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全球存儲技術多賽道迭代，HBM、CXL、HBF等集體 “狂飆”

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text":"在AI算力爆發、移動終端性能升級、數據中心存儲需求激增的多重驅動下 ， 全球存儲產業正迎來技術迭代的密集期 。 內存作為數據處理與傳輸的核心樞紐 ， 其性能直接決定了終端設備、服務器及AI加速器的運行效率 。 當前 ， HBM的帶寬競賽、DDR5的產能擴張、LPDDR6的標準落地、GDDR7的圖形性能突破、HBF的閃存革新以及CXL的架構重構 ， 共同構成了存儲技術創新的核心版圖 。 全球存儲廠商憑借各自的技術積淀與戰略布局 ， 在不同技術賽道上展開一場激烈角逐 。 HBM成為筑牢AI算力根基的關鍵高帶寬內存（HBM）通過3D堆疊技術 ， 在極小的物理空間內實現了超高帶寬和低功耗 ， 已成為AI加速器和HPC芯片不可或缺的核心組件 。 01、HBM3E出貨熱潮涌動 ， 存儲大廠“三國殺”正酣HBM3E DRAM是解決AI算力瓶頸的關鍵存儲器技術 ， 憑借超過1TB/s的總線速度 ， 成為NVIDIA、AMD、Intel新一代AI芯片（如NVIDIA H200/B100/B200、AMD MI350X）必備元件 。 作為HBM市場的先行者 ， SK海力士在HBM3E的研發和量產上表現突出 ， 早在2024年便成為業界首家實現HBM3E量產驗證的企業 ， 向NVIDIA供貨；隨后9月 ， 正式宣布12層36GB HBM3E已量產 。 2025財年第二季度的財務報告中 ， SK海力士表示公司已經具備HBM3E產品的量產能力 ， 并計劃在全年繼續擴大HBM3E的供應規模 。 根據美光科技2025財年第二季度財報會議紀要 ， 其HBM3E 8H已成功應用于英偉達的GB200平臺 ， 而12層堆疊的HBM3E 12H則將應用于GB300 。 美光在2025財年第二季度已開始向其第三大HBM3E客戶批量出貨 ， 并預計未來將增加更多客戶 。 公司樂觀預測 ， 2025財年HBM收入將達到數十億美元 。 今年9月下旬 ， 韓國多家媒體引述業內人士消息透露 ， 三星正式通過英偉達HBM3E 12層芯片質量認證測試 ， 將成第三家向英偉達提供HBM3E 12層產品的公司 。 預計不久后開始供應高階存儲器芯片 ， 并有望打入下一代HBM4競爭鏈 ， 縮小與SK海力士、美光在第六代高帶寬存儲器HBM4競爭的差距 。 02、HBM4標準落地 ， 原廠開啟新角逐隨著JEDEC于2025年4月正式發布HBM4標準 ， 明確采用2048位接口、8Gb/s傳輸速率 ， 總帶寬突破2TB/s ， 并引入1.1V/0.9V低電壓選項 ， 下一代HBM技術競賽正式拉開帷幕 。 當前HBM4市場中主要有SK海力士、三星和美光三位核心玩家 。 隨著英偉達透露預計明年一季度完成HBM4質量驗證 ， 并于下半年敲定Rubin系列供應商及訂單量 ， 各家HBM4布局加速 。 SK海力士具有先發優勢 。 2025年3月 ， SK海力士宣布出貨全球首款12層HBM4樣品 ， 計劃在2026年下半年實現12層HBM4產品的量產；8月的FMS 2025展會上 ， SK海力士展示了12層HBM4樣品；9月 ， SK海力士宣布已成功完成面向AI的超高性能存儲器新產品HBM4的開發 ， 并在全球首次構建了量產體系 。 據悉 ， 這次全新構建量產體系的HBM4采用了較前一代產品翻倍的2048條數據傳輸通道（I/O） ， 將帶寬擴大一倍 ， 同時能效也提升40%以上 。 三星方面 ， 根據韓媒9月的報道 ， 三星正加速推進京畿道平澤第五工廠（P5）的建設復工 ， 旨在搶占新一代高帶寬內存（HBM）的先發產能 。 業界指出 ， 三星未來有望向英偉達供應第五代HBM3E產品 ， 之后將加速開發第六代HBM4 。 美光則在2025財年第四季度及全年業績電話會議上確認 ， 已向客戶交付12層堆疊的HBM4樣片 。 同時 ， 美光CEO Sanjay Mehrotra確認美光下一代HBM4內存將于2026年推出 ， 性能將超越現行的JEDEC HBM4基礎規范 。 此外 ， 美光任命臺積電前董事長劉德音加入其董事會 ， 以加速其HBM4的研發進程和市場布局 。 