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雙檔EXPO旗艦發燒內存 佰維DW100 OC LAB聯名款DDR5測評

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雙檔EXPO旗艦發燒內存 佰維DW100 OC LAB聯名款DDR5測評

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AMD銳龍9000系列對高頻內存的支持進一步加強 ， 各家主板廠商推出的新一代主板也能更好的支持8000MT/s以上的內存 ， 支持8000MT/s EXPO的內存就再次成為了玩家們選購的焦點 。 這次我們就一起來看一下佰維DW100 OC LAB聯名款雙檔EXPO內存的表現 。
旗艦發燒DDR5套裝 ， 10層PCB特挑ADie顆粒
佰維DW100 OC LAB聯名款雙檔EXPO內存（OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5）采用了黑金配色 ， 和普通的DW100系列有明顯的區別 。 它整體為黑色啞光散熱裝甲 ， 以金色紋理和文字加以點綴 ， 神秘中充滿了高端感 。

內存頂部則是光污染玩家喜愛的燈帶 ， 其擁有8個區域的1680萬色可編程RGB燈光 ， 具有超過10組燈效模式 ， 能夠支持華碩、技嘉、微星、華擎等主流主板廠商的燈光同步 。 玩家們可以充分自定義設置 ， 打造統一的動態視覺效果 。


佰維DW100 OC LAB聯名款雙檔EXPO內存擁有10層PCB ， 帶來更好的抗干擾性能 ， 提供更加穩定的電氣性能 ， 為超頻打下良好基礎 。 它采用不鎖電壓PMIC設計 ， 可根據玩家需求動態調節電壓 ， 帶來更好的超頻體驗 。 散熱裝甲則采用了創新的三翅片散熱設計 ， 保證內存在高頻下依舊能控制在一個合理的溫度 ， 進一步提高高頻使用時的穩定性 。

該內存采用了特挑的海力士A-Die顆粒 ， 具備優秀的超頻性能 。 它是全球首款量產上市的雙檔EXPO配置內存 ， 也就是說其具備了兩組EXPO認證配置 ， 分別對應8000MT/s和6400MT/s兩個檔位 。 這條聯名內存有DDR5-8000 CL34和DDR5-8000 CL36兩種不同的規格供玩家選擇 ， 兩者的高頻EXPO配置略有不同 ， 低頻EXPO配置則保持一直 ， 具體如下：
DDR5-8000 CL34：
8000MT/s EXPO時序CL34-46-46-108
6400MT/s EXPO時序CL28-38-38-76
DDR5-8000 CL36：
8000MT/s EXPO時序CL36-46-46-108
6400MT/s EXPO時序CL28-38-38-76
本次體驗測試的是是其中高頻8000MT/s CL36的版本 。 這樣的雙檔EXPO讓玩家使用起來更加靈活 。 對于AMD平臺的游戲玩家來說 ， 6400MT/s是一個甜點頻率 ， 這個內存頻率下大多數玩家的AMD CPU都能使用UCLK=MCLK的同步模式 ， 而CL28則又能很好的降低延遲 ， 帶來比較優秀的游戲性能 。 同時 ， 如果玩家的的CPU體質不那么好或者主板內存支持不那么完善 ， 無法跑到8000MT/s這種高頻率下時 ， 也能有一個不錯的內存性能體驗 。

8000MT/s則能在一定程度上提升帶寬 ， 在部分需要高內存帶寬的生產力應用中帶來一些性能上的加成 ， 不過由于在高頻下只能使用UCLK=MCLK/2的異步模式 ， 所以延遲方面通常比較吃虧 。 但是因為佰維DW100 OC LAB聯名款雙檔EXPO內存在8000MT/s下的EXPO設置將CL值也降到了34/36 ， 所以總體來看并不會比6400MT/s的設置下游戲性能差太多 ， 而高頻率對于部分需求高頻率的游戲來說 ， 也能提升一定的游戲性能 。
容量方面 ， 該內存為DDR5套條 ， 單條16GB ， 套裝為雙條 ， 組成16GB×2的32GB組合 ， 足夠滿足游戲玩家日常使用的需要 。

雙檔EXPO配置 ， 低延遲高帶寬全都有
我們對該內存進行了實測 。 因為AMD CPU I/O Die的關系 ， 單CCD和雙CCD的CPU內存性能并不一致 ， 單CCD的CPU在讀寫性能上會明顯落后于雙CCD的CPU ， 所以我們分開進行了測試 。 另外 ， 因為CPU體質和主板內存超頻能力等原因 ， 會對內存讀寫性能、延遲和超頻能力有一定的影響 ， 所以以下結果僅供參考 ， 特別是超頻測試 。

