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三星平澤P4工廠,轉向1c DRAM生產(chǎn)

三星平澤P4工廠,轉向1c DRAM生產(chǎn)

三星將繼續(xù)投資其平澤園區(qū)的P4產(chǎn)線 , 將該設施從晶圓代工轉換為1c DRAM生產(chǎn) 。 最新月產(chǎn)能估計為80000片晶圓 。 此外 , 先前推遲的P2產(chǎn)線預計將在2026年作為晶圓代工產(chǎn)線恢復投資 。
據(jù)報道 , 三星將從2025年11月開始正式啟動平澤工廠P4潔凈室的建設 。 P4的建設在2024年中期暫停 , 但在2025年第三季度恢復了投資 , 現(xiàn)在將開始設備安裝 。 P4最初被指定為晶圓代工產(chǎn)線 , 但最新計劃是引入1c DRAM工藝技術 。
P4是三星在韓國平澤建設的第四座大型半導體工廠 , 由四個階段組成 。 P1目前是NAND閃存和DRAM的混合工廠 , 而P3正處于完工的最后階段 。
此前市場預測 , 三星從2026年上半年開始 , 每月可確保約60000片1c DRAM新產(chǎn)能 。 然而 , 最新信息顯示 , 該公司現(xiàn)在計劃將P4的1c DRAM月產(chǎn)能擴大到80000片晶圓 。
韓國報道還顯示 , 三星的1c DRAM已經(jīng)滿足了英偉達(Nvidia)的性能要求 。 三星預計將完成最終客戶樣本的內部可靠性測試(PRA) , 并將其發(fā)送給英偉達進行GPU集成驗證 。 如果一切按計劃進行 , 預計產(chǎn)品將在2026年下半年開始出貨 。
P2產(chǎn)線的計劃尚未最終確定 , 但已被討論定位為專用晶圓代工空間 , 并可能在2026年中期開始投資 。
三星的晶圓代工部門已經(jīng)確保了使用2nm工藝的Exynos 2600移動應用處理器(AP)的內部生產(chǎn) , 并計劃使用4nm和其他節(jié)點承接來自韓國無晶圓廠IC設計公司的AI半導體芯片訂單 。
晶圓代工訂單疲軟、產(chǎn)能利用率低以及HBM競爭力下降 , 導致了P2和P4建設的投資延遲 , 這些產(chǎn)線原計劃于2024年底完成 。 然而 , 三星通過在2024年底重新設計其HBM和DRAM產(chǎn)品以提高競爭力 , 實現(xiàn)了反彈 。 AI基礎設施投資帶來的需求增長也幫助恢復了平澤園區(qū)的投資勢頭 。
三星采用1c DRAM已顯著縮小了與SK海力士(SK Hynix)的技術差距 。 SK海力士和三星2026年的DRAM和NAND閃存產(chǎn)能均已售罄 。 英偉達最近承認三星為核心合作伙伴 , 分析師預計其HBM出貨量將在2026年至少增長2.5倍 。
三星平澤園區(qū)的建設在戰(zhàn)略上與英偉達的Rubin計劃保持一致 。 在HBM3E時代失去領先地位后 , 三星計劃在HBM4的速度、效率和堆疊穩(wěn)定性方面重新獲得競爭優(yōu)勢 。 除P4工廠外 , 三星正考慮將其華城和器興工廠的部分設施轉換為與HBM兼容的1c工藝 。
目標2027年 , 三星晶圓代工將實現(xiàn)盈利據(jù)報道 , 三星電子已確立 2027 年實現(xiàn)晶圓代工業(yè)務實現(xiàn)盈利的經(jīng)營目標 , 其中特斯拉等大型科技企業(yè)的訂單以及美國泰勒工廠將成為核心驅動力 。 曾是三星半導體 “短板” 的晶圓代工業(yè)務能否成為新的增長引擎 , 備受關注 。
三星電子將晶圓代工業(yè)務部將盈利轉折點設定在2027年 , 目前三星電子已向合作企業(yè)分享了這一時間節(jié)點 , 并商議了未來的投資方案 。 熟悉該事項的高層人士透露:“三星不僅公布了2027年內實現(xiàn)盈虧平衡的經(jīng)營目標 , 還共享了未來主要材料及零部件的需求展望 。 ”
另一位知情人士透露:“據(jù)悉三星還設定了2027年銷售額實現(xiàn)20%市場份額的目標 。 ”
三星電子的晶圓代工業(yè)務自2022年以來一直處于虧損狀態(tài) , 業(yè)內人士預計每季度虧損額在1~2萬億韓元水平 , 相較于存儲芯片業(yè)務隨市場行情有起有伏 , 晶圓代工更像是整體業(yè)務中的一個“無底洞” 。 而造成這一狀況的核心原因在于公司在尖端工藝研發(fā)投入了巨額資金 , 但是卻未能拿下大額訂單 。
針對三星電子將2027年設定為盈利節(jié)點 , 業(yè)內認為這是其對市場機遇的判斷以及對自身技術實力的信心體現(xiàn) 。 今年 , 三星電子斬獲了特斯拉、蘋果等北美大型科技企業(yè)的半導體代工訂單 。 同時 , 以4納米、5納米、8納米等良率穩(wěn)定的工藝為核心 , AI及HPC芯片的訂單量正不斷擴大 , 一改此前因良率不足而難以獲客的局面 。
三星電子在第三季度業(yè)績說明會上表示:“以2納米大型客戶訂單為核心的尖端工藝業(yè)務創(chuàng)下歷史最高接單業(yè)績 , 虧損也大幅減少 。 ” 據(jù)悉 , 今年第三季度三星晶圓代工業(yè)務的虧損規(guī)模已降至1萬億韓元以下 。
此外 , 美國奧斯汀工廠的開工率持續(xù)提升 , 為盈利改善做出了貢獻 。 該工廠負責 14 納米至65納米等成熟工藝的生產(chǎn) , 近期成功獲得了高通等客戶 。
而美國泰勒工廠已經(jīng)吸引了特斯拉、蘋果等大型科技企業(yè) , 有望通過提前投產(chǎn)實現(xiàn)收益最大化 。 三星電子計劃明年啟用泰勒工廠 , 目前正一邊推進工廠建設 , 一邊加快設備進場速度 。 預計最遲在第二季度完成設備搭建 , 并于第三季度正式投產(chǎn) 。 此外 , 三星電子還在籌備泰勒工廠的第二階段建設 , 規(guī)模遠超第一階段 , 現(xiàn)在正與合作企業(yè)協(xié)商相關投資及材料、零部件需求 , 以爭取快速投產(chǎn) 。
業(yè)界人士分析:“三星電子在恢復存儲芯片競爭力后 , 正謀求在晶圓代工、SoC等非存儲領域實現(xiàn)反彈 , 而晶圓代工業(yè)務能否復蘇 , 將取決于下一代工藝技術的研發(fā)進展及良率的穩(wěn)定情況 。
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