【SK海力士M15X晶圓廠將提前4個月投產】12月28日消息 ， 據韓媒The Elec 媒體報道 ， 存儲芯片大廠SK海力士的M15X 晶圓廠將比原定時間提前4個月投產 。
報道援引消息人士透露 ， SK 海力士計劃2026年2月在M15X晶圓廠開始生產1b DRAM ， 這是用于其最新的高帶寬內存（HBM4）的核心 ， 相比其原本計劃的2026年6月投入晶圓生產提前了4個月 。 該晶圓廠初期月產能預計約1萬片 ， 但預期到2026年底將擴增至5.5萬至6萬片 。
在今年9月 ， SK海力士已經成完成了HBM4客戶樣品制作 ， 并供應給英偉達進行測試 ， 目前正處于這個最終優化階段、進展順利 。 英偉達將向SK海力士訂購HBM4 ， 以搭配其最新的Rubin AI 加速器 。
此前資料顯示 ， SK海力士為興建M15X晶圓廠投入超過20萬億韓元 ， 該廠位于M15附近 ， 并專注于生產1b DRAM ， 用作HBM3E/HBM4的核心芯片 。 消息人士透露 ， M15X初期月產能為3.5萬片晶圓 ， 未來預計可擴大至5.5萬至6萬片 。
SK海力士自去年底開始為該廠預定設備 ， 部分韓國利川廠區的DRAM員工也被調往該晶圓廠 ， 以協助安裝設備并進行量產準備 。 M15X擁有比現有廠房更大的無塵室 ， 因為HBM制程需要比傳統DRAM更高的空間與設備容量 。
編輯：芯智訊-林子
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