CXL：數據中心內存架構的重塑力量進入2025年下半年 ， Compute Express Link(CXL)技術已不再是前沿概念 ， 而是成為重塑數據中心和高性能計算內存架構的關鍵力量 ， 商業化進程加速 。 CXL是一種基于PCIe物理層的高速、開放式互連協議 ， 旨在解決長期困擾計算行業的“內存墻”問題 ， 即處理器性能增長速度遠超內存帶寬和容量增長的瓶頸 。 在人工智能（AI）、機器學習和大數據分析等內存密集型應用需求的驅動下 ， 傳統服務器架構中內存容量、帶寬和成本的矛盾日益突出 。 CXL技術的出現 ， 為構建更靈活、高效且經濟的內存層次結構提供了可行的路徑 。 作為較早布局CXL的企業之一 ， 三星在2021年推出了支持CXL的內存原型 ， 2023年推出了第二代并支持512GB內存模塊 ， 目前已實現基于DDR5的CXL 2.0內存擴展模組的規模化量產 。 三星電子副總裁、Memory事業部首席技術官Kevin Yoon在演講中透露 ， 隨著CXL 3.0時代到來 ， 三星正開發支持多服務器實時內存共享的新型設備 ， 計劃于2026年推出兼容CXL 3.1與PCIe Gen 6.0的CMM-D解決方案 ， 未來更將實現近內存處理引擎等全功能支持 ， 進一步提升數據中心的靈活性與擴展性 。 此外 ， 在8月的FMS 2025展會演講中 ， 三星電子宣布計劃于今年下半年發布CXL新產品 。 同時強調CXL內存和HBM技術的進步將進一步提升AI模型的性能 ， 并指出CXL內存擴展技術正在成為一種頗具前景的替代方案 。 今年9月1日 ， 瀾起科技宣布推出基于CXL?3.1 Type 3標準設計的內存擴展控制器(MXC)芯片M88MX6852 ， 并已開始向主要客戶送樣測試 。 根據介紹 ， 瀾起科技CXL 3.1內存擴展控制器采用PCIe?6.2物理層接口 ， 支持最高64GT/s的傳輸速率(x8通道) ， 并具備多速率、多寬度的兼容能力 ， 可靈活拆分為2個x4端口 ， 以滿足不同應用場景的需求 。 芯片內置雙通道DDR5內存控制器 ， 支持速率高達8000MT/s ， 顯著提升主機CPU與后端SDRAM或DIMM模塊之間的數據交換效率 。 SK海力士在今年4月宣布成功完成CMM（CXL Memory Module）-DDR5 96GB（千兆字節）產品的客戶驗證 ， 是基于CXL 2.0標準的DRAM解決方案產品 。 除CXL DRAM研發外 ， SK海力士還積極致力于CXL生態系統的擴展 。 公司自主研發了針對該產品優化的軟件異構存儲器軟件開發套件（HMSDK） ， 并于去年9月成功將其應用于全球最大的開源操作系統Linux ， 從而顯著提升了基于CXL的系統性能 。 存儲大廠聯手 ， 共推HBF高帶寬閃存標準高帶寬閃存（HBF）是閃迪專為AI領域設計的新型存儲器架構 。 它通過堆疊NAND閃存芯片與邏輯芯片集成 ， 旨在填補DRAM與傳統閃存之間的性能鴻溝 ， 成為讀取密集型AI推理場景的理想選擇 。 目前該技術處于早期研發階段 。 今年2月 ， 閃迪率先提出HBF概念并宣布正在開發HBF技術 ， 閃迪將其定位為\"結合3D NAND容量和HBM帶寬\"的創新產品 。 7月 ， 閃迪宣布成立技術顧問委員會 ， 以指導其開創性HBF內存技術的發展和戰略 。 委員會由行業專家和閃迪內部及外部的高級技術領導組成 ， 將提供戰略指導、技術見解和市場觀點 。 今年8月 ， 閃迪宣布與SK海力士簽署諒解備忘錄 ， 雙方將共同制定HBF技術規范 ， 并推動標準化 。 閃迪的目標是在2026年下半年推出HBF存儲器樣品 ， 首批采用HBF的AI人工智能推理設備樣品預計將于2027年初上市 。 閃迪表示 ， HBF技術基于NAND閃存設計 ， 提供與傳統高帶寬內存（HBM）類似的帶寬 ， 同時容量可提升8到16倍 ， 最高可達768GB ， 成為AI推理工作負載的理想選擇 。 與依賴DRAM的傳統HBM不同 ， HBF通過部分替代內存堆棧 ， 犧牲了微弱的原始延遲 ， 但在容量和能效方面實現了顯著提升 。 NAND閃存的非易失性特性使得HBF在斷電后仍能保留數據 ， 進一步降低了能耗 。 LPDDR5X的主流化與LPDDR6的商業化低功耗雙倍數據率內存（LPDDR）是移動設備的核心存儲組件 ， 隨著AI手機、折疊屏終端與車載智能系統的興起 ， LPDDR5X已成為當前主流 ， LPDDR6則加速進入商業化準備階段 ， 在帶寬與能效上實現新突破 。 