韓國HBM設備龍頭，被批落后_芯片

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本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合
專家指出，韓美半導體2029年的混合鍵合時間表“過于保守” 。

韓美半導體已開始量產其用于HBM4的熱壓鍵合機（TCB），旨在瞄準由AI工作負載驅動的快速擴張的高帶寬內存市場。然而，其混合鍵合路線圖的延遲引發了批評，認為其落后于行業趨勢。
TCB 4 ，瞄準HBM4需求激增隨著SK海力士、三星電子和美光計劃于2025年末提升HBM4的產量，韓美的升級版TC Bonder 4進入量產，成為一種經濟高效、高精度的工具。 TCB 4于2024年5月推出原型機，目前已準備好批量出貨，并得到了完善的生產線的支持。
HBM4的性能超越HBM3E ，數據傳輸速度提升60% ，功耗降低30% 。它支持多達16層的堆疊，每die容量從24Gb擴展到32Gb 。 TSV I/O數量翻倍至2048個，顯著提升了內存到處理器的帶寬。
【韓國HBM設備龍頭，被批落后】TCB 4在鍵合精度和結構穩定性方面進行了重大升級，以應對HBM4的復雜堆疊。軟件也得到了改進，以提供更好的用戶體驗。韓美沒有采用無助焊劑鍵合，而是改進了現有架構，以降低成本并加速市場進入。
據Hellot.net報道，韓美組建了一個名為“銀鳳凰”（Silver Phoenix）的專門團隊來支持TCB 4的推出，該團隊由50多名專家組成，專注于客戶支持、維護和下一代產品開發。
混合鍵合路線圖，太慢了？盡管韓美目前的TCB戰略使其能夠應對HBM4和HBM5的即時需求，但其針對無助焊劑和混合鍵合工具的長期路線圖引發了擔憂。根據其公布的日程：

用于HBM5的TCB 5將于2027年推出
用于HBM6的無助焊劑TCB將于2028年推出
用于HBM7的混合鍵合機將于2029年推出

行業分析師警告稱，韓美存在落后的風險，因為其荷蘭競爭對手BE Semiconductor Industries (Besi)已經從三家主要HBM供應商中的兩家獲得了混合鍵合機訂單——這清楚地表明混合鍵合的轉型正在加速。
混合鍵合主要用于實現不同芯片之間的高密度、高性能互聯。這種技術的關鍵特征是通過直接銅對銅的連接方式取代傳統的凸點或焊球（bump）互連，從而能夠在極小的空間內實現超精細間距的堆疊和封裝，達到三維集成的目的。
在混合鍵合工藝中，兩個或多個芯片的金屬層（通常是銅層）被精密對準并直接壓合在一起，形成直接電學接觸。為了保證良好的連接效果，需要在芯片表面進行特殊的處理，例如沉積一層薄且均勻的介電材料（如SiO2或SiCN），并在其上制備出微米甚至納米級別的銅墊和通孔（TSV）。這些銅墊和通孔將芯片內部的電路與外部相連，使得數據傳輸速度更快、功耗更低，同時極大地提升了芯片的集成度。
Besi的2025年第一季度報告證實了與HBM4相關的混合鍵合機訂單，標志著從邏輯到內存應用的轉變。據報道， Besi和韓國的韓華半導體都在競相開發無助焊劑TCB工具，旨在從SK海力士等主要廠商那里獲得合同。
The Elec報道稱， Besi和ASMPT也正在量產無助焊劑鍵合工具，據稱美光已經收到了來自Besi的此類設備。
一位半導體封裝專家在Greened.kr上表示，韓美2029年的混合鍵合時間表“過于保守” ，并指出全球競爭對手已經在使用該技術。
韓美半導體，戰略性延遲？韓美可能正在刻意放慢腳步。今年1月，該公司在仁川動工建設其第七工廠，該工廠此后已被重新歸類為僅用于混合鍵合的工廠。該設施將作為未來鍵合平臺的研發和客戶驗證中心。
一位業內人士認為，延遲可能是戰略性的，因為JEDEC放寬了HBM4堆疊高度標準，這給了內存制造商延長使用TCB方法的余地，為韓美贏得了優化性能和降低成本的時間。
即便如此，如果內存制造商加速采用混合鍵合來解決未來HBM節點中的散熱和堆疊挑戰，韓美對升級后的傳統技術的依賴可能會損害其長期優勢。
韓美半導體成立于1980年，長期以來專注于半導體后道工藝（封裝）設備的研發與生產。其核心產品涵蓋了熱壓鍵合、晶圓級封裝設備、引線鍵合機等，尤其在先進封裝領域，韓美半導體以其在垂直堆疊和精密連接方面的技術實力而聞名，已成為全球重要的供應商之一，服務于各大存儲器廠商和晶圓代工廠。
Be Semiconductor是全球半導體和電子行業半導體組裝設備的領先供應商，以低擁有成本提供高水平的精度、生產力和可靠性。
BesiBesi為鉛框、基板和晶圓級封裝應用開發領先的組裝工藝和設備，涵蓋廣泛的終端用戶市場，包括電子、移動互聯網、計算機、汽車、工業、LED和太陽能等。客戶主要是領先的半導體制造商、組裝分包商以及電子和工業公司。
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