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SK海力士M15X廠，明年5月開始運營

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SK海力士M15X廠，明年5月開始運營

SK海力士是半導體行業首家開始量產第六代高帶寬存儲器（HBM）HBM4的公司 ， 計劃發起大規模供應攻勢 ， 瞄準明年的人工智能（AI）半導體市場 。
據業內人士透露 ， SK海力士將于明年5月完成M15X晶圓廠首個潔凈室的建設并開始試生產 。 M15X是SK海力士投資超過20萬億韓元的主要生產基地 。 該工廠計劃生產目前的主要產品HBM3E ， 以及將于明年初開始量產的HBM4 。 據悉 ， 該工廠還將引進用于生產第七代產品HBM4E的10納米級第六代DRAM的生產線 。
M15X工廠將配備兩間潔凈室 ， 其中一間將于明年5月竣工 。 潔凈室建成后 ， 工廠將開始試生產 ， 預計大約6個月后即可投入量產 。 如果一切按計劃進行 ， M15X工廠的首間潔凈室將于明年11月左右開始量產 。 此外 ， SK海力士計劃在明年年底前完成第二間潔凈室的建設 。 M15X工廠預計將于2027年中期滿負荷運轉 ， 屆時基于12英寸晶圓的DRAM月產量預計約為5萬片 。
SK海力士正在加速提高DRAM產量 ， 因為這是一個克服全球人工智能半導體供應短缺、提高銷售額和市場主導地位的機會 。
【SK海力士M15X廠，明年5月開始運營】目前 ， 包括美國、中國、日本和歐洲在內的全球各國和企業正投入數千億韓元 ， 力圖在人工智能產業中占據領先地位 。 然而 ， 人工智能需要圖形處理器（GPU）來處理海量數據 ， 以及超高性能、低功耗的動態隨機存取存儲器（DRAM）和HBM ， 以確保其推理和計算能力 。
然而 ， 用于制造高性能人工智能芯片的HBM面臨著供不應求的局面 。 目前 ， 只有三家公司具備生產用于高性能人工智能芯片的HBM3E（第五代）和HBM4的能力：SK海力士、三星電子和美國的美光科技 。 在這種市場格局下 ， 提高HBM產量的公司必然會獲得更大的市場主導地位 。 SK海力士計劃通過以下策略實現雙贏：首先 ， 將于明年2月率先在全球范圍內量產下一代產品HBM4；隨后 ， 提高目前市場需求最高的HBM3E的產量 。
SK海力士此次增產計劃也包含進一步拉開與競爭對手差距的策略 。 SK海力士的DRAM月產能為50萬片晶圓 ， 即使加上M15X芯片 ， 也只能達到55萬片 。 相比之下 ， 三星電子的月產能高達65萬片晶圓 。
HBM是一種高性能存儲半導體 ， 由DRAM堆疊而成 。 三星電子憑借其龐大的DRAM產能 ， 正在恢復HBM的競爭力 ， 導致市場格局波動 。 尤其值得注意的是 ， 市場分析顯示 ， 三星電子（月產能17萬片）的HBM產能已超過SK海力士（月產能16萬片） ， 因此三星電子正加速提升技術能力 ， 以期量產HBM4 。 SK海力士則計劃通過先進技術和提升HBM3E的產量 ， 搶占先機 ， 量產HBM4 ， 從而擺脫三星電子的追趕 。
SK海力士計劃短期內通過M15X晶圓廠加入產能爭奪戰 ， 中長期則著眼于龍仁半導體產業集群 。 龍仁產業集群一期晶圓廠總投資120萬億韓元 ， 預計于2027年5月竣工 。 一期晶圓廠共包含6間潔凈室 ， 將陸續建成投產 ， 直至2030年 。 一期晶圓廠滿負荷運轉后 ， 每月將新增約35萬片晶圓產能 ， 使SK海力士的總產能顯著提升至每月90萬片 。
金融投資行業預測 ， 由于SK海力士率先實現HBM4量產并提高HBM3E的產量 ， 其市場份額明年將超過50% 。 三星電子預計將保持在30%左右 ， 而美光預計將保持在20%左右 。 尤其值得一提的是 ， 隨著英偉達下一代AI加速器Rubin將于明年第四季度發布 ， SK海力士的HBM4供應量極有可能大幅增長 。 SK海力士計劃于明年2月開始HBM4量產 ， 并于5月啟動M15X的生產 ， 從而鞏固其在HBM領域的領先地位 。 一位業內人士表示：“HBM市場現已進入第二輪 ， 穩定的供應能力已成為超越技術競爭的核心競爭力 。 ”他預測：“明年2月HBM4的量產和5月M15X的投產將是SK海力士鞏固其‘第一’地位的關鍵時刻 。 ”
與此同時 ， SK海力士有望憑借其在高價值高分子材料市場的領先地位 ， 繼續創造公司歷史上最佳業績 。 今年第三季度營業利潤達11.383萬億韓元 ， 預計第四季度利潤將達到15萬億韓元 。 預計明年全年營業利潤將高達93萬億韓元 。
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