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巨頭搶灘，HBM4倒計時

機器人聯合創始人具身智能魔法原子

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2026年將是存儲巨頭又一個里程碑之年 ， 而這場躍遷的核心賭注 ， 落在了HBM4身上 。
SK海力士在2025年財報會上宣布 ， 其HBM4已于9月完成開發并啟動量產 ， 2026年全面放量；三星在2026年新年致辭中直言：“我們的HBM4展現了真正的差異化競爭力 ， 甚至有客戶感慨：Samsung is back 。 （三星回來了）”；美光則在2025年9月的電話會議中確認：HBM4將于2026年Q2正式量產出貨 ， 下半年進入產能爬坡 。
HBM4的量產沖刺 ， 已在2026年初正式啟程 。
01HBM4 ， 亮相
截至目前 ， 美光、三星和SK海力士均已通過不同活動展示了各自的HBM4產品 。

SK海力士：16層堆疊 + MR-MUF + 臺積電邏輯芯片
SK海力士正式展示了其新一代HBM4高帶寬內存 ， 采用16層堆疊、容量達48GB 。 相比此前推出的12層36GB版本（曾以11.7Gbps的速率創下行業紀錄） ， 新器件在容量和帶寬上均有明顯提升 ， 整體帶寬突破2TB/s 。

MR-MUF的優勢
實現16層堆疊的同時 ， 還要滿足JEDEC對HBM封裝總高度不超過775微米的要求 ， 這對制造工藝提出了極高挑戰 。 SK 海力士的一大亮點是其自研的MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）技術：通過將單顆DRAM晶圓減薄至僅30微米 ， 并在一次回流焊過程中完成多層芯片的垂直互連 ， 既提升了集成密度 ， 也增強了結構穩定性 。 SK海力士16層HBM4器件的另一大亮點是 ， 與臺積電合作將12納米邏輯芯片集成到HBM4芯片的基礎芯片中 ， 作為HBM4堆棧的控制邏輯或“大腦” 。
三星：1c DRAM + 混合鍵合 + 全流程自研
與SK海力士和臺積電合作生產HBM4邏輯芯片不同 ， 三星是在自家4nm工藝上生產邏輯芯片 ， 并且在同一廠區內完成3D封裝 。 三星是目前唯一在自有晶圓廠完成DRAM、邏輯芯片制造及3D封裝全鏈條的HBM4供應商 。
封裝技術上 ， 三星未采用MR-MUF ， 而是加速推進混合鍵合技術；同時 ， 三星在HBM4 的另一個突破在于選擇采用1c DRAM工藝技術 。 三星的HBM3和HBM3e都是基于1a納米制程的DRAM ， 到了HBM4采用1c DRAM工藝技術以形成對SK海力士的競爭優勢 。 （SK海力士、美光目前仍采用1b DRAM工藝） 。 三星電子內情的相關人士透露 ， 三星電子1c DRAM良率已接近60% ， 超過盈虧平衡點 ， 為量產奠定基礎 。
2025年底 ， 三星已完成HBM4的量產準備認證（PRA） ， 產品達到內部量產標準 ， 正加速推進進入英偉達供應鏈的進程 。 在博通主持的技術性測試中 ， 三星HBM4運行速度達到中低段11Gb/s水平 ， 表現位列三大存儲廠商之首 。
此外 ， 三星計劃在2月舉行的ISSCC（國際固態電路會議）上發布一款更高性能的HBM4芯片 。 其首款36GB HBM4帶寬為2.4TB/s ， 新款產品帶寬預計將達3.3TB/s ， 較上一代提升37.5% 。
美光：11Gb/s+ 自研CMOS基地芯片 + 臺積電邏輯芯片

美光財報
美光CEO桑杰·梅赫羅特拉在2025財年第四季度及全年財報中證實 ， 公司新一代HBM4內存將于2026年推出 ， 多項性能指標超越JEDEC基礎規范 。
美光12層堆疊的HBM4正按計劃推進 ， 以支持客戶平臺的擴展 。 近期 ， 美光已向客戶交付HBM4樣品 ， 其帶寬超過2.8TB/s ， 數據速率突破11Gb/s ， 處于行業領先水平 。 美光科技聲稱 ， 新款HBM4產品在性能和效率方面將超越所有競爭對手 。 美光CEO表示：“我們成熟的1b DRAM、創新且節能的HBM4設計、自主研發的先進CMOS基地芯片以及先進的封裝技術 ， 是成就這款一流產品的關鍵所在 。 ”值得一提的是 ， 美光的HBM4E將與臺積電合作生產邏輯芯片（對 ， 和SK海力士類似） ， 計劃會在2027年上市 。
02產能格局 ， 分化加劇

