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說(shuō)個(gè)冷知識(shí) , 雖然咱們最終都能通過(guò)拆機(jī)或者實(shí)測(cè)的方式 , 了解到每代 iPhone 的內(nèi)存和電池容量 。 但其實(shí)蘋果從初代 iPhone 開(kāi)始 , 就沒(méi)在官網(wǎng)上面標(biāo)過(guò)這些具體數(shù)值 。
所以大部分人并不一定了解 , iPhone 標(biāo)準(zhǔn)版的內(nèi)存 , 往往會(huì)比 Pro 系列小那么一截 。
iPhone?16 全系標(biāo)配 8?GB 內(nèi)存 , 但 Pro 系列的內(nèi)存規(guī)格更高
現(xiàn)在又有個(gè)新情況 , 因?yàn)檫@段時(shí)間消費(fèi)級(jí)內(nèi)存變得供不應(yīng)求 , 開(kāi)始大幅漲價(jià) 。 托尼在網(wǎng)上看到有種說(shuō)法是 , 安卓廠商可能也要跟著 “學(xué)壞了” , 開(kāi)始琢磨偷偷給手機(jī)配置降級(jí) 。
換句話說(shuō) , 無(wú)論你明年想換 iPhone 還是其他品牌的手機(jī) , 最好都看一眼內(nèi)存的協(xié)議和規(guī)格 。 因?yàn)槊髂陜?nèi)存不光要漲價(jià) , 而且要換新協(xié)議了 , 而且新協(xié)議的升級(jí) , 還挺大的 。。。
事情是這樣的 , 今年 7 月份 , JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)公布了最新的 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn) 。 大概意思就是 , LPDDR5 內(nèi)存已經(jīng)用了七年了 , “戰(zhàn)未來(lái)” 的事兒就交給新協(xié)議吧 。
托尼這里暫時(shí)先打斷一下 , 不少人會(huì)把內(nèi)存跟存儲(chǔ)空間搞混 , 實(shí)際上后者的正確叫法是閃存或者外存 , 用來(lái)存資料、裝應(yīng)用;內(nèi)存大小則直接決定了系統(tǒng)和程序能不能流暢運(yùn)行 。
可能大家比較熟悉的內(nèi)存協(xié)議 , 是用在電腦上的 DDR 。 當(dāng)這類技術(shù)被用在手機(jī)、平板或者 IoT 設(shè)備時(shí) , 就必須額外關(guān)注體積和散熱 , 尤其要在功耗方面做優(yōu)化 , 于是就有了 LPDDR , 也就是低功耗 Low-Power 版的 DDR 。
圖片來(lái)源:微機(jī)分WekiHome——【享拆】小米 10 Pro 拆解:為了散熱 , 拼了!
咱們接著說(shuō)這次的新協(xié)議 , 表面上看 , 這次 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)容更新 , 用一句話就能說(shuō)明白 ——
在前代 LPDDR5 的基礎(chǔ)上 , LPDDR6 的頻率和帶寬增加 , 功耗變低 , 同時(shí)更穩(wěn)定 。
但實(shí)際上 , LPDDR6 從總線結(jié)構(gòu) , 到電源架構(gòu) , 再到可靠性機(jī)制都做了大改動(dòng) 。
新協(xié)議再加上肉眼可見(jiàn)的提升 , 可想而知 , LPDDR6 內(nèi)存的價(jià)格自然也會(huì)更貴 。。。
那咱們接下來(lái) , 就仔細(xì)聊聊 , LPDDR6 貴在哪里吧 升級(jí)點(diǎn)到底是怎么回事吧?
首先 , 從 LPDDR6 的結(jié)構(gòu)圖就能看出架構(gòu)的改進(jìn)——
每個(gè) LPDDR6 芯片包含兩個(gè)子通道 , 單個(gè)子通道的位寬為 12?bit , 而 LPDDR5 僅僅是 16bit 單通道的設(shè)計(jì) 。
如果把 LPDDR5 的 16bit , 形容成一條公路上運(yùn)行的 16 座大巴 , 那么 LPDDR6 就是在兩條公路上 , 各自都能跑一輛 12 座公交的專線 。
雖然看起來(lái) , 單條線路的座位數(shù)下降了 , 但實(shí)際上兩條通道可以并行工作 , 數(shù)據(jù)通路就變成 24bit , 整體的運(yùn)載能力(位寬和帶寬)反而會(huì)更強(qiáng) 。
所以 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)組織就規(guī)定 , LPDDR6 的數(shù)據(jù)速率將提升到 10667 - 14400 MT/s 之間 , 對(duì)應(yīng)的理論峰值帶寬就是32–43 GB/s 。。。 這是個(gè)啥概念呢?
