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上海微電子1.1億中標的光刻機，能不能造7nm芯片，性能如何？

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上海微電子1.1億中標的光刻機，能不能造7nm芯片，性能如何？

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上海微電子1.1億中標的光刻機，能不能造7nm芯片，性能如何？

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昨天 ， 估計關注光刻機消息的網友 ， 都應該看一則新聞 ， 那就是國內知名光刻機廠商 ， 上海微電子裝備（集團）股份有限公司（下稱上海微電子）中標了一臺步進掃描式光刻機 ， 中標金額約1.09億元 。
一時之間 ， 網絡炸了 ， 資本市場上也炸了 ， 很多與光刻機相關的概率公司 ， 都拉了一波 。

那么問題就來了 ， 這臺步進式光刻機 ， 究竟是什么來頭 ， 性能如何 ， 能不能制造7nm的芯片 ， 這個還真是網友們關心的問題 。
首先要說的是 ， 可能讓大家失望了 ， 這臺步進式光刻機主要功能可能并不是用來制造先進芯片的 ， 更多的還是用于后道的芯片封裝的 ， 屬于后道光刻機 ， 制造芯片的光刻機 ， 稱之為前道光刻機 。

另外 ， 這臺光刻機 ， 還屬于KrF光刻機范疇 ， 采用的是248nm KrF光源 。
在它之上 ， 還有ArF光刻機 ， 也就是我們熟悉的采用193nm波長的DUV光刻機 。
再之上 ， 還有浸潤式DUV光刻機 ， 也就是ArFi光刻機 ， 采用193nm波長 ， 但是經過水介質后 ， 等效行134nm波長的光源了 。
再之上 ， 才是EUV光刻機 ， 采用13.5nm波長的光源 ， 所以如果從這一些來看 ， 這臺KrF光刻機 ， 如果單從先進程度來看 ， 稱不上先進 。

另外 ， 從媒體的報道來看 ， 這臺光刻機 ， 248nm 光源 ， 分辨率為110nm ， 可以完成Chiplet芯片間的精準對位、重布線層（RDL）刻畫、凸點（Bumping）成型 ， 實現2.5D/3D異構封裝 。
當然 ， 拿去制造芯片也并不是不可能 ， 但是基于其KrF光源本身 ， 也就是能夠制造110nm左右的芯片 ， 性能還真稱不上先進 。
所以 ， 如果你要問它具體有多先進 ， 能不能制造7nm芯片 ， 那就是真的想錯了方向了 ， 它的意義不在這里 。

它的真正意義 ， 不是說去與ASML比性能 ， 比技術 ， 最大的意義是實現國產替代 ， 讓國產廠商以更低的價格 ， 買到可用的國產光刻機 ， 而不是只能買國外的品牌了 。
目前像國外的ASML或尼康、佳能的同類型的光刻機 ， 其售價超過了3000萬美元美元 ， 而上海微電子的只要1.1億元 ， 相當于1500萬美元 ， 便宜了一半 ， 這個才是其最大意義 。
【上海微電子1.1億中標的光刻機，能不能造7nm芯片，性能如何？】這臺光刻機要的效果 ， 也不是所謂的從性能上超過ASML ， 這個還真不現實 ， 它是在特定賽道上實現了可替代的突破 。

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