主要DRAM供應商的DRAM晶圓加工能力（月產量 ， 單位：千片）和TSV工藝晶圓加工能力（月產量 ， 單位：千片） 。 所有數據截至年底 。 來源：2025年FMS會議論文集 ， TrendForce
據TrendForce預測 ， 預計到2025年底 ， 三大DRAM廠商的DRAM晶圓加工能力（月產量）分別為：三星電子65.5萬片 ， SK海力士54.5萬片 ， 美光科技34萬片 。 其中 ， 采用TSV工藝（HBM）的晶圓加工能力（月產量）預計分別為：三星15萬片 ， 占DRAM總產量的23%；SK海力士15萬片 ， 占28%；美光5.5萬片 ， 占16% 。
預計到2026年底 ， 三大DRAM廠商的DRAM晶圓加工能力（月產量）分別為：三星67萬片 ， 同比增長1.5萬片；SK海力士 60萬片 ， 同比增長5.5萬片；美光36萬片 ， 同比增長2萬片 。 其中 ， SK海力士的產能增長尤為顯著 。
SK海力士采取“HBM3E+HBM4”雙代并行策略 ， 在鞏固當前市場優勢的同時 ， 全力沖刺下一代產品 。 目前已鎖定2026年全部DRAM與NAND產能的客戶需求 ， 預計全年DRAM出貨量同比增長超20% ， 管理層判斷HBM供應緊張局面將持續至2027年 。
美光對HBM市場的長期前景保持高度樂觀 。 其CEO在2025年底業績電話會上表示 ， 預計2025年至2028年全球HBM總潛在市?。 ═AM）復合年增長率（CAGR）約為40% ， 規模將從350億美元增至1000億美元 。 為抓住這一窗口期 ， 美光計劃今年將其HBM4產能提升至每月1.5萬片晶圓 。
面對AI驅動的爆發性需求 ， 三大廠商正以前所未有的力度推進產能建設 。
03全球布局加速

