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三星、SK海力士們要慌？國產HBM3突破，已供貨給華為了

芯片華為三星sk海力士

三星、SK海力士們要慌？國產HBM3突破，已供貨給華為了

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三星、SK海力士們要慌？國產HBM3突破，已供貨給華為了

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HBM芯片是什么？其實是DRAM的一種 ， 但又是一種特殊的 ， 基于3D堆棧工藝的圖形DDR類型DRAM技術 ， 它比大家常見的DDR內存更強大 。
強大體現在兩個方面 ， 一是速度更快 ， 由于采用堆棧式 ， 所以讀寫速度比DDR內存更快 。 同時存儲密度更高 ， 同樣體積下 ， 容量更大 。

所以HBM內存 ， 目前為了AI芯片的標配 ， 因為AI芯片需要更大容量 ， 更快的讀寫速度 。
同時HBM內存 ， 也發展了三代 ， 從HBM到HBM2 ， 再到如今的HBM3 ， 而目前整個HBM市場 ， 也被三星、SK海力士、美光這三大企業壟斷 。
其中SK海力士一家就占了70%以上的份額 ， 三星、美光合計在30%左右 。

至于中國企業 ， 在HBM這一塊 ， 確實相對起步晚一些 ， 所以技術也遜色一些 ， 之前都無法生產HBM3內存 ， 因為技術較先進 ， 無法實現 。
但近日 ， 有媒體報道稱 ， 國內內存企業長金 ， 已經生產出了HBM3樣品 ， 并且目前已向華為供應 ， 進行驗證測試 ， 接下來即將量產 。

而華為則將這樣的HBM3芯片 ， 用于AI芯片中 ， 比如昇騰等AI芯片 。
【三星、SK海力士們要慌？國產HBM3突破，已供貨給華為了】這意味著什么 ， 有兩層意思 ， 一是意味曾經的HBM三巨頭 ， 可能要變成四巨頭 ， 原本被三巨頭壟斷的市場 ， 會有中國自己的聲音出來了 。
另外還有就是以前美國限制HBM技術流入中國 ， 想要對中國HBM技術進行封鎖 ， 如今我們自己有了 ， 封鎖也就成了廢紙 。

當然 ， 按照媒體的報道 ， 上產HBM3內存 ， 采用的是16nm工藝 ， 基于“G4”存儲工藝 ， 只有8層堆疊 ， 帶寬約為6.4Gbps 。 比SK海力士的HBM3落后一些 ， SK海力士HBM3采用的是12層工藝 ， 帶寬高達9.6Gbps 。
但是 ， 雖然技術上稍有落后 ， 卻足以滿足當前國內的市場需求了 ， 至少能夠讓別人卡不住我們的脖子 ， 只要我們努力 ， 后續還會提升 。
機構預測 ， 隨著HBM3內存量產 ， 長鑫在整個DRAM內存市場的份額 ， 會從今年的7%增長至2027年的10% ， 然后更多的搶占三星、美光、SK海力士的份額 ， 全球內存三巨頭 ， 可能會變成四巨頭 。

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