1. 首頁 > 生活百科 > >

國產雄起！長江存儲卡住了三星、SK海力士存儲芯片的脖子

中國聯通esim

國產雄起！長江存儲卡住了三星、SK海力士存儲芯片的脖子

文章圖片

國產雄起！長江存儲卡住了三星、SK海力士存儲芯片的脖子

文章圖片

國產雄起！長江存儲卡住了三星、SK海力士存儲芯片的脖子

目前在全球的NAND存儲領域 ， 三星、SK海力士這兩家是真正的霸主 ， 三星全球第一、SK海力士全球第二 ， 這兩家合計份額高達50%左右 。
而長江存儲作為NAND領域的后起之秀 ， 說實在話 ， 不管是在市場份額 ， 還是在技術上 ， 與三星、SK海力士等相比 ， 還是有一定差距的 。

但是 ， 尷尬的事情來了 ， 現在的三星、SK海力士 ， 卻偏偏在NAND這種存儲芯片上 ， 被長江存儲卡住了了脖子 。
事情的原委究竟是什么樣的呢？
我們知道NAND閃存芯片 ， 在追求技術先進時 ， 是不能只靠微縮工藝比如5nm、3nm來進行的 ， 因為存儲芯片進入18nm后 ， 再微縮就非常不穩定 ， 容易造成數據丟失等風險 。

所以存儲芯片部分 ， 大多到了18nm或15nm之后 ， 就不再微縮工藝了 。
【國產雄起！長江存儲卡住了三星、SK海力士存儲芯片的脖子】但工藝不微縮 ， 存儲密度、存儲速度怎么加快？目前的主流做法是兩步 ， 一是將芯片進行堆疊 ， 設計成128層 ， 232層 ， 400層這樣的 ， 類似于建高樓 ， 越高住的人越多 ， 存儲的東西越多 。
然后將存儲部分 ， 和接口電路部分分開 ， 存儲部分不能微縮工藝 ， 但是外部的接品電路部分 ， 是可以用5nm、3nm這樣工藝的 ， 讀寫速度更快 。

但存儲部分、外部接口電路部分分開后 ， 就又需要將這兩部分聯系在一起 ， 這種技術叫做【混合鍵合】技術 ， 所以這項技術 ， 已經是NAND存儲芯片繞不開的技術了 。
過去的這幾年 ， 混合鍵合技術高速發展 ， 自2019 年以來 ， 混合鍵合相關專利的數量增加了四倍多 ， 而臺積電、Adeia 和長江存儲是混合鍵合 IP 的領先者 。
臺積電這方面的專利主要集中在 2.5D 和 3D IC 應用 ， 用于其自身的芯片制造、封裝等 。

而長江存儲的混合鍵合技術專利 ， 則主要集中在存儲芯片領域 ， 涉及NAND、DRAM 和 SRAM 。 包括邏輯和存儲器芯片的混合鍵合 ， 以及圍繞鍵合層的外圍電路集成 ， 長江存儲將這種技術稱之為“Xtacking”（晶棧） 。
數據顯示 ， 從2017 年至 2024 年 1 月期間 ， 長江存儲共披露了 119 項混合鍵合相關專利 ， 而三星僅披露了 83 項專利 ，SK 海力士只披露了 11 項 ， 兩者合計都沒有長江存儲一家多 。
所以為了發展NAND存儲芯片 ， 三星已從 YMTC 獲得混合鍵合專利， 以制造其下一代NAND 閃存芯片 ， 機構預計 SK 海力士也將尋求達成類似的協議 ， 畢竟長江存儲的專利被認為是不可避免的 ， 三星們無法繞開 。

可見 ， 這次中國企業長江存儲 ， 雖然作為后者之秀 ， 但是真的在技術上 ， 卡住了三星、SK海力士的脖子了 ， 這也證明 ， 中國企業在芯片上一樣能行的 。

    推薦閱讀