我們梳理一下各家存儲大廠的制造基地布局 。
SK 海力士
SK 海力士目前在全球設有多個半導體生產基地 ， 主要分布在韓國、中國和美國 ， 從分布來看 ， 最尖端的HBM和先進制程DRAM集中在韓國 ， 成熟DRAM依賴中國無錫廠支撐 ， 而美國工廠主攻先進封裝 。
重點來看韓國這邊 ， SK海力士在利川有三家工廠：M10、M14和M16 。 M10工廠聚焦基礎DRAM和HBM晶圓制造 ， 2025年完成產線改造（M10F） ， 承擔HBM內存封裝任務；M14工廠與M16廠協同擴產 ， 最新建成于2021年的M16工廠主要專注于生產DRAM產品 。
在韓國清州地區 ， SK 海力士有M15工廠 ， 主攻NAND閃存制造 ， 是清州園區的核心生產設施 。 配套還有M15X工廠 ， 是M15擴建計劃的一部分 ， 生產HBM ， 2025年Q4投產 ， 總投資20萬億韓元 。
最新進展顯示 ， SK海力士已將M15X的量產時間從原定的2026年6月大幅提前至2026年2月 ， 初期月產能約1萬片 ， 目標到2026年底提升至5.5萬–6萬片 。 該廠將同時生產HBM3E與HBM4 ， 并已通過1b DRAM工藝認證 。 值得注意的是 ， M15X還將為下一代HBM4E鋪路 ， 未來將導入10nm級第六代（1c）DRAM技術 。
此外 ， 在清州地區SK海力士今年會投資19萬億韓元 ， 建設一個P&T7工廠 。 主要面向HBM等AI內存的需求的先進封裝后端晶圓廠 。 這個晶圓廠占地面積7萬坪（約合 23.14 萬平方米） ， 計劃于 2026 年 4 月開工建設 ， 預計于2027 年底竣工 。 其將與SK 海力士的清州M15X DRAM 前端晶圓廠構成有機整體 。
更長遠看 ， SK海力士在京畿道龍仁市啟動了規模空前的龍仁半導體集群項目 ， 規劃四座大型晶圓廠 ， 總投資高達600萬億韓元 。 首座工廠已于2025年2月動工 ， 預計2027年5月投產 。
在美國方面 ， SK 海力士在印第安納州準備建設一個先進封裝中心 ， 投資38.7億美元 ， 負責半導體產品的封裝和測試 ， 計劃于2028年下半年開始運營 。
在中國有兩家工廠 ， 一家在無錫、一家在重慶 。 其中無錫廠是SK海力士的存儲芯片生產主力之一 ， 占其全球DRAM總產量的30%–40% 。 目前該廠12英寸晶圓月產能達18萬–19萬片 ， 已升級至1a工藝 。
三星
三星在美國和韓國都有工廠 。 韓國這邊 ， 華城工廠位于京畿道華城市 ， 是三星在韓國的重要存儲芯片生產基地 ， 主要生產DRAM和NAND Flash存儲芯片 。 器興（Giheung）工廠是三星早期建立的晶圓廠 ， 主要生產成熟工藝節點的存儲芯片及相關半導體產品 ， 支持從350納米到8納米的工藝 ， 為三星存儲業務提供基礎產能支持 。 平澤工廠是三星存儲業務的戰略核心 。 該基地已建成P1至P4晶圓廠 ， 并正在重啟P5建設（預計2028年投產） 。 其中 ， P4工廠被明確指定用于1c DRAM的量產 ， 計劃用于HBM4等高端存儲產品 。
同時 ， 三星在美國有奧斯汀和泰勒晶圓廠 ， 奧斯汀主要生產65nm至14nm邏輯芯片 ， 產品應用于移動設備、通信等領域；泰勒專注于先進制程芯片生產 ， 準備生產特斯拉AI6芯片（預計基于2nm工藝） 。
據韓國《每日經濟新聞》報道 ， 英偉達團隊已訪問三星 ， 通報了HBM4系統級封裝（SiP）的測試結果 。 結果顯示 ， 三星HBM4在運行速度與功耗效率兩大核心指標上 ， 表現優于所有競爭對手 。 “與HBM3E時期不同 ， 我們在HBM4開發上處于領先地位 ， ”一位三星內部人士表示 。
據悉 ， 三星正綜合評估平澤P4產線的擴產進度與交付能力 ， 計劃于2026年第一季度敲定最終供應合同 ， 并于第二季度啟動正式量產交付 。
美光
前兩天 ， 美光全球運營執行副總裁Manish Bhatia在接受采訪時表示：“我們當前看到的短缺情況 ， 確實是前所未有的 。 ”
Bhatia在最新的講話中指出 ， 用于人工智能加速器的HBM（高帶寬存儲）“消耗了整個行業大量可用產能 ， 導致傳統行業領域 ， 例如智能手機和個人電腦 ， 出現巨大的供給缺口” 。
在HBM的巨大需求下 ， 美光同樣也在瘋狂擴產 。 美光的HBM工廠分布在新加坡、日本、美國 ， 其中大多都是新建工廠 。
去年年初 ， 美光就在新加坡投資70億美元 ， 準備建設一家專門的HBM先進封裝工廠 。 這個工廠原計劃是2026年開始運營 ， 并且從2027年開始擴大美光的先進封裝總產能 。
后來 ， 美光又宣布在日本建廣島工廠 ， 這家則是專門生產HBM芯片 。 工廠在2025年5月正式動工 ， 預計2028年左右實現HBM芯片的規?；鲐?。 該工廠將采用先進制程技術 ， 是美光自2019年以來規劃的首個新生產基地 。 當然 ， 日本政府說要給美光的新工廠提供最多5360億日元的補貼（約合人民幣259億元） 。
之前 ， 美光承諾將其40%的DRAM制造產能轉移到美國本土 。
在美國 ， 美光投資了1000億美元建設的大型晶圓廠綜合體 ， 規劃四座晶圓廠 ， 其中兩座已動工 ， 預計2030年開始投產 。 今年1月 ， 美光在紐約州奧農多加縣為其晶圓廠舉行正式開工儀式 。 之前美光還宣布 ， 還會在自家總部的愛達荷州博伊西市建設第二座內存制造工廠 ， 提升美國國內半導體生產和研發能力 。
從新建工廠來看 ， 進程在明后年才能實現投產 。 面對當下的生產需求 ， 美光決定直接買工廠 。 也就是最近宣布的 ， 以18億美元現金收購力積電苗栗銅鑼P5晶圓廠 ， 交易預計于2026年第二季完成 。
在銅鑼廠之前 ， 美光已收購AUO臺南廠2座、AUO Crystal在臺中的廠房 ， 以及Glorytek的臺中廠房 ， 作為Wafer Probe（晶圓測試）、Metallization （金屬化）、HBM TSV等各項用途 。 此外 ， 美光還規劃將部分新加坡NAND Flash無塵室改用于DRAM Metallization 。
值得一提的是 ， 雖然SK海力士和美光都在積極擴張產能 ， 但三星的擴張步伐卻顯得較為謹慎 。 據TrendForce預測 ， 預計到2026年底 ， 三星的TSV工藝（HBM）晶圓加工能力（月產量）將與去年持平 ， 為15萬片；SK海力士的產能將同比增長5萬片 ， 達到20萬片；美光的產能將同比增長4.5萬片 ， 達到10萬片 。
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