相較最初的 LPDDR5(6400MT/s) , 單顆 LPDDR6 理論帶寬提升大約是 2.5–3.4 倍;對(duì)比目前速率最高的 LPDDR5X (10667MT/s) , 也有大約 1.5–2 倍的提升 。
咱們都知道帶寬的提升 , 能帶來(lái)更快的內(nèi)存訪問(wèn)速度 , 也就是應(yīng)用打開(kāi)的速度會(huì)變得更快 , 運(yùn)行程序的流暢度提高;尤其高性能游戲和多任務(wù)操作 , 也需要高速率的內(nèi)存 。
而且還有一點(diǎn) , LPDDR 標(biāo)準(zhǔn)在頒布之后 , 隨著制作工藝的成熟 , 是可以不斷 “超頻” 的 。 就比如一些內(nèi)存芯片廠商 , 例如三星、美光和海力士 , 還推出過(guò)速率更高的產(chǎn)品 。。。
也就是說(shuō) , 這次 LPDDR6 的起手速率 , 就是 LPDDR5 內(nèi)存超到冒煙才能達(dá)到的上限 , 后續(xù)的規(guī)格很可能還會(huì)更高 。。。
而且 LPDDR6 這個(gè)雙子通道(Dual?Sub?Channel)的架構(gòu) , 除了能提升帶寬 , 獲得更強(qiáng)的性能 , 還對(duì)功耗控制有很大的加成 。
是這樣的 , 因?yàn)?LPDDR6 內(nèi)存的每個(gè)子通道擁有獨(dú)立的 DQ(數(shù)據(jù))、CA(命令/尋址)信號(hào)線 , 所以它可以對(duì)每條子通道的信號(hào) , 進(jìn)行獨(dú)立的控制和功耗管理 。
這就使得 LPDDR6 內(nèi)存能夠支持三種數(shù)據(jù)傳輸模式的切換 , 做到帶寬的 “按需分配”:
玩游戲和 AI 推理時(shí) , 兩條子通道全開(kāi) , 全帶寬滿載運(yùn)行;像待機(jī)這樣的輕負(fù)載場(chǎng)景 , 關(guān)閉一半的閑置子通道 , 但內(nèi)部存儲(chǔ)單元依舊保持刷新 , 保留數(shù)據(jù)的完整性;靜態(tài)運(yùn)行時(shí) , 閑置的子通道長(zhǎng)期關(guān)閉 , 進(jìn)一步降低功耗 , 適合物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備 。
設(shè)計(jì)非常的先進(jìn) , 就是不知道這個(gè)東西 , 啥時(shí)候能降價(jià)到物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備也用得起 。
除了通道結(jié)構(gòu)上的改進(jìn)帶來(lái)的能效升級(jí) , 其實(shí) LPDDR6 的電源架構(gòu)也做了改動(dòng) , 它在 LPDDR5 的多電源架構(gòu)的基礎(chǔ)上 , 規(guī)定了更多省電相關(guān)的特性 。
托尼這里就撿重點(diǎn)說(shuō) , LPDDR6 的省電核心邏輯 , 其實(shí)就是雙電源設(shè)計(jì) + 低電壓運(yùn)行 。
說(shuō)人話就是 , LPDDR?6 強(qiáng)制規(guī)定 , 將常規(guī)供電(VDD2C)與低功耗供電(VDD2D)分成了兩條電源軌 。 在內(nèi)存工作的高頻段 , 使用稍高的電壓保證性能 , 在空閑時(shí)切換到更低的電壓 , 降低功耗 。
而且 LPDDR6 的VDD2 整體電壓(0.875?V?~?1.0?V) , 在 LPDDR5(約?0.9?V?~?1.05?V)的基礎(chǔ)上做到了更低 , 這也意味著更省電 。
這原理聽(tīng)上去合理、樸素而且理所應(yīng)當(dāng) , 但這實(shí)際上需要額外的硬件改動(dòng)做配合 ——
例如 , 每條電源軌道要設(shè)計(jì)檢測(cè)電路 , 并且在芯片封裝時(shí)需要額外設(shè)計(jì)獨(dú)立的電源引腳 。。。 總之 , 這是個(gè)復(fù)雜的系統(tǒng)性工程 。
至于最后一點(diǎn) ,LPDDR6 協(xié)議的穩(wěn)定性提升 。 托尼這里舉一個(gè)例子你就懂了 ——
LPDDR?6 依舊有片上糾錯(cuò) ECC 機(jī)制 , 而這個(gè)機(jī)制 , 以往都是在專業(yè)圖形顯卡和工作站中大家才能看到 。