LPDDR5X采用先進制程 ， 如三星新推出的LPDDR5X基于12nm級工藝 ， 數據處理速度最高可達10.7Gbps ， 相比上一代功耗效率提高了25% 。 SK海力士計劃從2025年底開始轉向1c LPDDR5X的量產體系 。 美光在今年6月宣布已開始出貨全球首款采用1γ（1-gamma）制程節點的LPDDR5X內存認證樣品 ， 速率達到10.7 Gbps ， 并可節省高達20%的功耗 。 LPDDR5X已進入規模化供貨階段 ， 產能逐步擴大 ， 需求受AI PC、5G手機、車規級終端驅動 ， TrendForce集邦咨詢預估今年第四季LPDDR5X價格仍將維持上揚走勢 。 LPDDR6作為LPDDR5X的繼任者 ， 數據速率上有著大幅提升 。 今年7月 ， JEDEC正式發布LPDDR6標準 ， 為了實現AI應用程序和其他高性能工作負載 ， LPDDR6采用了雙子通道架構 ， 允許靈活操作 ， 同時保持32字節的精細訪問粒度 。 此外 ， 與LPDDR5相比 ， LPDDR6使用電壓更低、功耗更低的VDD2電源運行 ， 并要求為VDD2提供雙路電源供電 。 三星電子設備解決方案（DS）部門副董事長全永鉉表示 ， 三星將在2025年下半年采用第六代“1c DRAM”工藝 ， 開始量產下一代LPDDR6內存 ， 并計劃向高通等科技巨頭供貨 。 今年7月 ， 全球三大EDA巨頭之一的Cadence宣布完成業內首個LPDDR6/5X內存IP系統解決方案的流片 。 該解決方案運行速率高達14.4Gbps ， 比上一代LPDDR DRAM快50% ， 并針對AI等客戶應用進行了優化 ， 適用于AI、移動、消費電子、企業HPC和云數據中心等市場 。 GDDR7：圖形與AI計算顯存的性能飛躍GDDR（Graphics Double Data Rate）是專門為需要極高并行數據吞吐量的應用（如圖形渲染、AI計算）而設計的顯存 。 JEDEC于2024年3月正式發布了GDDR7圖形內存標準 ， 隨著游戲、AI推理與專業可視化需求的增長 ， GDDR7憑借更高帶寬與能效成為新一代GPU的標配 ， 全球存儲廠商正加速產能布局 。 據韓媒報道 ， SK海力士已著手推進基于10納米級第六代（1c）DRAM的GDDR7生產 ， 最快將于今年底在韓國利川M16廠開始量產 ， 并于明年起全面擴大供應 。 9月10日 ， 英偉達推出了一款叫Rubin CPX的GPU ， 該GPU沒有沿用以往常用的HBM內存 ， 而是選擇了成本更低的GDDR7 。 Rubin CPX主要負責AI推理的預填充階段 ， GDDR7的帶寬和延遲能夠滿足需求 ， 同時還能降低成本 。 此外 ， 據Wccftech報道 ， 英偉達已經要求三星將GDDR7產量翻倍 ， 額外的訂單將用于新款AI加速器 。 目前增產準備工作已經完成 ， 預計搭載GDDR7的RTX PRO 6000D會在今年下半年推出 ， 搭載的GPU芯片采用4nm工藝制造 ， 可提供1100GB/s的雙向帶寬 ， 旨在提供接近于HBM級別的性能 。 美光的GDDR7產品聚焦高性能與高可靠性 ， 采用PAM3信號技術 ， 單針速率可達32Gb/s ， 整體系統帶寬約為1536GB/s ， 設備平均功耗約為4.5pJ/bit ， 處于行業領先水平 。 2025年第二季度 ， 美光16Gb GDDR7已開始向英偉達提供小批量樣片 ， 用于測試與驗證 。 結語當前全球內存技術正處于“多賽道并行迭代”的關鍵階段 ， AI算力需求與終端設備升級是核心驅動力 。 從HBM以3D堆疊技術突破帶寬瓶頸、成為AI芯片標配 ， 到CXL通過架構重構破解“內存墻”、推動數據中心內存池化；從HBF以NAND閃存特性填補性能鴻溝、聚焦AI推理場景 ， 到LPDDR與GDDR分別針對移動/車載、圖形/AI推理優化——技術創新已呈現“場景化細分”特征 。 頭部廠商的戰略布局也在進一步加劇競爭 ， 未來 ， 隨著JEDEC標準持續完善（如HBM4、LPDDR6）與生態協同深化 ， 內存技術將更緊密貼合AI、數據中心、智能終端的需求 ， 同時推動全球存儲產業格局向“技術驅動型”加速演進 。 "

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