測試平臺：
內存：佰維DW100 OC LAB聯名款雙檔EXPO內存
DDR5 8000MT/s CL36 16GB×2
CPU：AMD 銳龍5 9600X
AMD銳龍9 9900X
AMD 銳龍9 9950X
主板：ROG CROSSHAIR X870E HERO


我們使用AIDA64對該內存進行了讀寫性能的測試 。 首先來看看CPU為單CCD的銳龍5 9600X的表現 。 可以看到在默認的5600MT/s CL46下 ， 無論是讀寫還是延遲的表現都比較一般 。 加載6400MT/s CL28的EXPO設置后 ， 可以看到無論是讀寫性能還是延遲表現都有了大幅的提升 ， 其中延遲直接降低了25% ， 這對延遲敏感的游戲來說提升會非常明顯 ， 所以大家拿到內存以后一定要在BIOS開啟EXPO設置 ， 不然就是花了錢卻沒有享受到應有的性能 。 不過因為主板默認小參調教等原因 ， 加載8000MT/s的EXPO設置后相比6400MT/s EXPO設置時沒有提升 ， 還略微降低了一點 。
我們也嘗試了超頻 ， 在簡單的設置并對小參進行調整后 ， 內存頻率可以進一步提升到8200MT/s ， 延遲則還能進一步降低到CL34 。 此時的內存讀寫性能有了比較明顯的提升 ， 但受限于CPU是單CCD ， 依舊沒能跑滿 。 延遲為66.7ns ， 相比6400MT/s同步模式下進一步降低 。


再來看看該內存在雙CCD的CPU銳龍9 9900X的下的表現（選擇銳龍9 9900X是因為我們手里的這顆比銳龍9 9950X的IMC體質要好 ， 內存超頻更容易一些） 。 可以看到在6400MT/s的EXPO設置下 ， 相比5600MT/s的默認設置在讀寫性能和延遲方面就已經有了大幅的進步 ， 讀取提升了39% ， 寫入提升了34% ， 復制提升了32% ， 延遲降低了29% ， 雙CCD的CPU確實能帶來更好的內存性能釋放 。 加載8000MT/s的EXPO設置后相比6400MT/s EXPO設置時表現基本一致 ， 特別是大家關心的異步狀態下的延遲表現 ， 因為有著CL36的時序 ， 所以和6400MT/s下幾乎沒有差別 。
我們同樣對其進行了超頻和調整小參 。 經過簡單的嘗試 ， 在提升頻率的同時降低時序 ， 該內存可以跑到8200MT/s CL34 ， 而如果時序保持CL36不變 ， 則可以將頻率提升到8400MT/s 。 從測試來看 ， 這對內存應該是可以跑到8400MT/s CL34的 ， 但是需要更多更細致的超頻調整 。
超頻后的讀寫性能得到了進一步提升 。 可以看到在8200MT/s時 ， 讀取和寫入性能都已經超過了100000MB/s ， 提升非常明顯 。 而此時的延遲則進一步降低 ， 已經低于6400MT/s CL28了 。 而頻率提升到8400MT/s時 ， 相比8200MT/s在讀寫性能上還能再提升一點 ， 不過不是太多 ， 雖然此時的時序漲到了CL36 ， 但因為頻率也提升了200MT/s ， 所以綜合下來延遲相較于8200MT/s時還低了一點 。
最后我們使用銳龍9 9950X在7Zip中進行了Benchmark測試 ， 由此來看看高頻率高帶寬在實際軟件環境中的表現 。

從測試可以看到 ， 隨著內存頻率的提升 ， 7Zip的跑分也隨之提升 ， 特別是對壓縮性能的提升相對較大一些 。
總結：表現優秀 ， 兼顧高頻與低延遲的雙重需求
【雙檔EXPO旗艦發燒內存 佰維DW100 OC LAB聯名款DDR5測評】作為業界首款同時搭載8000MT/s CL36與6400 MT/s CL28雙EXPO配置的旗艦發燒級內存 ， 佰維DW100 OC LAB聯名款雙檔EXPO內存很好的平衡了AMD平臺內存的選擇困境 ， 玩家無需在低延遲和高頻率高帶寬中作出妥協 ， 可以很好的實現兩者兼顧 。 而雙檔EXPO設置 ， 也能更好的適配不同玩家的平臺 ， 兩檔EXPO配置對于不想動手想省心的玩家來說 ， 可以方便的選擇自己想要的甜點頻率 ， 一鍵開啟高性能表現 。 而10層PCB加特挑ADie顆粒 ， 也讓有動手能力的玩家能夠更輕松的挑戰超頻極限 。 總的來說 ， 該內存是發燒玩家值得關注的選擇 。

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