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與邏輯芯片追求先進工藝 ， 不斷的向2nm、1nm邁進不同 ， NAND閃存芯片 ， 不能一味追求先進工藝 。
NAND芯片是用來存儲數據的 ， 而根據測試 ， 當芯片工藝在18nm后 ， 如果再往下微縮 ， 工藝越先進 ， 那么數據存儲相對而言 ， 就不太穩定了 。
所以NAND閃存廠商們 ， 不會一味的去追求工藝提升 ， 不會去不斷的微縮晶體管 ， 來實現性能提升 。
NAND閃存芯片廠商們的辦法 ， 與邏輯芯片不太一樣 ， NAND閃存芯片是利用3D技術 ， 疊加芯片的層數 ， 轉向立體結構 ， 來提高性能 。
所以也就有了64層NAND 閃存 ， 128層 ， 252層 ， 300層 ， 430層等等 ， 層數越高 ， 代表著芯片越先進 ， 就像房子一樣 ， 層數越高 ， 住的人越多 ， 存儲密度就越大 。
另外 ， 因為存領芯片本身 ， 其實是分為兩部分的 ， 一部分是讀取、寫入部分 ， 一部分是芯片存儲部分 ， 這兩部分是可以分開來看的 。
所以有一些企業 ， 想了一些辦法 ， 將這兩部分開來對待 ， 比如讀取、寫入部分 ， 則提高芯片工藝 ， 讓讀取、寫入的速度更快 ， 而存儲部分 ， 則不提高工藝 ， 這樣保證芯片存儲更穩定 。
這種技術 ， 就是混合健合技術 ， 將這兩部分鍵合到一起 ， 形成完整的NAND閃存芯片 。
國內存儲巨頭長江存儲 ， 有一種技術 ， 叫做Xtacking?（晶棧） ， 其實就是一種混合鍵合技術 ， 將讀寫/寫入部分的外部電路部分工藝 ， 和存儲部分的工藝分開 ， 兩部分分開制造 ， 再鍵合在一起 。
像鎧俠(Kioxia)和閃迪(SanDisk)在218層的時候 ， 也采用了類似的CMOS鍵合陣列(CBA)設計 ， 其實也是類似的 。
而三星沒有類似的設計 ， 所以前段時間 ， 找上了長江存儲 ， 獲得了長江存儲的專利授權 ， 可以使用長江存儲的這種混合鍵合技術 。
三星原計劃拿到這種技術授權后 ， 迅速的推出400層以上的3D NAND閃存出來 ， 搶占市場 ， 不過近日有媒體報道稱 ， 因為技術難度大 ， 再加上內部外的各種原因 ， 所以三星的430層堆疊的V10 NAND Flash ， 會有延遲 ， 原計劃2025年下半年啟動 ， 如今推遲至明年上半年左右 ， 延遲半年到一年時間 。
而這也意味著 ， 隨著技術不斷的升級 ， 整個行業難度是在增加的 ， 而中國廠商 ， 因為早就有準備了 ， 所以在接下來的競爭之中 ， 可能會獲得一個有利的競爭優勢了 。
【雖獲得長江存儲專利，但太難了，三星暫緩430層NAND芯片研發】特別是早就布局的這種混合鍵合技術 ， 或許是長江存儲未來崛起的一個非常好的技術突破口 ， 畢竟連三星都要跑過來獲得專利授權 ， 可見真的不一般 。
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