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REDMI K90系列再曝，兩個處理器版本

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【REDMI K90系列再曝，兩個處理器版本】REDMI K90系列再曝，兩個處理器版本

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REDMI K90系列再曝，兩個處理器版本

不久前 ， 小米人車家全生態發布會中 ， 全新的REDMI K80 至尊版正式發布亮相 。 隨著時間的推進 ， 關于更下一代的REDMI手機產品也出現了新的爆料信息 。近日 ， REDMI K90系列現身了數據庫 。 結合認證信息來看 ， REDMI K90系列將帶來REDMI K90和REDMI K90 Pro兩款機型 。 其中 ， REDMI K90型號為2510DRK44C ， 代號Annibale ， 搭載高通驍龍8 Elite（驍龍8至尊版）處理器； REDMI K90 Pro型號25102RKBEC ， 代號Myron ， 搭載高通驍龍8 Elite 2（第二代驍龍 8 至尊版）處理器 。 參考來看 ， 驍龍8 Elite 2的頻率將會進一步提升 ， 高頻版可以達到5.3GHz 。 沿用高通驍龍8至尊版的 CPU 集群設計 ， 依然采用2顆超大核+6顆性能核的8核心配置 。 采用第二代自研Oryon CPU架構 ， Adreno 840 GPU性能設定也很高 。基于此 ， 新一代的REDMI K90 Pro性能表現應該也會進一步升級 。 與此同時 ， 博主@數碼閑聊站 最近的一份爆料中提到 ， “之前說過子系迭代也在評估OV50Q ， 50Mp 1/1.3\" LOFIC QPD V3 ， 支持平滑幀過渡和超級幀合成 ， 提高對焦速度 ， 優化高動態范圍 ， 降低功耗 ， 年底一波子系影像越級 ， 全員上潛望鏡~” 爆料中沒有提到詳細的產品系列信息 ， 但相關推測認為其指代的應該是新一代的REDMI K90 系列 。 據悉 ， LOFIC 技術全稱是 Lateral OverFlow Integration Capacitor ， 橫向溢出積分電容技術 ， 其基本原理就是在手機影像傳感器的每個光電二極管放置一個高密度電容 ， 用來收集原本有可能因為飽和而溢出的光電子 。當光電二極管轉化的光電子數量超過原本能承載的最大限度時 ， 多余的光電子就會流到相鄰的電容里 ， 而不會因為溢出被“過曝”掉 ， 這就讓拍攝場景中的高光信息 ， 更好地被傳感器保留下來 。去年 的 榮耀 Magic6 系列 中就搭載了基于LOFIC橫向溢出集合電容技術的影像傳感器 ， 實現15EV動態范圍 。 同一位博主的爆料還提到過 ， “獨家信息 ， 子系新開一塊6.59\"±2K LTPS純直屏 ， 顯示精細度應該爆表了 ， 同樣是旗艦新基材和新技術 ， 全新大R角窄邊框闊屏設計”“子系下一代Pro確定上一顆50Mp潛望長焦 ， 大光圈有微距 ， 你們期待的2K直屏驍龍8E2全能機+1”等信息 。相關推測 同樣 認為其有可能 指代的 是 REDMI K90 系列 。 就此來看 ， REDMI K90 系列有望配備6.59英寸左右的直屏 ， 帶來屏幕和顯示效果的新升級 。 REDMI K90 Pro 則有望采用5000萬像素潛望長焦鏡頭 ， 大光圈 ， 支持微距 ， 還將配備一塊2K直屏 。 綜合來看 ， 后續的REDMI K90 系列手機將會帶來多方面的產品升級 。 而這是否會帶來REDMI K系列產品的定價提升也令人關注 。當然 ， 鑒于距離其正式發布還有著一段時間 ， 實際情況如何還有待后續驗證 。

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