假設(shè)沒(méi)有 ECC , 就會(huì)額外多出一些難以發(fā)現(xiàn)的隨機(jī)錯(cuò)誤風(fēng)險(xiǎn) , 比如長(zhǎng)時(shí)間高負(fù)載的視頻渲染 , 進(jìn)度條跑到 99% 突然崩潰;或者大模型的推理、訓(xùn)練結(jié)果被悄悄算錯(cuò) , 系統(tǒng)也不會(huì)給你任何告警 。
我們之前的視頻里也提到過(guò) , 差評(píng)編輯部有臺(tái)我們自己買的戴爾工作站 。 這臺(tái)機(jī)器價(jià)格奇高 , 但因?yàn)?ECC 內(nèi)存更穩(wěn)定 , 所以遇到剪輯任務(wù)非常緊急 , 一分鐘都不能耽誤的情況 , 基本會(huì)把活兒交給工作站來(lái)干 , 最后我們反而又覺(jué)得 , 貴有貴的道理了 。
而現(xiàn)在這個(gè)特性 , 竟然出現(xiàn)在了為移動(dòng)設(shè)備做的內(nèi)存協(xié)議上 , 可想而知 LPDDR6 的穩(wěn)定性提升幅度有多大了 。
其實(shí)之前在 LPDDR?5 上也看見(jiàn)過(guò)類似的特性 , 但當(dāng)時(shí) LPDDR5 只是將 ECC 糾錯(cuò)作為一個(gè)可選特性 , 而在 LPDDR6 上就是作為標(biāo)準(zhǔn)硬性要求了 。
并且 LPDDR6 還附加了命令/地址奇偶校驗(yàn)、錯(cuò)誤清理以及內(nèi)存內(nèi)置自測(cè)試(MBIST)等等可靠性相關(guān)的特性 , 托尼這里就不展開(kāi)講了 。 大家只需要記住 , LPDDR6 增強(qiáng)了內(nèi)存的錯(cuò)誤檢測(cè)能力就可以了 。
當(dāng)然這個(gè)特性其實(shí)有一定的代價(jià)的 , 那就是為了安全 , 會(huì)有一部分性能損失 ——
【內(nèi)存瘋狂漲價(jià)的理由,又多了一個(gè)】因?yàn)?LPDDR6 協(xié)議每次數(shù)據(jù)傳輸?shù)?288bit 數(shù)據(jù)里 , 只有 256bit 是有效數(shù)據(jù) , 剩下的 32bit 是 ECC/DBI 這樣 , 用于校驗(yàn)的元數(shù)據(jù) 。
所以 LPDDR6 協(xié)議的有效帶寬 , 會(huì)在前面理論值的基礎(chǔ)上打個(gè) 9 折 , 也就是在 28.5 - 38.4 GB/s 這個(gè)范圍 。 但為了整體的數(shù)據(jù)穩(wěn)定性 , 這部分損耗 , 托尼認(rèn)為還是值得的 。
對(duì)咱們消費(fèi)者來(lái)說(shuō) , 這個(gè)新協(xié)議影響最大的 , 還得是明年發(fā)布的手機(jī) , 搭載了規(guī)格更新的內(nèi)存 , 運(yùn)行速度和多任務(wù)處理能力會(huì)有提升 。
除此之外 , 輕薄本的性能和體驗(yàn)也會(huì)更好 ——
因?yàn)?CPU 與核顯共享同一個(gè)內(nèi)存系統(tǒng) , 由于 LPDDR6 大幅增加了帶寬 , 會(huì)給核顯本帶來(lái)更高的渲染帶寬 。 所以托尼也很好奇 , LPDDR6 的升級(jí) , 能不能讓核顯本在面對(duì) 3A 游戲的時(shí)候 , 不至于那么雞肋 。。。
根據(jù)目前的消息 , 三星預(yù)計(jì)最早明年一月份 , 在 CES 2026上展出 LPDDR6 內(nèi)存 。 那么預(yù)計(jì)最快明年上半年 , 我們就可以用上搭載 LPDDR6 內(nèi)存的新設(shè)備了 。
但就是 LPDDR6 的普及過(guò)程 , 注定不會(huì)特別順利 , 而且 LPDDR6 作為一項(xiàng)新技術(shù) , 碰上了內(nèi)存的漲價(jià)潮 , 價(jià)格短時(shí)間內(nèi)也打不下來(lái) 。
所以真就應(yīng)了托尼之前講 PNG2.0 的文章里 , 提到的那句話 , “不要看到新版本號(hào)就燃起來(lái)” , 真想買到搭載 LPDDR6 內(nèi)存的設(shè)備 , 大家還得再耐心等等 。
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