有2048個I/O接口（部分配置可達4096個） ， 單堆棧帶寬2.0TB/s ， 支持12層或16層堆棧 ， 每層裸片容量24Gb ， 使得每個HBM4模塊的容量可達36GB（12層堆棧）或48GB（16層堆棧） ， 每個HBM4模塊的功耗為75W 。 在封裝方面 ， 采用Microbump（MR - MUF）技術 ， 并配備直接芯片冷卻（D2C）液冷系統 。 同時 ， HBM4還采用了定制的基礎裸片架構 ， 集成了NMC處理器和LPDDR內存 。
AMD的Instinct MI400則更進了一步 ， 計劃提供高達432GB的HBM4內存容量 ， 內存帶寬可達19.6TB/s 。 相較于NVIDIA的Rubin ， MI400在內存容量和帶寬上的提升 ， 顯示了AMD在高性能計算領域的強勁競爭力 。
HBM4e作為HBM4的增強版本 ， 數據速率提升至10Gbps ， 單堆棧帶寬提高到2.5TB/s ， 每層裸片容量最大可達32Gb ， 對應12層或16層堆棧時 ， 內存容量為48GB或64GB ， 每個HBM4e模塊的功耗提升至80W 。 HBM4e的出現 ， 將為那些對內存性能有極致需求的應用提供更強大的支持 。
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